[发明专利]基于氮化物的半导体器件

权利要求书

1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

半导体层，设置在所述基底上；以及

电极结构，设置在所述半导体层上，

其中，所述电极结构包括：

第一欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触；

第二欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触，并且与所述第一欧姆电极分隔开；以及

肖特基电极单元，与所述半导体层肖特基接触，并且覆盖所述第二欧姆电极。

2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极单元具有延伸为比所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面更接近所述第一欧姆电极的延伸部，以与所述半导体层形成肖特基接触。

3.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置多个所述延伸部，并且多个所述延伸部被设置为沿所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面以预定间隔彼此分隔开。

4.根据权利要求3所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部与所述第一欧姆电极相对，所述第二欧姆电极的所述侧面具有凹凸结构，并且

所述延伸部被设置为具有所述凹凸结构的凸部。

5.根据权利要求3所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部覆盖所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面，使得所述第二欧姆电极的所述侧面被局部地暴露。

6.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一欧姆电极用作所述基于氮化物的半导体器件的阴极结构，并且所述第二欧姆电极和所述肖特基电极用作所述基于氮化物的半导体器件的阳极结构。

7.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述基底是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述半导体层包括：

下部氮化物层，使用所述基底作为籽晶层，并且生长在所述基底上；以及

上部氮化物层，使用所述下部氮化物层作为籽晶层而形成在所述下部氮化物层上，并且具有比所述下部氮化物层宽的能量带隙；

其中，在所述下部氮化物层与所述上部氮化物层之间产生二维电子气(2DEG)。

9.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

半导体层，设置在所述基底上；以及

电极结构，设置在所述半导体层上，

其中，所述电极结构包括：

阴极结构，与所述半导体层欧姆接触；以及

阳极结构，包括与所述半导体层肖特基接触的肖特基电极以及与所述半导体层欧姆接触的欧姆电极；

所述肖特基电极包括延伸为比所述欧姆电极更接近所述阴极结构的延伸部。

10.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述欧姆电极降低所述阳极结构的导通电压。

11.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置多个所述延伸部，并且多个所述延伸部被设置为沿所述欧姆电极的与所述阴极结构相对的侧面以预定间隔彼此分隔开。

12.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部覆盖所述欧姆电极的与所述阴极结构相对的侧面，使得所述欧姆电极的与所述阴极结构相对的侧面被局部地暴露。

13.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部设置在所述欧姆电极的位于所述阴极结构和所述欧姆电极之间的侧部处。

14.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述欧姆电极设置在所述半导体层的中央区域，

所述阴极结构设置在所述半导体层的边缘区域中，以围绕所述欧姆电极，并且

沿所述欧姆电极的边缘区域设置所述延伸部。

15.根据权利要求14所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置多个所述延伸部，并且多个所述延伸部被设置为沿所述欧姆电极的边缘区域以预定间隔彼此分隔开。

16.根据权利要求14所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述欧姆电极具有环形形状。

17.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述基底是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板中的至少一种。

18.根据权利要求9所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述半导体层包括：

下部氮化物层，使用所述基底作为籽晶层，并且生长在所述基底上；以及

上部氮化物层，使用所述下部氮化物层作为籽晶层而形成在所述下部氮化物层上，并且具有比所述下部氮化物层宽的能量带隙；

其中，在所述下部氮化物层与所述上部氮化物层之间产生二维电子气(2DEG)。