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- [发明专利]无抗蚀剂图案化掩模-CN202010254819.6有效
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M·克里斯塔;S·阿米尼
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IMEC 非营利协会;鲁汶天主教大学
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2020-04-02
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2023-09-08
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G03F1/76
- 本发明涉及无抗蚀剂图案化掩模以及一种在待图案化层(100)上形成图案化掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在待图案化层(100)上提供碳基层(200)；(b)用含卤素基团(400)使碳基层(200)的顶表面(300)官能化；(c)通过以图案化方式使顶表面(300)暴露于能源来部分去除含卤素基团(400)，从而形成包括第一区域(510)和第二区域(520)的图案，所述第一区域具有使表面官能化的含卤素基团(400)，所述第二区域(520)没有使表面官能化的含卤素基团(400)；以及(d)相对于第一区域(510)，在第二区域(520)上选择性形成金属、金属氧化物或金属氮化物(600)。
- 无抗蚀剂图案化掩模
- [发明专利]磁性多数决定门-CN201710762608.1有效
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A·韦塞;M·曼弗里尼
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IMEC 非营利协会;鲁汶天主教大学
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2017-08-30
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2023-07-25
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H03K19/23
- 本公开涉及磁性多数决定门器件(1)，其包括磁性传播层(2)和至少一个输入换能器(6)。磁性传播层(2)包括多个磁总线，用于沿磁总线的纵向方向引导传播磁畴壁。多个磁总线包括具有用于接收相应的输入磁畴壁的相应输入站点的多个输入磁总线(4)。至少一个输入换能器(6)被适配成用于将数字输入信号转换为相应输入站点处的输入磁畴壁，从而该输入磁畴壁的磁化状态对应于数字输入电信号的数字逻辑状态。输入换能器(6)还被适配成用于在数字逻辑状态是预定数字逻辑状态的情况下将面内电流注入到输入磁总线中。磁性传播层(2)包括中心区域(3)，磁总线汇聚于此并且在此结合在一起诸如以允许输入磁畴壁的交互。中心区域(3)包括至少一个磁约束(8)，用于局部限制传播磁畴壁的传播路径。
- 磁性多数决定
- [发明专利]内联磁畴壁注入-CN201711092102.0有效
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A·韦塞
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IMEC 非营利协会;鲁汶天主教大学
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2017-11-08
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2023-07-25
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G11C11/02
- 本发明涉及一种用于生成沿输出磁性总线传播的磁畴壁流的方法(100)。该方法包括提供(101)一种包括磁传播层的设备(10)。该层包括多条磁性总线，包括用于引导传播磁畴壁的输出磁性总线。该层还包括多条磁性总线在其中汇聚并被接合在一起的中央区域(15)。多条磁性总线包括至少第一(11)和第二(12)磁性总线，第一和第二磁性总线具有彼此相反的磁化取向使得将相反的磁化状态分隔的磁畴壁(16)被围住在凸区域(15)中。该方法还包括通过将自旋轨道和/或转移扭矩施加(106)到经围住的磁畴壁(16)以交替(107)两个稳定配置之间的经围住的磁畴壁(16)来生成(105)沿输出磁性总线(13)传播的磁畴壁流，其中每个稳定配置对应于其中输出磁性总线被接合到中央区域(15)的至少一个区域中的输出磁性总线(13)的不同磁化状态。
- 内联磁畴壁注入
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