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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN202110533886.6在审
发明人：王慧琳;蔡锡翰;吴东明;翁宸毅;许清桦;范儒钧;林奕佑;张哲维;许博凯;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一阵列区域以及第二阵列区域设于基底上，第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于第一阵列区域，第一上电极设于该第一MTJ上，第二MTJ设于该第二阵列区域以及第二上电极设于该第二MTJ上，其中第一上电极与第二上电极包含不同氮对碳比例。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201811086211.6有效
发明人：黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：Random Access Memory,MRAM)，其主要包含多个元件串(device strings)以并联方式耦接，各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以串联方式耦接，其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量，且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的高电阻以及另一者的低电阻的平均值。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010361265.X有效
发明人：王慧琳;许博凯;张境尹;王裕平;陈宏岳;陈纬 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一金属间介电层环绕MTJ，形成第一金属内连线于MTJ旁，形成一停止层于第一金属间介电层上，去除停止层以形成一开口，再形成一通道层于开口内并电连接MTJ以及第一金属内连线。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]MRAM电极及其制备方法-CN201910429948.1有效
发明人：韩谷昌;竹敏;何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM电极，包括：堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层，其中，所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层；所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面，且所述电极层具有面内各向异性磁化本发明能够为MTJ自由层提供一个可控的磁矩，辅助MTJ自由层翻转。
mram 电极及其制备方法

[发明专利]制造MRAM器件的方法及制造半导体芯片的方法-CN201810515747.9有效
发明人：金大植;朴正宪;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。
制造 mram 器件方法半导体芯片

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201911018063.9有效
发明人：徐晨祐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：该方法通过以下步骤执行：在底部电极层上方形成磁隧道结(MTJ)层，以及在MTJ层上方形成牺牲介电层。图案化牺牲介电层以限定空腔，并且在空腔内形成顶部电极材料。去除牺牲介电层，并且在去除牺牲介电层之后，根据顶部电极材料图案化MTJ层以限定MTJ堆叠件。本发明的实施例还涉及集成芯片。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]在单元中具有多个磁隧道结器件的OTP方案-CN201380047320.6有效
发明人： J·P·金;T·金;S·金;K·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一次性编程(OTP)装置单位单元包括多个磁隧道结(MTJ)以及耦合在该多个MTJ和固定电势之间的共享存取晶体管。单位单元中的该多个MTJ中的每一个可被耦合到分开的编程电路系统和/或分开的感测放大器电路系统，以使得该多个MTJ可被个体地编程和/或个体地感测。
单元具有多个磁隧道器件 otp 方案

[发明专利]自旋转移矩切换设备中由应变引起的切换电流的减小-CN201280050191.1有效
发明人： X·朱;X·李;W-C·陈;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：使用引起MTJ（202）上的定向静态应变/应力以增加垂直磁各向异性的工艺和结构配置来构造部分垂直磁各向异性（PPMA）类型的磁性随机存取存储器单元。因此，得到MTJ的减小的切换电流。在制造期间沿受控方向（236，234）和/或用受控幅值来引起MTJ上的定向静态应变/应力。MTJ持久地遭受预定的定向应力（228）并且持久地包括提供减小的切换电流的定向静态应变/应力。
自旋转移切换设备应变引起电流减小

[发明专利]降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器(STT-MRAM)中的源极负载效应-CN201080009766.6有效
发明人：李康浩;升·H·康;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在特定实施例中，一种方法包括确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率，所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作。所述存储器单元包括串联耦合到存取晶体管的所述MTJ结构。所述方法还包括修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场。所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。
降低自旋力矩转移磁阻随机存取存储器 stt mram 中的负载效应

[发明专利]实现磁隧道结电流传感器的方法-CN200680040479.5有效
发明人：郑永瑞;罗伯特·W·贝尔德;马克·A·迪尔拉姆 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件(800)，其包括基板(801)、被配置为经历压力的传导线(807)、和在基板和电流线之间形成的磁隧道结(MTJ)内核(802)。MTJ内核(802)具有基于磁场而进行变化的电阻值。因此MTJ内核(802)的电阻相对于压力改变而变化。MTJ内核(802)被配置为产生电输出信号，其作为压力的函数而变化。
实现隧道电流传感器方法

[发明专利]磁隧道结压力传感器和方法-CN200680040311.4无效
发明人：钟勇;R·W·拜尔德;B·N·恩格尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G11B5/33 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件(800)，其包括：衬底(801)；导线(807)，被配置为经受压力；以及磁隧道结(“MTJ”)核芯(802)，被形成在衬底与电流线之间。MTJ核芯(802)具有根据磁场变化的阻值。因此，MTJ核芯(802)的电阻随着压力的改变而变化。MTJ核心(802)被配置为产生作为压力的函数而变化的电输出信号。
隧道压力传感器方法

[发明专利]一种MRAM的外部磁底触点结构-CN202180077864.1在审
发明人： S·扎雷;M·里佐洛;V·V·梅塔;E·R·埃瓦茨;T·斯坦达尔特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。
一种 mram 外部触点结构

[发明专利]随机数发生器-CN201580079992.4有效
发明人： C·C·郭;J·S·布罗克曼;J·G·阿尔萨特维纳斯科;K·奥乌兹;K·P·奥布莱恩;B·S·多伊尔;M·L·多齐;S·苏里;R·S·周;P·马吉;R·皮拉里塞泰;E·V·卡尔波夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：描述了一种装置，包括：磁隧道结(MTJ)器件，其具有其自由磁性层和固定磁性层的平面外磁化，并且被配置为具有远离中心并且较接近该MTJ器件的切换阈值的磁化偏移；以及逻辑单元，其用于根据MTJ器件的电阻状态产生随机数
随机数发生器

[发明专利]多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法-CN200810177549.2无效
发明人：黄祥珉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储(STT-MRAM)器及其制造方法，所述存储器包括磁性隧道结(MTJ)，相邻的磁性隧道结(MTJ)分别形成在不同层中，从而防止在MTJ之间产生干扰并且保证热稳定性
多层自旋转移力矩磁阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]用磁性隧道结生成随机位流-CN201980005957.6在审
发明人： W·H·崔 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本公开提出了采用磁性隧道结(MTJ)元件的真随机数生成(TRNG)电路，所述MTJ元件可以响应于电脉冲的施加而概率性改变磁化状态。一些实施方式包括脉冲发生器，所述脉冲发生器将扰动序列施加到所述MTJ元件。所述MTJ元件响应性产生与磁化状态的变化有关的随机化输出。所述概率补偿器作出对所述扰动序列的调整，以影响所述MTJ元件的所述磁化状态的概率性变化并使所述测量概率在与所述目标概率的预先确定的偏差内。
磁性隧道生成随机

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