专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种具有双重锁紧机构的气动卡盘夹具-CN202220217530.1有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-08-16 - B23B31/02
  • 本实用新型涉及卡盘技术领域,且公开了一种具有双重锁紧机构的气动卡盘夹具,包括气动卡盘本体,所述气动卡盘本体的正面固定连接有辅助夹垫,所述气动卡盘本体的正面固定连接有连接件,所述连接件的底部轴承连接有手动螺杆,所述手动螺杆的外侧螺纹连接有螺块,所述气动卡盘本体的正面固定连接有侧滑座,所述螺块的左侧固定连接有限位滑架,所述限位滑架远离螺块的一端与侧滑座滑动连接,所述螺块的右侧固定连接有移动架,所述移动架的顶部固定连接有加强锁紧板,所述气动卡盘本体的正面固定连接有固定件,所述固定件的顶部固定连接有伸缩杆。该具有双重锁紧机构的气动卡盘夹具,实现二重锁紧的功能,整体达到了锁紧效果好的目的。
  • 一种具有双重机构气动卡盘夹具
  • [实用新型]一种便于拆装维护的激光切割头-CN202123174483.1有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-08-12 - B23K26/08
  • 本实用新型涉及激光切割技术领域,且公开了一种便于拆装维护的激光切割头,包括底板,所述底板的顶部固定安装有支撑架,所述底板的顶部固定安装有推送组件,所述支撑架的内壁固定安装有电机组件,所述电机组件的左侧固定安装有螺纹转杆,所述螺纹转杆的外部螺纹安装有移动组件,所述移动组件的顶部固定安装有限位组件,所述移动组件的正面固定安装有插座。该便于拆装维护的激光切割头,通过电机组件带动螺纹转杆转动,从而使得移动组件进行横向移动,在移动的同时带动插座以及内部安装的激光切割头一并移动来进行激光切割加工,推送组件则用于放置加工件并上升与激光切割头贴合进行切割加工。
  • 一种便于拆装维护激光切割
  • [实用新型]一种激光头距离测量定位装置-CN202220248181.X有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2022-02-04 - 2022-07-22 - G01S7/481
  • 本实用新型涉及激光头技术领域,且公开了一种激光头距离测量定位装置,包括激光头,所述激光头的外部固定连接有两个固定环,两个所述固定环的左侧均与护架的右侧固定连接,所述护架正面的顶部固定连接有挂钩,所述护架的内部滑动连接有活动板,所述活动板的底部固定连接有防护板,所述活动板的正面固定连接有固定件,所述固定件的内部活动连接有挂环。该激光头距离测量定位装置,通过挂环悬挂在挂钩的外部对活动板进行固定,保证活动板的稳定性,挂环与挂钩分离后活动板向下滑动使防护板与加工件接触,指示件会指出刻度表上的数值,能够得到活动板的移动距离,得出激光头和加工件之间的距离,方便激光头进行调整定位。
  • 一种激光头距离测量定位装置
  • [实用新型]一种可有效对收放线进行限位的线架-CN202123285720.1有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-05-24 - B65H75/38
  • 本实用新型涉及线架技术领域,且公开了一种可有效对收放线进行限位的线架,包括外框,所述外框的右侧固定连接有定位板,所述外框的顶部固定连接有第一伸缩杆,所述第一伸缩杆的顶部固定连接有拉动板,所述拉动板的底部固定连接有调节块,所述调节块的内侧铰接有铰接架,所述铰接架的左侧固定连接有定位块,所述定位块的左侧与定位板插接,所述拉动板的底部固定连接有连接架,所述连接架的底部固定连接有固定板,所述固定板的底部固定连接有弹簧,所述弹簧的底部固定连接有限位板,所述限位板顶部的左右两侧均固定连接有顶部与固定板固定连接的第二伸缩杆。该可有效对收放线进行限位的线架,整体达到了可有效对收放线进行限位的目的。
  • 一种有效放线进行限位
  • [实用新型]一种具有自行走功能的桩底溶洞探测仪-CN202220098246.7有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2022-01-14 - 2022-05-10 - G01V1/00
