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[发明专利]包含磁性顶部触点的MRAM-CN202280011619.5在审
发明人： M·里佐洛;S·扎雷;V·V·梅塔;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：披露了一种磁性随机存取存储器(MRAM)结构，该MRAM结构包含磁性衬垫(160)，该磁性衬垫包含铁磁性材料，其位于磁性隧道结(MTJ)堆叠(140)与顶部触点(180)之间或可选金属硬掩模(150)之上这使得磁性衬垫用作自变量以平衡MTJ堆叠中的磁参数以在MTJ层处实现零磁场。扩散阻挡衬垫(170)可能位于顶部触点(180)和磁性衬垫(160)之间。同样披露了对应的制造方法。
包含磁性顶部触点 mram

[发明专利]磁性隧道结装置及制造-CN201080020987.3有效
发明人：李霞;升·H·康;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明揭示一种磁性隧道结MTJ装置及制造方法。在特定实施例中，揭示一种方法，其包括在结构上形成磁性隧道结MTJ装置，所述结构包括底部罩盖层及具有法向轴的底部金属填充型沟槽，所述磁性隧道结装置包括底部电极、磁性隧道结层、磁性隧道结密封层、顶部电极及逻辑罩盖层，所述磁性隧道结装置具有从所述法向轴偏移的MTJ轴。
磁性隧道装置制造

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202011058791.5在审
发明人：王慧琳;翁宸毅;蔡锡翰;张哲维;许博凯;张境尹;王裕平;范儒钧;许清桦;林奕佑;陈宏岳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上的MRAM区域，然后形成一第一金属间介电层环绕MTJ，形成一图案化掩模于基底上的逻辑区域，进行氮化制作工艺将部分第一金属间介电层转换为一氮化层于MTJ上，形成第一金属内连线于逻辑区域上，形成一停止层于第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于停止层上，再形成一第二金属内连线于第二金属间介电层内并连接MTJ。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构-CN202211429007.6在审
发明人：游龙;李少平;张帅;候金成;曹真 -专利权人：武汉金汤信安科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，包括：源线source line，字线word line，位线bit line，磁性隧道结MTJ；source line用于给整个结构输送电力；word line用于控制所述MTJ的写入与读出；bit line用于控制写入电流的输入并用于所述MTJ的阻态的读出。MTJ包括自由层、隧穿层、钉扎层、重金属层。
一种基于 stt sot 协同作用随机存储器结构

[发明专利]一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜-CN201010259764.4有效
发明人：于国强;魏红祥;詹文山;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：其中，磁性多层膜包括用于产生TMR效应的MTJ多层膜和位于该MTJ多层膜以下的用于产生GMR效应的GMR多层膜，其中MTJ多层膜和GMR多层膜共用自由层，其中所述GMR多层膜的相邻于MTJ多层膜一侧的至少一部分被暴露
一种用于随机存取存储器磁性多层

[发明专利]一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法-CN201110317543.2有效
发明人：季明华;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明可以使用大马士革工艺来制造MTJ，避免了蚀刻工艺带来的对器件的损伤和由此付出的昂贵的代价。在一些实施例中，在MTJ的第一部分和第二部分的一部分之间设置间隔物，由此防止了MTJ的隧穿绝缘层在随后的工艺中受到损伤，由此大幅度提高了成品的良率。在另外一些实施例中，本发明还通过改进MTJ的杯形结构来提高信号质量和减小磁力线泄露。
一种新型磁隧穿结器件及其制造方法

[发明专利]封盖的磁性存储器-CN201580080103.6有效
发明人： D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·J·维甘德;P·E·海尔;M·T·拉赫曼;R·J·卡斯特利亚诺;T·班萨尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，该装置包括：位于第一电极与第二电极之间的磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结(MTJ)包括固定层与自由层之间的电介质层；直接接触第一电极的侧壁的电介质膜；以及经由所述电介质膜耦合到所述侧壁的金属层；其中(a)竖直轴与第一电极和第二电极以及MTJ相交，但不与金属层相交，(b)第一水平轴与金属层、电介质膜以及第一电极相交；并且(c)位于第一水平轴与MTJ之间的第二水平轴与电介质膜和第一电极相交，但不与封盖层相交
磁性存储器

[发明专利]一种钽掩模的制备方法-CN201911302722.1有效
发明人：高建峰;李俊杰;刘卫兵;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽掩模的制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层，但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾，以及实际MTJ本发明满足小尺寸MTJ单元的制备。
一种钽掩模制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN200910135057.1无效
发明人：村田龙纪;辻内干夫;松田亮史 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成具有良好绝缘性能的氮化硅膜作为MTJ元件的保护膜而没有使MTJ元件的性能恶化的半导体器件制备方法。本发明的方法包括以下步骤：在使用平行板等离子体CVD装置作为膜形成装置以及不含NH₃而是由SiH₄/N₂/氦(He)组成的膜形成气体之时在包括MTJ元件部分(MTJ元件和上电极)的整个表面上方形成氮化硅膜。
半导体器件制备方法

