[发明专利]低阈值电压金属氧化物半导体

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源区，被布置于半导体衬底；

漏区，被布置于所述半导体衬底；

栅区，被布置到所述半导体衬底上，并且位于所述源区和所述漏区之间；

栅氧区，被布置在所述半导体衬底上并与所述栅区接触；以及

阱区，被植入到所述半导体衬底上并位于所述栅区和所述栅氧区的下面，

其中，所述栅氧区具有与所述阱区接触的下外沿部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅氧区包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一厚度基本上大于所述第二厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阱区包括具有第一长度的第一阱，所述第一阱与所述第一部分接触。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述阱区还包括第二阱，所述第二阱具有比所述第一长度更短的第二长度。

5.一种半导体器件，包括：

源区，被布置于半导体衬底；

漏区，被布置于所述半导体衬底；

栅区，被布置到所述半导体衬底上，并且位于所述源区与所述漏区之间；

栅氧区，被布置到所述半导体衬底上与所述栅区接触；

第一阱，被植入到所述半导体衬底上并与所述栅氧区接触，所述第一阱具有第一高度，以及

第二阱，被植入到位于浅槽隔离（STI）区下面的所述半导体衬底上，所述第二阱具有第二高度，

其中，所述第一高度比所述第二高度更大。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一阱和所述第二阱之间有衬底区，所述衬底区在所述栅氧区和包植入层以下延伸，所述包植入层与所述浅槽隔离区接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：第三阱，与所述第一阱接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一阱具有第一长度，所述第二阱具有第二长度，并且其中，所述第一长度大于所述第二长度。

9.一种半导体器件，包括：

源区，被布置于半导体衬底；

漏区，被布置于所述半导体衬底；

栅区，被布置到所述半导体衬底上，并且位于所述源区与所述漏区之间；

栅氧区，被布置在所述半导体衬底上，与所述栅区接触；

第一阱，被植入到所述半导体衬底上并与所述栅氧区接触，所述第一阱具有第一长度；

第二阱，被植入到位于第一浅槽隔离（STI）区下面的所述半导体衬底上，所述第二阱具有第二长度；以及

第三阱，被植入到位于第二浅槽隔离区下面的所述半导体衬底上，所述第三阱具有第三长度，

其中，衬底区形成于所述第一阱和所述第二阱之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括位于所述第一阱、所述第二阱、和所述第三阱下面的深阱。