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[发明专利]用于将自旋霍尔MTJ器件嵌入逻辑处理器中的方法和所得到的结构-CN201680081230.2有效
发明人： K·J·李;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：描述了将自旋霍尔MTJ器件嵌入逻辑处理器中的方法，以及所得到的结构。在示例中，逻辑处理器包括逻辑区域，该逻辑区域包括设置在电介质层中的fin‑FET晶体管，电介质层设置在衬底上方。逻辑处理器还包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个双晶体管单磁隧道结(MTJ)自旋霍尔电极(2T1MTJ SHE)位单元。2T1MTJ SHE位单元的晶体管是设置在电介质层中的fin‑FET晶体管。
用于自旋霍尔 mtj 器件嵌入逻辑处理器中的方法得到结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201910418706.2有效
发明人：王慧琳;翁宸毅;曾译苇;谢晋阳;张境尹;李怡慧;刘盈成;施易安;曾奕铭;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一衬垫层于该MTJ上，形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上，形成一金属间介电层于该MTJ上，形成一金属内连线于该金属间介电层、该第二衬垫层以及该第一衬垫层内并电连接该MTJ，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含不同材料。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列-CN201210111628.X有效
发明人：高雅真;江典蔚;林春荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。测试结构包括连接在MTJ与晶体管之间的测试节点以及连接至测试节点的接触焊盘。
测试结构制造方法以及 mram 阵列

[发明专利]磁性随机存取存储器-CN200510069671.4无效
发明人：岩田佳久 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：根据本发明若干实例的磁性随机存取存储器包括磁阻元件MTJ和电流源电路I1、I2和I3，在读取所述磁阻元件MTJ中的数据时，所述电流源电路把偏置电流/电压给予所述磁阻元件MTJ，其中，所述偏置电流/电压值的变化取决于温度而不取决于电源电位
磁性随机存取存储器

[发明专利]MTJ器件-CN201911210266.8有效
发明人：何世坤;杨晓蕾 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ器件，所述MTJ器件包括：依次层叠设置的固定层、绝缘势垒层和自由层，其中，所述固定层和所述自由层垂直磁化，所述自由层的厚度大于所述MTJ器件的直径，所述自由层包括层叠设置的第一自由层和第二自由层本发明的MTJ器件具有较低的写入电流，可提升数据保存时间，同时可提升MRAM的存储密度。
mtj 器件

[发明专利]MTJ器件-CN201810866682.2有效
发明人：王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种MTJ器件。该MTJ器件包括：重金属层，形成重金属层的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层，设置于重金属层的一侧表面，且第一磁性层具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；交换耦合控制层，设置于第一磁性层远离重金属层的一侧表面
mtj 器件

[发明专利]MTJ器件-CN201911270954.3有效
发明人：孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、反铁磁层、第一耦合层、自旋极化层和覆盖层，其中，所述参考层具有与所述参考层的平面大致垂直的固定磁化；所述自由层具有与所述自由层的平面大致垂直的磁化且磁化方向可在大致平行于所述参考层的磁化方向与大致反平行于所述参考层的磁化方向之间转换本发明能够降低MTJ器件的写电流同时保证器件稳定性。
mtj 器件

[发明专利]自旋转移扭矩磁存储器单元和存储器-CN201510160721.3在审
发明人：贾泽;陶子豪;杨伟;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司;电子科技大学
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种自旋转移扭矩磁存储器单元和存储器，该存储器单元包括：第一源极线、第二源极线、位线、字线，以及第一晶体管、第二晶体管和磁性隧道结MTJ；第一晶体管的栅极与字线连接，第一晶体管的源极与第一源极线连接；第一晶体管的漏极与MTJ的一端连接，MTJ的另一端与位线连接；第二晶体管的源极与第二源极线连接，第二晶体管的栅极、漏极分别与第一晶体管的漏极连接。通过根据MTJ工作阻态的不同，控制第一晶体管和第二晶体管导通截止状态的变化，从而使得不同写入阻态时，第一晶体管和第二晶体管导通截止状态不同，实现对MTJ写入电流的差异控制，避免电量的浪费，提高了MTJ的使用可靠性
自旋转移扭矩磁存储器单元存储器

