[发明专利]具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一P型阱区和与所述第一P型阱区不对称的第二P型阱区，每个阱区均形成在半导体衬底中；

形成在所述半导体衬底上的栅极绝缘层和栅电极；

形成在所述栅电极的相应侧的第一N型源极/漏极区和第二N型源极/漏极区；以及

N型轻扩散漏极区，其相对于所述栅电极不对称地形成并且从所述第二N型源极/漏极区延伸，

其中，所述第二P型阱区包围所述第二N型源极/漏极区和所述N型轻扩散漏极区，并且

其中，所述第一N型源极/漏极区接触所述第二P型阱区和所述半导体衬底的与所述第二P型阱区相邻的区域两者。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一P型体区，其被形成为与所述第一N型源极/漏极区间隔开并且在所述第一P型阱区内；

第二P型体区，其被形成为与所述第二N型源极/漏极区间隔开并且在所述第二P型阱区内；

第一沟槽，其形成在所述第一N型源极/漏极区与所述第一P型体区之间；以及

第二沟槽，其形成在所述第二N型源极/漏极区与所述第二P型体区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一间隔件，其被形成为与所述第一N型源极/漏极区交叠；以及

第二间隔件，其被形成为与所述第二N型源极/漏极区交叠。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第二P型阱区被形成为与所述第一沟槽间隔开。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第二P型阱区的边缘不延伸超过所述第一间隔件的外边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述N型轻扩散漏极区没有形成在所述第一N型源极/漏极区中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二P型阱区部分地包围所述第一N型源极/漏极区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二P型阱区的横截面积不同于所述第一P型阱区的横截面积。

9.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅极绝缘层和栅电极；

在所述衬底和所述栅电极上形成光致抗蚀剂；

通过对所述光致抗蚀剂进行图案化来形成暴露所述栅电极的一部分的非对称掩模图案；

通过执行穿过所述栅电极的暴露部分的第一注入、使用所述非对称掩模图案来在所述衬底中形成非对称P型阱区；

通过使用所述非对称掩模图案作为掩模而执行第二注入，在所述非对称P型阱区中形成N型非对称轻扩散漏极区；以及

在所述衬底上的所述栅电极的相应侧形成第一N型源极/漏极区和第二N型源极/漏极区；以及

其中，所述第二N型源极/漏极区被形成为与所述N型非对称轻扩散漏极区接触，并且

其中，所述非对称P型阱区被形成为包围所述第二N型源极/漏极区且不包围所述第一N型源极/漏极区。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第二注入是成角度注入，在所述成角度注入中，注入角度相对于所述衬底的上表面倾斜。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

形成与所述第一N型源极/漏极区交叠的第一间隔件；以及

形成与所述第二N型源极/漏极区交叠的第二间隔件，

其中，所述非对称P型阱区的边缘不超过所述第一间隔件的外边缘。

12.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述N型非对称轻扩散漏极区没有形成为与所述第一N型源极/漏极区接触。