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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括非易失性存储单元的半导体逻辑电路-CN202280009500.4在审
发明人：龚南博;安藤崇志;G·M·科昂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。
包括非易失性存储单元半导体逻辑电路

[发明专利]随机存取存储器单元的电压模式位线预充电-CN202080017482.5在审
发明人：达努特·马内亚 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。一种电路包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压。
随机存取存储器单元电压模式位线预充电

[发明专利]内存设备及基于多层RRAM交叉阵列的数据处理方法-CN201680058624.6有效
发明人：余浩;王雨豪;赵俊峰;杨伟;肖世海;倪磊滨 -专利权人：华为技术有限公司;南洋理工大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种内存设备，该内存设备包括用于进行逻辑运算的RRAM交叉阵列，且该RRAM交叉阵列中的电阻的阻值均设置为Ron或Roff，以表示布尔值1或0。在以上设置的基础上，通过RRAM交叉阵列实现布尔运算，能够提高RRAM交叉阵列逻辑运算的可靠性。
内存设备基于多层 rram 交叉阵列数据处理方法

[发明专利]内存及存储装置-CN200910136962.9有效
发明人：陈瑞隆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：一种内存及存储装置。所述内存包括多个字符线、一第一、第二及第三位线以及多个存储单元，字符线依序平行排列，第一、第二及第三位线垂直字符线，并依序平行排列，每一存储单元对应一字符线以及一位线。每一对应到第一位线的存储单元所对应的字符线不同于对应到第二位线的存储单元所对应的字符线。由于交错排列内存内的存储单元，故可避免相邻的位线受到噪声干扰(因耦合电容所引起)。再者，也不需额外设置上拉负载。因此，可减少组件成本，亦不会增加内存的功率损耗。
内存存储装置

[发明专利]电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术-CN200810200174.7无效
发明人：于伟东;李效民;杨蕊;刘新军;王群;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法，提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻，改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结合强度等方面。针对所使用的电阻记忆薄膜的功函数，以形成肖特基接触为依据，选择主体金属材料；以可以化合/传输氧原子为依据选择客体材料。这种合金电极不仅有效地拓宽了电阻记忆薄膜制备的工艺参数范围，而且明显改善了薄膜的电阻记忆保持性和疲劳性。由于采用与现有集成电路工艺兼容的制备方法，将有利于其实际应用。
电阻随机存储器用合金电极材料及其制备技术

[发明专利]电阻存储器的激活操作方法-CN200810201662.X无效
发明人：林殷茵;万海军;尹明;周鹏;宋雅丽 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为t_f的宽脉冲电信号，其脉宽t_f大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值t_c，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
电阻存储器激活操作方法

[发明专利]一种电阻存储器的激活操作方法-CN200810201661.5无效
发明人：林殷茵;万海军;尹明;周鹏;宋雅丽 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
一种电阻存储器激活操作方法

[发明专利]存储器件-CN200610121391.8有效
发明人：八野英生;冈崎信道;荒谷胜久 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。
存储器件

[发明专利]存储设备和半导体装置-CN200610106195.3无效
发明人：八野英生;冈崎信道;荒谷胜久 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。
存储设备半导体装置

[发明专利]非易失性可变电阻器，存储器件，及其定标法-CN200310115607.6有效
发明人：田尻雅之 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：提供一种具有在进行定标以减小平面上的投影面积的情况下抑制电阻增加的结构的非易失性可变电阻器，使用非易失性可变电阻器的存储器件，和非易失性可变电阻器的定标方法。形成在衬底上的第一电极和第二电极在衬底表面的方向中彼此面对。第一电极用作内部电极，非易失性可变电阻主体形成在第一电极的外表面上，第二电极作为外部电极形成在非易失性可变电阻主体的外表面上。
非易失性可变电阻器存储器件及其定标

[发明专利]可擦式存取存贮器-CN91107453.8无效
发明人：华中一;陈国荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 1991-07-17 - 公布日： 1993-06-30 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明属电子计算机技术领域，是一种可擦除式存取存贮器(EAST)，包括电子枪、电子轰击靶和偏转器三个部分。其中电子轰击靶是一个特殊的叠层薄膜，它采用新材料金属有机络合物M1-β(TCNQ)制备获得。该器件可以有较高的存贮密度，每平方厘米中的存贮量，按5μ平面工艺，即达1兆位，以1μ平面工艺，则可达25兆位，接近光盘存贮量，而寻址速度远远高于光盘存贮器。此外，该器件工艺简单，成本低廉，材料容易获得，为计算机硬件开发开辟了新的前景。
可擦式存取存贮器

[发明专利]可擦除金属有机存贮器-CN91107454.6无效
发明人：华中一;陈国荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 1991-07-17 - 公布日： 1993-06-16 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本发明属电子计算机技术领域，是一种电擦除可编程只读存贮器(E2PROM)，由基板及其上的迭层薄膜组成。该薄膜采用新材料金属有机络合物M1-β(TCNQ)制备获得，其构成如下，在基板上依次为铝层横条、半导体层、M1-β(TCNQ)层、铝层纵条，横条与纵条的垂直结点构成存贮单元。该器件具有存贮密度高、寻址速度快的特点，并可与硅器件兼容。为计算机硬件开发开辟了新的前景。
擦除金属有机存贮器

[实用新型]电子笔记本信息转贮装置-CN91216141.8无效
发明人：王茂鑫;王静环 -专利权人：浙江大学
申请日： 1991-06-10 - 公布日： 1992-01-08 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子笔记本信息转贮装置，它包括主控制器、指示电路、可控中断信号产生电路、地址锁存器、地址数据流隔离器、数据流向控制电路、数据流向控制器、数据流向控制器开、关控制电路，读，写信号控制电路，地址数据流开启、关闭控制门、选片控制门、“被查一方”主存贮器，“查一方”的主存贮器，本实用新型是以一片8751单片计算机同时控制“被查一方”和“查一方”的主存贮器，而完全脱离原电子笔记本中的CPU控制，转贮可靠、迅速、正确，并不留任何痕迹。
电子笔记本信息装置

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