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[发明专利]极紫外遮罩及其制造方法-CN201910818426.0有效
发明人：石志聪;简聪智;傅士奇;傅啟华;郑国堂;刘柏村;李宗泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种极紫外线遮罩及其制造方法。极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩包括：多层钼/硅堆叠、覆盖层及在覆盖层上的吸收体层。钼/硅堆叠包含安置于遮罩基板的第一主表面之上的交替的钼及硅层；覆盖层由钌制成并且安置在多层钼/硅堆叠之上。极紫外遮罩包括电路图案区域及粒子吸引区域，并且覆盖层在粒子吸引区域的图案的底部处暴露。
紫外及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法与半导体装置-CN201910760089.4有效
发明人：谢启文;洪健平;张岐康;傅士奇;陈桂顺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在制造半导体装置的方法中，制备布局。布局包括主动区域图案、第一鳍切割图案及第二鳍切割图案，其中每个主动区域图案对应于单个或两个鳍结构。选自由第一鳍切割图案及第二鳍切割图案组成的群组的至少一个图案具有非矩形形状。布局通过添加一或多个虚设主动区域图案并且通过将至少一个图案改变为矩形图案来修改。根据包括主动区域图案及虚设主动区域图案的修改布局形成基部鳍结构。根据第一鳍切割图案的修改布局及第二鳍切割图案的修改布局的一个移除基部鳍结构的部分。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法-CN201710383479.5有效
发明人：陈龙羿;林新钦;朱嘉鸿;曾云亨;苏香宇;陈开雄;王育青;郑博中;张岐康;傅士奇;陈桂顺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。
半导体装置及其制造方法覆盖误差测量方法

[发明专利]用于集成电路图案化的方法-CN201610663305.X有效
发明人：杨宗潾;陈华丰;陈桂顺;谢旻谚;李勃学;傅士奇;龙元祥;蔡晏佐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种图案化衬底的方法包括在衬底上方形成硬掩模层；在硬掩模层上方形成第一材料层；以及在第一材料层中形成沟槽。方法进一步包括使用离子束通过沟槽蚀刻处理硬掩模层。对于蚀刻工艺而言，降低硬掩模层的被处理的部分的蚀刻速率同时对于蚀刻工艺而言硬掩模层的未被处理的部分的蚀刻速率保持大致不变。在处理硬掩模层之后，方法进一步包括使用蚀刻工艺去除第一材料层和去除硬掩模层的未处理的部分，从而在衬底上方形成硬掩模。方法进一步包括使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻衬底。本发明实施例涉及用于集成电路图案化的方法。
用于集成电路图案方法

[发明专利]存储器装置-CN201610846581.X有效
发明人：陈芳;廖忠志;傅士奇;梁铭彰;崔壬汾;陈炎辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，包括一静态随机存取存储器(SRAM)阵列以及邻接SRAM阵列的一SRAM边缘单元区域。SRAM阵列以及SRAM边缘单元区域的组合是包括具有一均匀节距的第一栅极电极。一字元线驱动器是邻接于SRAM边缘单元区域。字元线驱动器包括第二栅极电极，以及第一栅极电极的纵向方向是与对应的第二栅极电极的纵向方向对齐。本公开通过将SRAM边缘单元区域(或者SRAM阵列)与字元线驱动器以及输入输出区块邻接，即移除于常规SRAM电路中所采用介于上述区域之间之的间距，因此可减少由整个SRAM电路所占据之的晶片区域。除此之外，通过于区域/电路中形成栅极电极使其具有一均匀节距，以减少形成闸极栅极电极时之的图案负载效应，使得SRAM电路具有更一致的性能。
存储器装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201610916999.3有效
发明人：黄正仪;江庭玮;傅士奇;郑胜方;杨荣展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底和鳍。鳍形成在衬底的第一区域和第二区域上。第一区域包括第一凹槽。相对于第一区域定位第二区域。第一凹槽设置在第一区域的侧部处，并且面向第二区域。第一凹槽在第二区域的侧部上的投影区域基本平坦。本发明的实施例还提供了一种半导体器件的形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种智能捕虫防虫系统及装置-CN201821898630.5有效
发明人：蔡秉熙;傅士奇 -专利权人：昆山驭崴精密电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： A01M1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能捕虫防虫系统及装置，包括捕虫装置，用于诱引和捕捉害虫；监控系统，设置在捕虫装置内并与通讯终端相连，用以对环境及捕虫情况监控；通讯终端，用于接收和判断监控系统的监控情况，并作出虫害预防判断；环境调节装置，与监控系统相连，用以调节环境温度。一种智能捕虫防虫系统可实现高效捕虫和环境分析及防止诊断抑制害虫滋生，防治效果强，且捕虫设备的诱虫光源诱虫效果更强，且避免灯光对人体直射，避免对人体产生伤害，捕虫设备结构更加简单，使用方便。
捕虫监控系统防虫系统及装置捕虫设备捕虫装置通讯终端智能害虫环境调节装置本实用新型虫害预防环境分析诱虫光源监控直射诱虫捕捉灯光诊断防治伤害

