[发明专利]一种防击穿的半导体器件在审
| 申请号： | 201711309721.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107845671A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 罗艳 | 申请（专利权）人： | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种防击穿的半导体器件，其特征在于，包括：
P型衬底；
隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；
N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；
P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；
N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；
源极，所述源极位于所述P型阱上；
漏极，所述漏极位于所述N型阱上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述N型硅层上，所述绝缘层内具有多晶硅场板和位于多晶硅场板两侧的栅极，所述栅极通过跨设在多晶硅场板上方的多晶硅桥连接；
第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述绝缘层、P型阱和N型阱；
金属场板，所述金属场板跨设在所述栅极上，所述金属场板的截面形状为中间高两边低的阶梯形；
第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层和金属场板之间；
其中，所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上；所述第二介质层的介电常数大于4。
2.根据权利要求1所述的防击穿的半导体器件，其特征在于，所述栅极和多晶硅场板设于所述氧化层上表面。
3.根据权利要求2所述的防击穿的半导体器件，其特征在于，所述栅极与多晶硅场板的间距为2微米。
4.根据权利要求1所述的防击穿的半导体器件，其特征在于，所述栅极的截面形状为T形。
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