[发明专利]MRAM阵列与其的制作方法-CN201710578572.1有效
发明人：王雷;刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上设置包括MTJ单元的预存储结构，MTJ单元的远离衬底的表面为第一表面；步骤S2，在MTJ单元上设置介质单元，介质单元包括低K介电层与抛光阻挡层，低K介电层的厚度大于或等于MTJ单元的厚度，抛光阻挡层的厚度小于低K介电层的厚度，低K介电层与抛光阻挡层分别包括第一凸起部分与第二凸起部分；步骤S3，去除第二凸起部分；步骤S4，至少去除第一凸起部分与剩余的抛光阻挡层，使得剩余的介质单元的表面为连续平面，或使得MTJ单元两侧剩余的低K介电层的表面与第一表面在同一个平面上。该方法使得MTJ单元具有较好的均一性。
mram 阵列与其制作方法

[发明专利]基于STT-MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置-CN202010391874.X有效
发明人：王佑;侯正义;张德明;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：译码器根据输入激励对STT‑MRAM存储阵列中对应每部分的磁性隧道结MTJ位元进行寻址，寻址选定的MTJ位元通过所述两个多路选择器与传感放大电路相连，两两比较所选MTJ位元的电阻值大小，传感放大电路的输出即为该通过对STT‑MRAM存储阵列中的部分磁性隧道结MTJ位元写入不同的初始状态实现可重构PUF。本发明通过选取任意数量的磁性隧道结MTJ比较组合，利用组合中的磁性隧道结MTJ两两比较来产生PUF输出，可大大提高响应速度，降低电路功耗。
基于 stt mram 可重构物理不可克隆函数生成方法装置

[发明专利]可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件-CN201711462222.5有效
发明人：王雷;刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上依次叠置设置底电极层和MTJ结构层；步骤S2，去除部分的底电极层以及部分的MTJ结构层，形成底电极以及预MTJ单元；步骤S3，在步骤S2形成的结构的裸露表面上设置第一介电层；步骤S4，对预MTJ单元进行刻蚀，形成MTJ单元，且MTJ单元与第一介电层之间具有凹槽；步骤S5，在步骤S4形成的结构的裸露表面上依次设置抛光阻挡层与第二介电层；步骤S6，至少采用化学机械抛光法去除第一表面所在平面上的第二介电层以及抛光阻挡层
停止抛光 mram 器件制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811044897.2有效
发明人：翁宸毅;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法主要先形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一衬垫层于该MTJ上，去除部分衬垫层以形成一开口暴露该MTJ，之后再形成一导电层于开口内，其中导电层上表面切齐衬垫层上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]包含多个磁畴的磁性隧道结单元-CN200980107087.X有效
发明人：李霞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-01-28 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在特定实施例中，揭示一种磁性隧道结(MTJ)结构(100)，其包含MTJ单元，所述MTJ单元具有大体上垂直于衬底(490)的表面延伸的多个侧壁(110、112、114)。
包含多个磁畴磁性隧道单元

[发明专利]无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法-CN201510767059.8在审
发明人：张洵渊;谢瑞龙;蔡秀雨;S·南;H-J·赵 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法，其提供不使用微影掩模来形成自对准MTJ的方法和所得装置。具体实施例包括：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成MTJ层于第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低
无掩模建立对准磁性穿隧接面拓朴方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110016446.3在审
发明人：彭泰彦;尹煜峰;张安胜;蔡瀚霆;傅强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：磁阻随机存取存储器(MRAM)阵列，包括以行和列布置的MRAM单元，其中，列中的第一列包括：第一底部电极，沿着第一列布置；第一磁性隧道结(MTJ)堆叠，位于第一底部电极之上；第一共享电极，位于每个第一MTJ堆叠之上；第二底部电极，沿着第一列布置；第二MTJ堆叠，位于第二底部电极之上；第二共享电极，位于每个第二MTJ堆叠之上；位线，电连接到第一共享电极和第二共享电极。
半导体器件方法