[发明专利]MOS管阈值扩展电路和阈值扩展方法无效
| 申请号： | 200710072227.7 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101079618A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘莹;方倩;方振贤 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 刘娅 |
| 地址： | 150080黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS管阈值扩展电路及阈值扩展方法，电路由阈值鉴别器和反相器二部分组成，阈值鉴别器包括NMOS管G10、PMOS管G11和阈值鉴别器负载，反相器包括PMOS管G12和NMOS管G13。本发明采用参考电压Vref来调节和扩展MOS管阈值，使阈值放大、缩小和改变开启性质，能够显著提高开启分辨率，由此很容易实现T形网络扩阈型七值和任意K值门电路，以及相应触发器。本发明主要用于FPGA、CPLD、半制定或全制定ASIC和存储器等VLSI，及其它数字IC技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | mos 阈值 扩展 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOS管阈值扩展电路，其特征在于它是由阈值鉴别器和反相器二部分组成，阈值鉴别器包括NMOS管G10、PMOS管G11和阈值鉴别器负载，反相器包括PMOS管G12和NMOS管G13；阈值鉴别器中NMOS管G10和PMOS管G11的源极相接，NMOS管G10的漏极接直流电源VDD，NMOS管G10的栅极接外输入In1，PMOS管G11的栅极接外输入In2，阈值鉴别器负载接在PMOS管G11的漏极和地之间，PMOS管G11的漏极为阈值鉴别器的输出Vout1，Vout1连接到受控管GT1的栅极和反相器输入；反相器中NMOS管G13的漏极接地，PMOS管G12的漏极接另一直流电源VD，PMOS管G12和NMOS管G13的二个栅极相连接为反相器输入；PMOS管G12和NMOS管G13的二个漏极相连接为反相器的输出Vout0，Vout0连接到受控管GT0的栅极。
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- J·崔;M·格兰杰－琼斯;J·P·欧提兹 - QORVO美国公司
- 2022-11-24 - 2023-05-26 - H03K17/00
- 一种具有嵌入式衰减器的单刀双掷(SPDT)开关包含直接连接到所述SPDT开关的共同输入的发射器衰减器电路，以及直接连接到所述SPDT开关的所述共同输入的接收器衰减器电路。所述发射器衰减器电路和所述接收器衰减器电路中的开关选择性地或单独地被设置为打开状态或闭合状态，以将所述发射器衰减器电路或所述接收器衰减器电路直接连接到所述共同输入。对所述开关的状态的选择性设置还确定了所述发射器衰减器电路或所述接收器衰减器电路的给定衰减量。
- 驱动电路、触控驱动装置和电子设备-202310126453.8
- 杨明 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
- 2023-02-08 - 2023-05-19 - H03K17/00
- 本申请实施例提供一种驱动电路、触控驱动装置和电子设备。驱动电路应用于包括驱动电极的触控屏。驱动电路包括第一节点、第二节点、地节点、开关电路和储能电容。第一节点用于提供第一正电压。第二节点用于提供第一负电压。储能电容包括第一端和第二端。开关电路用于控制储能电容的第一端选择接入地节点或者驱动电极，并且控制储能电容的第二端选择接入地节点或者驱动电极。在一个时段，储能电容的第一端接收驱动电极释放的电荷。在另一个时段，储能电容的第二端利用存储的电荷对驱动电极充电。该驱动电路具有较低的驱动功耗。
- 射频切换器-202111573124.5
- 陈智圣;朱佑祥 - 立积电子股份有限公司
- 2021-12-21 - 2023-04-21 - H03K17/00
- 一种射频切换器包含天线端、用以传递第一射频信号的第一信号端、用以传递第二射频信号的第二信号端、用以传递第三射频信号的第三信号端、具有第一开关的第一串联路径、具有第二开关的第二串联路径、具有第三开关的第三串联路径、耦接于第一信号端与节点之间的第一并联路径、耦接于第二信号端与节点之间的第二并联路径、耦接于节点与第一参考电压端之间的共享路径，以及耦接于第三信号端与第二参考电压端之间的第三并联路径。第一串联路径和第二串联路径通过共享路径连接至共享的接地垫。
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