[发明专利]刷新操作控制电路、半导体存储器件和刷新操作控制方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年10月29日提交的韩国专利申请No.10-2010-0107186的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体存储器件。

背景技术

动态随机存储存储器(DRAM)包括多个存储器单元(memory cell)单位，其中的每个可以被配置为具有一个晶体管和一个电容，并且数据储存在电容中。但是，储存在形成于衬底上的电容中的数据可能会由于经由半导体衬底的自然泄漏而丢失。由此，DRAM执行对储存在存储器单元中的数据进行刷新的刷新操作。如果不能稳定地执行对储存在存储器单元中的数据的刷新操作，则可能损坏数据或者可能降低DRAM在读取操作方面的特性。此外，DRAM可能会发生故障。随着DRAM的集成度增加，在刷新操作中要被刷新的存储器单元的数量增加，并且可能并不能经由一个字线来刷新整个存储器单元。因此，存储体(bank)被分成了多个单元区，并且对所述多个单元区执行刷新操作。

随着半导体存储器件的高集成度的发展，设置在单个半导体存储器件中的存储器单元和信号线的数量迅速增加。为了在有限的空间内集成越来越多的存储器单元和信号线，已经降低了半导体存储器件的内部电路的临界尺寸(critical dimension)，并且逐步地降低了存储器单元的尺寸。出于这些原因，半导体存储器件的存储器单元更有可能存在缺陷。因此，在半导体存储器件内提供了用于修复有缺陷的存储器单元的冗余器件，使得尽管有这样的有缺陷的存储器单元也可以制造具有高成品率的半导体存储器件。冗余器件包括冗余存储器单元以及用于对与有缺陷的存储器单元相对应的修复地址进行编程的熔丝。

在完成半导体存储器件的制造工艺之后执行各种测试。在可以对被确定为有缺陷的存储器单元进行修复的情况下，通过用冗余存储器单元来替换有缺陷的存储器单元而对存储器单元的缺陷进行修复。也就是，在内部电路中执行编程以用冗余存储器单元的地址来替换有缺陷的存储器单元的地址。相应地，当输入与有缺陷的存储器单元相对应的地址即修复地址时，用冗余存储器单元来替换有缺陷的存储器单元。由此，半导体存储装置执行正常的操作。

下文举例来描述对被分成两个单元区的存储体进行刷新的方法，并且将描述当字线被替换时可能由刷新操作产生的问题。

图1是示出刷新操作以及与刷新操作有关的问题的方框图。

参见图1，半导体存储器件包括被分成第一单元区110和第二单元区120的存储体100。在存储体100中，第一单元区110和第二单元区120分别与上存储体和下存储体相对应。在图1中，第一信号A是激活上存储体110的字线的行激活信号，第二信号B是激活下存储体120的字线的行激活信号。

如第一操作图101所示，当输入刷新命令时，与由地址计数单元(未示出)计数的行地址相对应的字线111和121在上存储体110he下存储体120内同时被激活。也就是，当输入一次刷新命令时，上存储体110的一个字线111以及下存储体120的一个字线121被同时激活，并且与激活的字线111和121耦合的多个存储器单元被刷新。第一线111是由第一信号A激活的字线，第二线121是由第二信号B激活的字线。

上存储体110和下存储体120包括用于替换具有缺陷的字线的多个冗余字线。但是，在存储体被分成上存储体110和下存储体120并且同时对上存储体110和下存储体120执行刷新操作的情况下，上存储体110不能使用下存储体120的冗余字线，下存储体120不能使用上存储体110的冗余字线。以下将描述原因。

假设在第二操作图102中在上存储体110的一个字线111A中产生缺陷，并且由此用冗余字线121A来替换字线111A。箭头103表示在上存储体110的一个字线111A中产生缺陷并且用下存储体120的字线121A来替换字线111A。

如果输入与上存储体110的有缺陷的字线111A相对应的行地址，则由第一信号A来激活下存储体120的冗余字线121A，而由信号B来激活与行地址相对应的下存储体120的另一字线121B。也就是，如果用下存储体120的冗余字线121A来替换上存储体110的有缺陷的字线111A，则在刷新操作期间两个字线121A和121B可能同时被激活。由此，储存在与激活的字线121A和121B耦合的存储器单元中的数据被同时加载到同一位线上。换言之，两个数据被加载到一个位线上。结果是，当两个数据互不相同时，可能会产生错误。

发明内容