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[发明专利]空白掩模、光掩模以及半导体器件制造方法-CN202211696155.4在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;金泰完;申仁均 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本说明书的一个实施例的空白掩模包括：透光性基板；以及遮光膜，位于所述透光性基板上。遮光膜包括：第一遮光层，以及第二遮光层，位于所述第一遮光层上。第二遮光层包含过渡金属，还包含氧及氮中至少一种。遮光膜表面在1μm‑1以上且10μm‑1以下的空间频率下的功率谱密度为18nm4以上且50nm4以下的值。所述遮光膜表面在1μm‑1以上且10μm‑1以下的空间频率下的功率谱密度的最小值为18nm4以上且小于40nm4。遮光膜表面的Rq值为0.25nm以上且0.55nm以下。所述Rq值是由ISO_4287评价的值。
空白光掩模以及半导体器件制造方法

[发明专利]空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法-CN202211472819.9在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮光膜的边缘相距20mm，上述中心测定区域和边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1‑1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：第1‑1式：Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。
空白掩模成膜装置制造方法

[发明专利]层叠体的制造方法及层叠体-CN202211523497.6在审
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本实施方式涉及层叠体的制造方法及层叠体等，层叠体的制造方法包括：准备步骤，准备处理对象，处理对象是设置有遮光膜的处理前的层叠体，以及碳酸水清洗步骤，通过针对处理对象适用施加紫外线和碳酸水的碳酸水清洗过程来准备清洗过的层叠体；其中，遮光膜包含过渡金属，还包含氧、氮或碳，层叠体具有用离子色谱法测定的残留离子含量，残留离子包括硫基离子和硝酸基离子，硫基离子含量大于0ng/cm2且小于等于0.1ng/cm2，硝酸基离子的含量大于0ng/cm2且小于等于0.1ng/cm2。本实施方式可以在最大限度地减少层叠体的性能变化，除去存在于层叠体的外表面或表面的颗粒等，有效地抑制曝光过程中产生的意料之外的雾度。
层叠制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法-CN202211556081.4在审
发明人：李亨周;金圭勋;李乾坤;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20％且小于等于40％。第二遮光层的硬度大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa。在这种情况下，在对遮光膜的表面进行高灵敏度缺陷检测时，可以提高缺陷检测的准确性，并且可以有效抑制图案化过程中的颗粒的产生。
空白光掩模半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩膜用层叠体、其制造方法及空白掩模制造用层叠体-CN202211428437.6在审
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：提供一种空白掩模用层叠体及其制造方法，上述空白掩模用层叠体包括：透光层，以及相移膜，设置在上述透光层上；通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子包含浓度为0ng/cm2以上且0.05ng/cm2以下的硫酸离子、浓度为0ng/cm2以上且0.5ng/cm2以下的氮氧化物离子及浓度为0ng/cm2以上且5ng/cm2以下的铵离子中的至少一种，上述残留离子浓度的总和超过0。
空白掩膜用层叠制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202211312498.6在审
发明人：郑珉交;孙晟熏;金星润;李乾坤;崔石荣;李亨周;曹河铉;金泰完;金修衒;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在所述透光基板上的多层遮光膜。多层遮光膜包括过渡金属、氧以及氮中的至少一种。多层遮光膜包括第一遮光膜和配置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜。多层遮光膜包括通过以所述多层遮光膜的上表面为基准横向三等分且纵向三等分来形成的总共九个多层遮光膜部分。多层遮光膜的分别在总共九个多层遮光膜区域测定的粗糙度差值的平均值为3nm以下。在这种情况下，当实施增强清洗时，多层遮光膜能够在整个区域对清洗溶液具有优异的耐久性。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202211312497.1在审
发明人：孙晟熏;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;金星润;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在透光基板的多层遮光膜。多层遮光膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。式1中的多层遮光膜的EA值为2nm2以下：[式1]EA＝(BC‑AC)/2。BC值是在清洗前测定的多层遮光膜的截面面积。AC值是将空白掩模在SC‑1溶液中浸渍800秒并用臭氧水冲洗后测定的多层遮光膜的截面面积。SC‑1溶液是包含14.3重量％的NH4OH、14.3重量％的H2O2及71.4重量％的H2O的溶液。臭氧水是超纯水为溶剂且含有20ppm臭氧的溶液。由此，能够进一步提高在增强清洗过程中多层遮光膜对清洗溶液的耐久性。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法-CN202211223563.8在审
发明人：李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧和氮中的至少一种。当用波长为193nm的光测量十次遮光膜的光密度时，测得的光密度值的标准偏差小于等于0.009。从测得的光密度值中的最大值减去最小值所得的值小于0.03。遮光膜表面的Rsk值大于等于‑2且小于等于0.1。在这种情况下，可以对空白掩模的遮光膜进行准确度得到提升的光学特性测量和缺陷检测。
空白光掩模半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩模用基板、其清洗方法及包括其的空白掩模-CN202210974545.7在审
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均;李亨周 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本实施方式涉及一种空白掩模用基板的清洗方法，其包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光，所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。所述空白掩模用基板的清洗方法能够有效地去除残留在基板表面而引起雾度的离子等。
空白掩模用基板清洗方法包括

