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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗菌部件-CN202180019314.4在审
发明人：伊藤优树;长友义幸;岁森悠人 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： A01N25/34 文献下载
摘要：本发明的特征在于，具有：基板(111)；基底层(112)，成膜于该基板(111)上；及铜层(113)，形成于该基底层(112)的与基板(111)相反的一侧的面上并且配置于最外表层，铜层(113)由铜或铜合金构成，基底层(112)由金属氧化物构成，基板(111)由挠性树脂材料构成。优选在实施100次曲率半径为6mm的弯曲试验后不会观察到裂纹。
抗菌部件

[发明专利]层叠结构体-CN202080074180.1在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：该层叠结构体(10)具备基材(11)和形成于该基材(11)的一面的层叠膜(20)，所述层叠膜(20)具有由Ag或Ag合金组成的Ag膜(21)和与该Ag膜(21)的一面及另一面相邻层叠的介电膜(23)，与所述Ag膜(21)相邻层叠的所述介电膜(23)中的至少一个介电膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜，所述GaTiZn氧化物膜形成于所述层叠膜(20)的最表层以外的部分。
层叠结构

[发明专利]层叠透明导电膜、层叠布线膜及层叠布线膜的制造方法-CN201780019852.7有效
发明人：中泽弘实;石井博;岁森悠人;斋藤淳;林雄二郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的层叠透明导电膜具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜，所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。
层叠透明导电布线制造方法

[发明专利]银合金溅射靶以及银合金膜-CN202080012283.5在审
发明人： 岁森悠人;野中荘平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：特征在于：含有超过1.0原子％且5.0原子％以下的范围内的镁和超过0.10原子％且2.00原子％以下的范围内的钯，剩余部分由银与不可避免的杂质构成。也可以进一步含有0.10原子％以上的金，并且金与钯的总含量在5.00原子％以下。也可以进一步含有0.01原子％以上且0.15原子％以下的范围内的钙。而且，含氧量也可以为0.010质量％以下。
合金溅射以及

[发明专利]银合金溅射靶以及银合金膜-CN202080012287.3在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：特征在于：含有1.0原子％以上且5.0原子％以下的范围内的镁和0.10原子％以上且5.00原子％以下的范围内的金，剩余部分由银与不可避免的杂质构成。并且，也可以进一步含有0.01原子％以上且0.15原子％以下的范围内的钙。而且，含氧量也可以为0.010质量％以下。
合金溅射以及

[发明专利]金属膜、以及溅射靶-CN201980076856.8在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平;小见山昌三;林雄二郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
金属膜以及溅射

[发明专利]金属膜、以及溅射靶-CN201980077161.1在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平;小见山昌三;林雄二郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明以0.10原子％以上且5.00原子％以下的范围含有Cu，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
金属膜以及溅射

[发明专利]金属膜、以及溅射靶-CN201980077191.2在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平;小见山昌三;林雄二郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明中，Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
金属膜以及溅射

[发明专利]叠层膜及Ag合金溅射靶-CN201880098094.7在审
发明人： 岁森悠人;松崎秀治;盐野一郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-10-03 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种层叠膜(10)，其具备Ag合金膜(11)以及层叠在该Ag合金膜(11)的两面的透明介电膜(12)，其特征在于，Ag合金膜(11)总计含有0.5原子％以上且8.0原子％以下范围的Sn或Ge中的至少一种以上，而且Na、K、Ba及Te的总含量为50质量ppm以下且碳含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag和不可避免的杂质构成。
叠层膜 ag 合金溅射

[发明专利]层叠反射电极膜、层叠反射电极图案及层叠反射电极图案的制造方法-CN201780018466.6有效
发明人：中泽弘实;石井博;岁森悠人;斋藤淳;林雄二郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：本发明的层叠反射电极膜具有：Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上。
层叠反射电极图案制造方法

[发明专利]层叠膜及Ag合金溅射靶-CN201980031436.8在审
发明人： 岁森悠人;野中庄平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种层叠膜(10)，其具备Ag合金膜(11)及层叠于该Ag合金膜(11)的一面或两面的透明导电氧化物膜(12)，其中，Ag合金膜(11)的组成为包含5.0原子％以上且13.0原子％以下的范围内的Ge，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，Ag合金膜(11)的膜厚在3nm以上且10nm以下的范围内。
层叠 ag 合金溅射

[发明专利]Ag合金膜及其制造方法、Ag合金溅射靶以及层叠膜-CN201680038273.2有效
发明人： 岁森悠人;盐野一郎;张守斌 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明的Ag合金膜在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下。
ag 合金及其制造方法溅射以及层叠

[发明专利]Ag合金溅射靶及Ag合金膜的制造方法-CN201680001534.3有效
发明人： 岁森悠人;小见山昌三;盐野一郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种Ag合金溅射靶，其特征在于，所述Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
ag 合金溅射制造方法

[发明专利]透明导电配线及透明导电配线的制造方法-CN201680002259.7有效
发明人：盐野一郎;岁森悠人;野中庄平;斋藤淳 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：该透明导电配线(10)具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜(11)及层叠于该Ag膜(11)上的透明导电氧化物膜(12)，且通过蚀刻处理形成有配线图案，所述透明导电配线(10)中，Ag膜(11)的膜厚(ta)在15nm以下的范围内，Ag膜(11)相对于透明导电氧化物膜(12)的过蚀刻量(L)为1μm以下。
透明导电制造方法

[发明专利]Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法-CN201580042235.X有效
发明人： 岁森悠人;野中荘平;松崎秀治 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的Ag合金溅射靶具有如下组分含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。并且，本发明的Ag合金膜具有如下组分含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。
ag 合金溅射制造方法

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