[发明专利]一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

权利要求书

1.一种射频功率半导体器件的金属互联结构，是在半导体基片(1)上设置电极(2)，电极(2)的中间设有金属互联层(4)，半导体基片(1)之上及电极(2)和金属互联层(4)以外的区域设有介质层(3)，介质层(3)之上和金属互联层(4)的边缘及侧壁设有钝化层(5)，其特征在于：

金属互联层(4)，采用由下向上依次由Ti界面层(41)、Cu导电层(42)和W保护层(43)组成的金属堆栈结构。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于Ti界面层(41)的厚度为10nm～20nm。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于Cu导电层(42)的厚度为100nm～200nm。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于W保护层(43)的厚度为10nm～30nm。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于介质层(3)采用SiN或SiO₂介质层，其厚度为200nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于钝化层(5)采用SiN或SiO₂钝化层，其厚度为100nm～200nm。

7.一种射频功率半导体器件的金属互联结构的制作方法，包括如下步骤：

1)在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上，利用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺生长200～300nm的SiN或SiO₂介质层；

2)在介质层上光刻金属互联开孔区，并利用感应耦合等离子体ICP工艺刻蚀掉互联开孔区的介质层；

3)在金属互联开孔区的电极和未开孔刻蚀的介质层上对金属互联区域进行光刻；

4)在金属互连区域外的光刻胶上以及金属互连区域内的电极和介质层上利用磁控溅射工艺依次淀积10～20nm的Ti界面层、100～200nm的Cu导电层和10～30nm的W保护层；

5)对完成金属淀积的样品进行剥离，以移除金属互联层区域外的互联金属、光刻胶和剥离胶；

6)在金属互联层和介质层上，利用等离子增强化学气相沉积PECVD工艺生长100nm～200nm的SiN或SiO₂钝化层；

7)在钝化层上光刻引线区域，利用感应耦合等离子体ICP工艺对该区域内的SiN钝化层进行刻蚀，刻蚀深度至W保护层，完成制作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中步骤1)和步骤6)中的等离子体增强化学气相沉积PECVD方法，其工艺条件如下：

反应气体为NH3和SiH4，

衬底温度为250℃，

反应腔室压力为600mTorr，

RF功率为22W。

9.根据权利要求7所述的方法，其中步骤2)中利用感应耦合等离子体ICP工艺刻蚀互联开孔区的介质层和步骤7)中利用感应耦合等离子体ICP工艺 刻蚀引线区的钝化层，其工艺条件如下：

反应气体为CF₄和O₂，

反应腔室压力为10mTorr，

上电极和下电极的射频功率分别为100W和10W。