[发明专利]用于芯轴和间隔件图案化的方法和结构-CN201510982705.2有效
发明人：王崇铭;彭志雄;张岐康;陈桂顺;傅士奇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括接收集成电路设计布局，该集成电路设计布局包括分隔开第一间隔的第一布局块和第二布局块。第一布局块和第二布局块分别包括在第一方向上纵向定向的第一线图案和第二线图案。该方法还包括向第一间隔添加伪图案，该伪图案连接第一线图案和第二线图案。该方法还包括输出计算机可读格式的芯轴图案布局和切割图案布局。该芯轴图案布局包括第一线图案和第二线图案以及伪图案。该切割图案布局包括对应于第一间隔的图案。在实施例中，该方法还包括制造具有芯轴图案布局的第一掩模和制造具有切割图案布局的第二掩模。在实施例中，该方法还包括用第一掩模和第二掩模图案化衬底。本发明的实施例还涉及用于芯轴和间隔件图案化的方法和结构。
用于间隔图案方法结构

[发明专利]一种智能捕虫防虫系统-CN201811373185.5在审
发明人：蔡秉熙;傅士奇 -专利权人：昆山驭崴精密电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： A01M1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能捕虫防虫系统，包括捕虫装置，用于诱引和捕捉害虫；监控系统，设置在捕虫装置内并与通讯终端相连，用以对环境及捕虫情况监控；通讯终端，用于接收和判断监控系统的监控情况，并作出虫害预防判断；环境调节装置，与监控系统相连，用以调节环境温度。一种智能捕虫防虫系统可实现高效捕虫和环境分析及防止诊断抑制害虫滋生，防治效果强，且捕虫设备的诱虫光源诱虫效果更强，且避免灯光对人体直射，避免对人体产生伤害，捕虫设备结构更加简单，使用方便。
捕虫监控系统防虫捕虫设备捕虫装置通讯终端智能害虫环境调节装置虫害预防环境分析诱虫光源监控直射诱虫捕捉灯光诊断防治伤害

[发明专利]图像器件及其形成方法-CN201210458903.5有效
发明人：吕文祯;郭景森;傅士奇;谢明颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了图像器件及其形成方法。一种形成图像传感器器件的方法包括在衬底上方形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层具有位于外围区中的多个第一开口和位于像素区中的多个第二开口。在像素区上方形成第一图案化掩模层从而暴露出外围区。在外围区中的衬底内蚀刻出多个第一沟槽。用介电材料填充每个第一沟槽、每个第一开口和每个第二开口。在外围区上方形成第二图案化掩模层从而暴露像素区。去除位于像素区上方的每个第二开口中的介电材料。通过每个第二开口注入多种掺杂物以在像素区中形成各种掺杂隔离部件。
图像器件及其形成方法

[发明专利]制备自我对准隔离区的方法-CN201110199311.1有效
发明人： 傅士奇;曾凯;吕文祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明是有关于一种制备自我对准隔离区的方法，其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二个邻近感测元件间，以降低邻近感测元件间的串音(Cross-talk)(或散辉现象(Blooming))。此些方法使用氧化物植入掩膜，来形成深掺杂区且也形成浅掺杂区。在一些实施例中，浅掺杂区较窄，并且是藉由沉积共形的介电层在氧化物植入掩膜上方，来窄化用以植入的开口而形成。
制备自我对准隔离方法

[发明专利]半导体制造中的测量方法-CN201010128086.8有效
发明人：许家豪;傅士奇;许峰嘉;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/71 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面和背面的器件衬底，器件衬底具有第一折射率，在器件衬底的正面之上形成嵌入靶，在嵌入靶之上形成反射层，在器件衬底的背面之上形成介质层，介质层具有小于第一折射率的第二折射率，从背面投射辐射穿过介质层和器件衬底，从而为半导体加工检测嵌入靶。
半导体制造中的测量方法

[发明专利]半导体装置及影像感测装置-CN200810135288.8有效
发明人：谢元智;刘世昌;傅士奇;许慈轩;喻中一;萧国裕;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介电层中的一接合垫，接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。
半导体装置影像

[实用新型]电连接器-CN200820132613.0有效
发明人： 傅士奇 -专利权人：贝尔威勒电子股份有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01R12/16 文献下载
摘要：一种电连接器，设置于第一电路板上供两侧缘有凹卡部的第二电路板插置，第二电路板通过电连接器与第一电路板电连接，包括绝缘本体及两金属件，绝缘本体上设有端子并具有两侧架，两金属件各箝设于侧架上，第一方向弹性臂侧缘底部连设垂直于第一方向的第二方向弹性臂，第一方向弹性臂在远离第二方向弹性臂另一侧缘端部弯设锁扣部，第二方向弹性臂对应锁扣部凸设压抵部，将第二电路板两侧缘沿着两金属件插入绝缘本体的端子作定位，锁扣部锁扣于第二电路板侧缘凹卡部并抵止于凹卡部侧缘定位，压抵部压抵于凹卡部底缘部位，防止第二电路板的上下、左右震动，压抵部抵止于凹卡部侧缘，防止第二电路板前后震动，确保第二电路板插置稳固、导通确实。
连接器

[实用新型]电连接器-CN200820003164.X有效
发明人： 傅士奇;周芝福 -专利权人：贝尔威勒电子股份有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01R12/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电连接器，包括有一绝缘壳体、多数根第一端子与第二端子，以及一卡座，绝缘壳体具有上、下两排相互错开且可供第二端子与第一端子穿置的端子插槽，特别是在绝缘壳体后侧端面凸设有一挡垣，且上排的端子插槽一端并延伸至挡垣底面，而第一、二端子的焊接部均位于绝缘壳体的同侧端面处，第一端子的焊接部并形成向下垂直延伸而能用以插接于电路板上，其顶缘并位于挡垣下方，以防止第一端子未准确插接时会受到电路板顶抵而向上挠曲变形，同时电连接器的面积及组合于电路板上后的整体高度均能有效缩小。
连接器

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