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模及半导体器件的制造方法-CN202211047392.8在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：根据本实施方式的空白掩模，其包括：透光基板；以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。用二碘甲烷(Diiodomethane)测量的所述遮光膜的接触角为40°以上且45°以下。所述遮光膜的表面的Rsk值为‑1以上且0以下，所述遮光膜的表面的Rku值为7以下。所述空白掩模能够容易实现使用清洗溶液的遮光膜表面的清洗，并且在涂布抗蚀剂膜时能够与抗蚀剂膜之间具有稳定的附着力。
空白使用光掩模半导体器件制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法-CN202210817413.3在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面包括将上述遮光膜表面横纵三等分切割而形成的九个区域。遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值，上述Rsk值的平均值为‑0.64以上且0以下，遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rku值，上述Rku值的平均值为3以下。上述空白掩模等通过在遮光膜的表面适用有效地抑制疑似缺陷形成的遮光膜来在高灵敏度缺陷检查时能够容易地进行缺陷判定。
空白光掩模以及半导体器件制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202210641897.0在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。根据下述式1‑1的遮光膜的SA1值为60mN/m至90mN/m。[式1‑1]SA1＝γSL×tanθ。在上述式1‑1中，所述γSL是所述遮光膜和纯水(pure water)之间的界面能，所述θ是用纯水测量的所述遮光膜的接触角。所述空白掩模等在用清洗溶液清洗遮光膜时具有优异的清洗效果。另外，能够有效地抑制遮光膜被清洗之后残留的清洗溶液损伤。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202210553251.7在审
发明人：李乾坤;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;孙晟熏;郑珉交 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。遮光膜包括第一遮光层和配置在所述第一遮光层上的第二遮光层。下述式1中的遮光膜的Rd值为0.4至0.8。[式1]Rd＝er2/er1。在上述式1中，所述er1值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第一遮光层的蚀刻速度。所述er2值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第二遮光层的蚀刻速度。根据本发明的空白掩模，在对遮光膜进行图案化时能够有效地抑制图案的分辨率低下。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法-CN202210433715.0在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：实施例涉及光掩模坯、光掩模、半导体器件的制造方法等，提供光掩模坯等，上述光掩模坯包括：透光基板，以及多层的遮光膜，配置于上述透光基板上；上述遮光膜包括：第一遮光层，具有第一硬度，以及第二遮光层，具有第二硬度；上述第一遮光层配置成比上述第二遮光层更接近上述透光基板，上述第一硬度为大于上述第二硬度的值。实施例的光掩模坯、光掩模等具有提高的耐缺陷性能，在半导体器件的制造方法中，通过高的精密度进一步减少缺陷的产生。
光掩模坯光掩模半导体器件制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法-CN202210449936.7在审
发明人：李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面的下述第一式的Mtr值为6以下：[第一式]Mtr＝|Rsk|×Rku。在上述第一式中，上述|Rsk|是Rsk值的绝对值。如上所述的空白掩模等可以提高在涂布抗蚀剂时抗蚀膜之间的附着力，且在去除抗蚀图案时可有效地去除残留在遮光膜表面上的抗蚀剂的量。
空白光掩模制备方法

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