[发明专利]膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置有效
申请号: | 201610525835.8 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106057667B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 白金超;郭会斌;丁向前;王静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;G03F1/76 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 制作方法 显示装置 | ||
【说明书】:
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- 本发明涉及粉末冶金技术领域,具体涉及一种金薄膜的反应离子刻蚀方法。一种金薄膜的反应离子刻蚀方法,包括以下步骤沉积薄膜;获得刻蚀掩膜;干法刻蚀。本发明提供的方法简单,易于操作,通过本发明提供的方法得带的产品结构稳定,性能优良;且本发明提供的刻蚀技术刻蚀过程简便且速率可控,适于大范围推广使用。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造