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[发明专利]一种光刻遮罩及其制备方法、光刻装置和光刻方法-CN202310731018.8在审
发明人：肖根音;李晓军 -专利权人：广纳四维（广东）光电科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻遮罩及其制备方法、光刻装置和光刻方法，其中，光刻遮罩包括：遮罩薄片和透明基体，遮罩薄片包括多个第一定位孔，透明基体包括与第一定位孔数量相适应的多个第二定位孔，第一定位孔和第二定位孔位置相对应，以定位遮罩薄片在透明基体上的位置；还包括：透明粘合剂，透明粘合剂涂覆于透明基体或遮罩薄片上，用于透明基体与遮罩薄片的粘合固定；其中，遮罩薄片设置有镂空的第一图形，透明基体设置有与第一图形形状相同且位置对应的镂空的第二图形，第一图形的轮廓线位于第二图形的轮廓线以内，第一图形的形状为曝光图形的外轮廓线形成的形状。从而，可以保证薄片表面平整和光滑，并且不会轻易刮伤光刻板。
一种光刻及其制备方法装置

[发明专利]光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法-CN201880031374.6有效
发明人：桥本雅广;内田真理子 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供一种光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法，在进行EB缺陷修正的情况下能够抑制透光性基板的表面粗糙的发生并且能够抑制在遮光膜的图案中发生自发性蚀刻。在透光性基板上具备用于形成转印图案的遮光膜，遮光膜通过由硅元素和氮元素组成的材料形成或者通过进一步包含从准金属元素和非金属元素中选择的一种以上的元素的材料形成，将除了遮光膜的与透光性基板的界面的附近区域和遮光膜的与透光性基板位于相反侧的表层区域之外的内部区域中的Si3N4结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合(其中，b/[a+b]＜4/7)以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.04以下，将遮光膜的内部区域中的SiaNb结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.1以上。
基底用光制造方法以及半导体设备

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法-CN202280010746.3在审
发明人：宍户博明;野泽顺 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供图案形成用薄膜表面的微小缺陷较少的掩模坯料。掩模坯料在基板上具备图案形成用薄膜。图案形成用薄膜是含有铬与氮的单层膜、或者包含含有铬与氮的氮化铬系层的多层膜。对于图案形成用薄膜的表面，设定以基板的中心为基准的一边为1μm的四边形的内侧区域即中央区域，在该中央区域测定算术平均粗糙度Sa与最大高度Sz时，Sa为1.0nm以下，并且Sz/Sa为14以下。
坯料转印用掩模制造方法以及半导体器件

[发明专利]显示装置制造用光掩模以及显示装置的制造方法-CN201810208726.2有效
发明人：今敷修久 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种在显示装置的制造所应用的曝光条件下，能够兼顾优异的分辨性与生产效率的光掩模。光掩模所具备的转印用图案是用于在被转印体上形成孔的孔图案，其具有露出透明基板的直径W1的透光部；包围透光部的宽度R的遮光缘部；以及包围遮光缘部的相移部。相移部与透光部的相对于曝光用光的代表波长的光的相位差为大致180度。在透射位于透光部的一侧的相移部的曝光用光形成于被转印体上的光强度分布中，从相移部与遮光缘部的边界位置朝向遮光缘部侧，将直至第一波谷的最小值点B1的距离设为d1，将直至第二波谷的最小值点B2的距离设为d2，此时，满足(d1－0.5×W1)≤R≤(d2－0.5×W1)的条件。
显示装置制造用光以及方法

[发明专利]一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法-CN201911330390.8有效
发明人：贾宜訸;丁向前;张小祥;韩皓;杨连捷;宋勇志;庞妍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，该掩膜版包括：基板、以及在基板上形成的透光区域和非透光区域；非透光区域中，在基板上顺次设置有第一氧化膜层、遮光层和第二氧化膜层；第一氧化膜层用于对入射光经由基板反射后的反射光进行干涉相消，第二氧化膜层用于对待曝光板卡的反射光进行干涉相消。可见，本方案中，通过两层氧化膜层对反射光进行干涉相消，减少了反射的杂质光，能够提高曝光精度。此外，两层氧化膜层吸收部分反射光，进一步减少了反射的杂质光，能够进一步提高曝光精度。
一种掩膜版系统制备光刻方法