[发明专利]MRAM的制作方法-CN201710250894.3在审
发明人：刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：该制作方法包括：在衬底的表面上间隔设置多个预存储单元，各预存储单元包括一个MTJ器件；采用旋涂法在多个预存储单元的远离衬底的表面上设置介电材料，介电材料覆盖各MTJ器件并充满相邻两个MTJ器件之间的间隙该制作方法采用旋涂法在预存储单元的表面上设置介电材料，其在填充间隙的同时不会在MTJ的表面上形成较高的台阶，使得形成的介电层的表面平整度好，后续可以直接采用刻蚀法去除MTJ上多余的介电材料，且由于用于旋涂的液态介电材料的反流特性好且具有一定的粘度而使得形成的介电层具有均匀平直性和高耐破裂性
介电材料预存储介电层旋涂法制作衬底液态介电材料表面平整度间隔设置耐破裂性平直性反流刻蚀旋涂去除填充硬化覆盖申请

[发明专利]使用自由层交换钉扎的大场范围TMR传感器-CN202080006973.X在审
发明人： D·毛里;郑元凯;王磊;C·凯撒 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-03-22 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造处于惠斯通配置的基于TMR的磁传感器的方法，该方法包括进行磁隧道结(MTJ)的第一退火以及进行MTJ的第二退火。MTJ包括第一反铁磁(AFM)钉扎层、在该第一AFM钉扎层上方的钉扎层、在该钉扎层上方的反并联耦合层、在该反并联耦合层上方的参考层、在该参考层上方的势垒层、在该势垒层上方的自由层以及在该自由层上方的第二反铁磁钉扎层MTJ的第一退火将第一AFM钉扎层、钉扎层、自由层和第二AFM钉扎层设置在第一磁化方向上。MTJ的第二退火将自由层和第二AFM钉扎层重置在第二磁化方向上。
使用自由交换范围 tmr 传感器

[发明专利]磁性隧道结的制备方法-CN201910884167.1在审
发明人：李辉辉 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次沉积底电极材料层、MTJ材料层、金属硬掩膜层和介质硬掩膜层，其中所述MTJ材料层包括：第一磁性薄膜层、位于所述第一磁性薄膜层上方的绝缘薄膜层以及位于所述绝缘薄膜层上方的第二磁性薄膜层；光刻出掩膜形状，并刻蚀所述介质硬掩膜层和所述金属硬掩膜层；进一步刻蚀所述MTJ材料层，将刻蚀终点停留在所述绝缘薄膜层与所述第一磁性薄膜层的界面；形成第一保护层并刻蚀所述第一保护层，只保留所述第一保护层的垂直部分；以刻蚀后的所述金属硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀所述第一磁性薄膜层，以形成MTJ位元。本发明能够减少MTJ刻蚀过程中产生的金属沉积。
磁性隧道制备方法

[发明专利]自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件-CN202210528129.4在审
发明人：游龙;沈愉捷;张帅 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件，属于自旋逻辑器件领域，包括：呈“一”字型排列的三个扩展磁隧道结，分别作为输入MTJ1、输入MTJ2和输出MTJ；扩展磁隧道结自下往上依次包括底部重金属层、自由层、氧化层、固定层、反铁磁层和顶部重金属层，各扩展磁隧道结的底部重金属层彼此连接以及自由层彼此连接；当底部重金属层中注入有平行于膜面的电流、输入MTJ1和输入MTJ2的顶部重金属层中均注入有垂直于膜面的电流时
自旋逻辑器件扩展多数

[发明专利]磁隧道结MTJ和磁隧道结MTJ阵列-CN202310380906.X在审
发明人：王乐;王航天;殷加亮;张洪超;吕术勤;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种磁隧道结MTJ和磁隧道结MTJ阵列，属于磁性电子器件技术领域。该磁隧道结MTJ包括隧道结基础结构、在所述隧道结基础结构下方布置的底电极层和在所述隧道结基础结构和所述底电极层之间布置的辅助层。该磁隧道结MTJ被配置为：在通过写入电流将信息写入所述隧道结基础结构时，在所述底电极层施加辅助电流，该辅助电流作用在所述辅助层上，以辅助所述写入电流将信息写入所述隧道结基础结构。在通过写入电流对隧道结基础结构进行写入时，底电极层通入辅助电流，作用在辅助层上；辅助层在辅助电流的作用下，产生形变或介电效应等效果，辅助自由层磁矩发生翻转，进而减小信息写入时的磁各向异性和热稳定性，以减小磁隧道结MTJ
隧道 mtj 阵列

[发明专利]自旋力矩转移磁性隧道结架构和集成-CN200980113890.4无效
发明人：升·H·康;李霞;顾时群;李康浩;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种在半导体后段工艺(BEOL)工艺流程中用于磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)装置包括：第一金属互连(401)，其用于与至少一个控制装置连通；以及第一电极(406)，其用于通过使用第一掩模形成于电介质钝化阻挡物所述装置还包括耦合到所述第一电极的用于存储数据的MTJ堆叠(407、408、409)，所述MTJ堆叠的一部分具有基于第二掩模的横向尺寸。由所述第二掩模界定的所述部分在接触通路上方。第二电极(410)耦合到所述MTJ堆叠且也具有与由所述第二掩模界定的横向尺寸相同的横向尺寸。所述第一电极(406)和所述MTJ堆叠的一部分(407)由第三掩模界定。
自旋力矩转移磁性隧道架构集成