[发明专利]半导体器件和可编程的非易失性存储设备有效
| 申请号： | 201210369636.4 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103378166B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·有·志·许;尼尔·基斯特勒 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 可编程 非易失性 存储 设备 | ||
1.一种半导体器件，包括：
沟道、源极、和漏极，位于第一半导体鳍中，所述沟道位于所
述源极与所述漏极之间；
控制栅极，位于第二半导体鳍中；
浮置栅极，位于所述第一半导体鳍与所述第二半导体鳍之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括位于所述浮置栅极与所述第一半导体鳍之间的第一介电区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括位于所述浮置栅极与所述第二半导体鳍之间的第二介电区域。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体鳍位于第一介电区域与第三介电区域之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体鳍位于第二介电区域与第四介电区域之间。
6.一种可编程的非易失性存储设备，包括：
第一半导体鳍，包括第一沟道、第一源极、和第一漏极；
第二半导体鳍，包括第二沟道、第二源极、和第二漏极，所述第二半导体鳍被构造为控制栅极；
浮置栅极，位于所述第一半导体鳍与所述第二半导体鳍之间。
7.根据权利要求6所述的可编程的非易失性存储设备，包括位于邻近所述第一沟道的第一电极。
8.根据权利要求6所述的可编程的非易失性存储设备，包括位于邻近所述第二沟道的第二电极。
9.一种可编程的非易失性存储设备，包括：
第一半导体鳍，包括第一沟道、第一源极、和第一漏极；
第一电极，位于邻近所述第一沟道；
第二半导体鳍，包括第二沟道、第二源极、和第二漏极，所述第二半导体鳍被构造为控制栅极；
第二电极，位于邻近所述第二沟道；
浮置栅极，位于所述第一半导体鳍与所述第二半导体鳍之间。
10.根据权利要求9所述的可编程的非易失性存储设备，其中，所述第一电极和所述第二电极包括金属。
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