[发明专利]极紫外遮罩及其制造方法有效
| 申请号： | 201910818426.0 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110874009B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;简聪智;傅士奇;傅啟华;郑国堂;刘柏村;李宗泉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩，其特征在于，包含：
一多层钼/硅堆叠，包括安置在一遮罩基板的一第一主表面上的交替的钼层及硅层；
一覆盖层，由钌制成并且安置在该多层钼/硅堆叠上；以及
在该覆盖层上的一吸收体层，
其中该极紫外遮罩包括一电路图案区域及一粒子吸引区域，
该覆盖层在该粒子吸引区域的图案的底部处暴露；
该粒子吸引区域中的该些图案具有小于该极紫外遮罩所使用的一极紫外曝光装置的一解析度极限的尺寸；及
该电路图案区域及该粒子吸引区域彼此间隔开至少0.5μm。
2.根据权利要求1所述的极紫外遮罩，其特征在于，该粒子吸引区域中的该些图案为线及间距图案。
3.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，包含：
通过使用如权利要求1所述的极紫外遮罩在一基板上形成一光阻剂图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含：吸附在该粒子吸引区域中曝光的覆盖层上的至少一个粒子。
5.一种极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩，其特征在于，包含：
一多层钼/硅堆叠，包括安置在一遮罩基板的一第一主表面上的交替的钼层及硅层；
一覆盖层，由钌制成并且安置在该多层钼/硅堆叠上；以及
在该覆盖层上的一吸收体层，
其中该极紫外遮罩包括一电路图案区域及一粒子吸引区域，
一导电层在该粒子吸引区域中的该吸收体层之上形成为一最顶层；
该粒子吸引区域中的该些图案具有小于该极紫外遮罩所使用的一极紫外曝光装置的一解析度极限的尺寸；及
该电路图案区域及该粒子吸引区域彼此间隔开至少0.5μm。
6.根据权利要求5所述的极紫外遮罩，其特征在于，该导电层具有比该吸收体层更高的一导电性。
7.根据权利要求5所述的极紫外遮罩，其特征在于，进一步包含安置在该吸收体层上的一抗反射层，
其中该导电层安置在该抗反射层上。
8.根据权利要求7所述的极紫外遮罩，其特征在于，该导电层具有比该抗反射层更高的一导电性。
9.根据权利要求5所述的极紫外遮罩，其特征在于，该导电层是由钌、锆或钼制成。
10.根据权利要求5所述的极紫外遮罩，其特征在于，该导电层的一厚度在从0.2nm至2nm的一范围中。
11.根据权利要求5所述的极紫外遮罩，其特征在于，该至少一个粒子经安置在该粒子吸引区域中的该导电层上。
12.一种制造一极紫外遮罩的方法，其特征在于，包含：
获取电路图案数据；
识别一或多个非图案区域；
对于该一或多个非图案区域产生粒子吸引图案；
从该电路图案数据及该些粒子吸引图案产生遮罩图数据；以及
使用该产生的遮罩图数据制造该极紫外遮罩；
其中，该粒子吸引区域中的该些图案具有小于该极紫外遮罩所使用的一极紫外曝光装置的一解析度极限的尺寸；及
该电路图案区域及该粒子吸引区域彼此间隔开至少0.5μm。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包含检查该制造的极紫外遮罩，其中未检查该一或多个非图案区域。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该些粒子吸引图案包括线及间距图案。
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- 一种制造半导体元件的方法包括提供一第一基板且在该第一基板上形成一抗蚀剂层。在一些实施例中，该方法进一步包括对该抗蚀剂层执行一曝光制程。该曝光制程包括使该抗蚀剂层经由一介入遮罩曝光于一辐射源。在一些实例中，该介入遮罩包括一第二基板、形成于该第二基板上的一多层结构、形成于该多层结构上的一覆盖层，及安置于该覆盖层上的一吸收体层。在一些实施例中，该吸收体层包括一第一主图案区域及与该第一主图案区域隔开一定距离的一开口区域。在各种实例中，该方法进一步包括在执行该曝光制程之后，对该经曝光抗蚀剂层进行显影以形成一经图案化抗蚀剂层。
- 用于EUV光刻的掩模版-201811037758.7
- 曾文德;K·V·隆;V·菲利普森;E·奥尔塔米拉诺桑切兹;K·范德斯密森 - IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
- 2018-09-06 - 2021-06-25 - G03F1/22
- 一种制造极紫外掩模版的方法，其包括：a.提供一种组件，该组件包括：(i)极紫外镜(2)；和(ii)至少覆盖极紫外镜的底部的腔；b.通过在腔中相对于不形成腔的部分的任何表面选择性地形成极紫外吸收结构来使腔被极紫外吸收结构填充。
- 光掩模坯料、光掩模的制造方法以及光掩模-202011339150.7
- 松桥直树 - 信越化学工业株式会社
- 2020-11-25 - 2021-06-08 - G03F1/22
- 发明涉及的光掩模板包括：基板；被加工膜；以及由含有铬的材料构成的膜，该膜从远离基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层。第1层的铬含有率为40原子％以下(含)，氧含有率为38原子％以上(含)，氮含有率为22原子％以下(含)，且厚度为6nm以下(含)。第2层的铬含有率为38原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以上(含)，氮含有量为18原子％以下(含)，碳为14原子％以下(含)，且膜厚为22nm以上(含)且32nm以下(含)。第3层的铬含有率为50原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以下(含)，氮含有量为20原子％以上(含)，且膜厚为6nm以下(含)。第4层的铬含有率为44原子％以下(含)，氧含有率为20原子％以上(含)，氮含有量为20原子％以下(含)，碳为16原子％以下(含)，且膜厚为13nm以上(含)。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