[发明专利]掩膜版及显示面板-CN202310379059.5在审
发明人：盛永健;李荣荣 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本申请提供了掩膜版及显示面板，掩膜版包括衬底和在衬底上依次层叠设置的第一电极层、电致变色层和第二电极层，电致变色层与第一电极层和第二电极层均分别电连接，电致变色层包括阵列排布的多个电致变色单元，通过使电致变色单元的材料至少包括金属有机框架材料，电致变色单元被配置为在第一电极层和第二电极层的电压差的控制下能够改变掩膜版的透过率，即可以通过控制第一电极层和第二电极层的电压差使得电致变色单元的透过率在0‑100％之间调整，以通过改变阵列排布的多个电致变色单元的透过率，以通过同一掩膜版实现不同图案，使得掩膜版适用于多种场景；且可以节省物料成本，也可缩短产品开发时程、开发成本等，增强产品的竞争力。
掩膜版显示面板

[发明专利]形成半球形光刻胶形貌的灰度掩模版-CN202310411542.7在审
发明人：张雪;王辉;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半球形光刻胶形貌的灰度掩模版，包括掩膜版，掩膜版上设置有多个正方形图形，正方形图形作为第一透光区，掩膜版上的其他区域作为第二透光区，第一透光区用于定义光刻胶的去除区域，第二透光区用于定义光刻胶的保留区域；其中，正方形图形组成方形孔结构阵列；掩膜版自中心至边缘的正方形图形的尺寸依次增大。本发明通过掩模版的设计排布，可以自由控制光刻胶的形貌结构，进而得到一定的刻蚀形貌，对CIS等器件的特性增强有一定的辅助作用。
形成半球形光刻形貌灰度模版

[发明专利]一种适用于UV-NIL技术的掩模板、及其制备方法和应用-CN202310148509.X在审
发明人：向诗力;柳俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明涉及纳米压印领域，具体涉及一种适用于紫外‑纳米压印技术(UV‑NIL)的掩模板、及其制备方法和应用。该掩模板，包括透明基板、位于透明基板上的凸起及位于凸起之间的凹槽，所述凹槽与预设图形相对应，所述凸起顶部及凸起周边覆盖有遮光层。该掩膜板结构简单，通过两次沉积遮光层即可制备得到；该掩模板因其凸起部位侧面能够避免曝光，压印过程中近邻侧面的光刻胶层随厚度深入，固化程度逐渐下降，控制显影时间，即可得到易于剥离(liff‑off)的底切(undercut)结构。
一种适用于 uv nil 技术模板及其制备方法应用

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180064457.7在审
发明人：松井一晃;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧减少，第2材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧增加。第1材料群为Te、Co、Ni、Pt、Ag、Sn、In、Cu、Zn、Bi、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物，第2材料群为Ta、Cr、Al、Si、Ru、Mo、Zr、Ti、Zn、In、V、Hf、Nb、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]一种改善PCB曝光干膜碎工艺-CN202211589254.2在审
发明人：陈泽和;蔡海燕;李显刚 -专利权人：益阳市明正宏电子有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种改善PCB曝光干膜碎工艺，包括以下步骤：S1：采用一面菲林为1.5mm的实心圆点，一面菲林为2.7mm的孔环，这样在CCD曝光机上才能识别并对位；S2：在曝光前，靶标菲林位置贴上黄色遮光胶带；S3：显影时，由于在曝光过程中，两面均有实心图形遮光，没有产生光学聚合反应，均可与显影药水反应，全部显影掉，S2中贴黄色遮光胶带时需要使用到辅助装置，辅助装置包括固定柱，固定柱的内部开设有固定腔，固定柱的顶部固定安装有把手，固定腔的内部开设有移动柱。本发明提供的一种改善PCB曝光干膜碎工艺，通过增加干膜靶标遮光工艺，在曝光过程中，靶孔干膜由于遮光，不产生光学聚合反应，全部可以显影掉，从而改善干膜的产生。
一种改善 pcb 曝光干膜碎工艺

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN202310002958.3在审
发明人：谷口和丈;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法-CN202010109639.9有效
发明人：范聪聪 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法，所述掩膜版包括至少一图形组，每一所述图形组包括至少一透光区和至少一遮挡区，所述透光区和所述遮挡区间隔排列，经过曝光后，每一所述图形组在晶圆上形成一独立标记。本发明的优点在于，根据所述掩膜版在晶圆上形成的独立标记具有与所述掩膜版的图形轮廓形状相同的形状，不会出现图案缺陷，提高了在晶圆上形成的独立标记图形的准确度，进而提高了半导体光刻工艺的对准精度及半导体制程的后续工艺中叠对准确性，提高产品质量和良率。
应用于半导体光刻工艺中的掩膜版方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法-CN202180049300.7在审
发明人：宍户博明;野泽顺 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。
坯料转印用掩模制造方法半导体器件

[发明专利]光掩模坯以及光掩模的制备方法-CN201710120181.5有效
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。
光掩模坯以及光掩模制备方法

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模制造方法及显示装置制造方法-CN201711295074.2有效
发明人：坪井诚治;浅川敬司;中村伊都;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
相移坯料制造方法显示装置

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