  • 本实用新型涉及桩底溶洞探测技术领域,且公开了一种具有自行走功能的桩底溶洞探测仪,包括安装板,所述安装板的正面固定安装有控制组件,所述安装板的背面固定安装有探测头,所述安装板的左右两侧均固定连接有连接臂,两个所述连接臂远离安装板的一端均固定连接有限位板,两个所述连接臂远离安装板一端的外部均滑动连接有滑套。该具有自行走功能的桩底溶洞探测仪,通过将设备放进桩底溶洞内,滑套会根据桩底溶洞直径进行自动调整,利用弹簧使移动轮能够始终贴附在桩底溶洞内侧,通过操控遥控给控制组件发送控制信号,控制组件启动驱动电机,在传动带的作用下带动传动轴和移动轮同时旋转,能够使探测仪在桩底溶洞内部移动。
  • 一种具有行走功能溶洞探测仪
  • [实用新型]一种便于自调节切割位置的激光切割头-CN202220098501.8有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2022-01-14 - 2022-02-25 - B23K26/38
  • 本实用新型涉及激光切割技术领域,且公开了一种便于自调节切割位置的激光切割头,包括底座,所述底座的顶部固定连接有工作台,所述底座顶部的左右两侧均固定连接有侧架,所述侧架相对的一侧之间固定连接有承重顶架,所述承重顶架正面的左右两侧均固定连接有电动推杆,所述电动推杆的输出轴固定连接有移动架,所述移动架的底部固定连接有连接板,所述连接板的顶部与承重顶架滑动连接,所述连接板的底部固定连接有侧板,所述侧板的左侧固定连接有防护罩,所述防护罩内腔的左侧壁固定连接有伺服电机。该便于自调节切割位置的激光切割头,整体达到了便于自调节切割位置的目的,大大增强了激光切割头的切割效率。
  • 一种便于调节切割位置激光
  • [实用新型]一种具有半自动定位调节功能的激光切割头-CN202123146402.7有效
  • 刘双全;高浮信;张安胜;夏菲;吴桂芳 - 武汉德尊机械制造有限公司
  • 2021-12-15 - 2022-01-21 - B23K26/38
  • 本实用新型涉及激光切割技术领域,且公开了一种具有半自动定位调节功能的激光切割头,包括底板,所述底板的顶部固定安装有安装架,所述底板的顶部固定安装有推送组件,所述底板的顶部活动安装有移动组件,所述移动组件的顶部固定安装有连接杆,所述连接杆的顶部固定安装有顶板,所述顶板的正面固定安装有直线滑轨,所述顶板的底部固定安装有驱动组件,所述驱动组件的外部固定安装有锥形齿轮,所述锥形齿轮的内部固定安装有螺纹传动杆,所述螺纹传动杆的外部螺纹安装有活动组件,该具有半自动定位调节功能的激光切割头,通过活动组件连接螺纹传动杆和激光切割头,在对工件加工时将工件放置于推送组件的顶部。
  • 一种具有半自动定位调节功能激光切割
  • [发明专利]半导体器件及方法-CN202110016446.3在审
  • 彭泰彦;尹煜峰;张安胜;蔡瀚霆;傅强 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-07 - 2021-08-17 - H01L43/08
  • 本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中,一种器件包括:磁阻随机存取存储器(MRAM)阵列,包括以行和列布置的MRAM单元,其中,列中的第一列包括:第一底部电极,沿着第一列布置;第一磁性隧道结(MTJ)堆叠,位于第一底部电极之上;第一共享电极,位于每个第一MTJ堆叠之上;第二底部电极,沿着第一列布置;第二MTJ堆叠,位于第二底部电极之上;第二共享电极,位于每个第二MTJ堆叠之上;位线,电连接到第一共享电极和第二共享电极。
  • 半导体器件方法
  • [发明专利]半导体器件及方法-CN202110054250.3在审
  • 彭泰彦;魏惠娴;林函廷;杨心怡;陈玉树;张安胜;傅强;王辰戎 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-15 - 2021-07-20 - H01L43/12
  • 本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中,一种方法包括:在半导体衬底上方形成第一金属间电介质(IMD)层;在第一IMD层上方形成底部电极层;在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)薄膜堆叠;在MTJ薄膜堆叠上方形成第一顶部电极层;形成覆盖第一顶部电极层的第一区域的保护掩模,第一顶部电极层的第二区域未被保护掩模覆盖;在保护掩模和第一顶部电极层上方形成第二顶部电极层;以及利用离子束蚀刻(IBE)工艺对第二顶部电极层、第一顶部电极层、MTJ薄膜堆叠、底部电极层和第一IMD层进行图案化以形成MRAM单元,其中,保护掩模在IBE工艺期间被蚀刻。
  • 半导体器件方法

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