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[发明专利]一种自旋霍尔效应辅助的自旋转移矩非易失性触发器-CN201510188010.7有效
发明人：郑晨天;康旺;郭玮;赵巍胜;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种自旋霍尔效应辅助的自旋转移矩非易失性触发器，由一对自旋霍尔效应辅助的自旋转移矩磁隧道结即SHE‑STT‑MTJ1与SHE‑STT‑MTJ2，一对NMOS晶体管即N3与N4，STT‑写入电路，SHE‑写入电路，读取电路以及从寄存器组成；SHE‑STT‑MTJ1与SHE‑STT‑MTJ2的T1端连接STT‑写入电路，SHE‑STT‑MTJ1的T2、T3端与SHE‑STT‑MTJ2的T2、T3端连接SHE‑写入电路，SHE‑STT‑MTJ1与SHE‑STT‑MTJ2的T1端分别连接N3与N4晶体管的源极，两个NMOS晶体管的栅极直接互连，并由clk时钟信号控制；本发明具有低耗高速及可靠性的特点。
一种自旋霍尔效应辅助转移矩非易失性触发器

[实用新型]一种低噪声磁电阻传感器-CN201620483759.4有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;周志敏;史建雷 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低噪声磁电阻传感器，包括两个磁电阻传感器切片，其中一个切片为另一个在X‑Y平面内旋转180度角度相位得到，切片包括基片衬底、底层电极层、MTJ磁电阻层、顶层电极层、通量集中器、绝缘层，底层电极层为导电材料并沉积在基片衬底上，MTJ磁电阻层由多个MTJ磁电阻单元串阵列构成，MTJ磁电阻单元位于所述的通量集中器的间隙；通量集中器位于MTJ磁电阻层的上表面或者下表面，顶层电极层覆盖所述的MTJ磁电阻单元串，绝缘层覆盖底层电极层、MTJ磁电阻阵列和顶层电极层，每个MTJ磁电阻单元的形状为末端具有锥形或圆弧形的结构。
一种噪声磁电传感器

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201911117619.X在审
发明人：吴家荣;黄瑞民;蔡雅卉;张翊凡;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于一基底上，然后形成一上电极于该MTJ堆叠结构上，进行一第一图案化制作工艺沿着一第一方向去除该MTJ堆叠结构，再进行一第二图案化制作工艺沿着一第二方向去除该MTJ堆叠结构以形成多个MTJ于该基底上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM-CN201980100753.0在审
发明人：秦健鹰;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM，其中，MTJ单元中自由层(101)的稳定磁矩方向和参考层(103)的磁矩方向之间存在夹角，且夹角大于0度，小于180度，不等于90度。在采用VCMA驱动方案写入数据时，该MTJ单元可以消耗较少的电能，因此该MTJ单元具有较低的功耗。
一种 mtj 单元 vcma 驱动方法 mram

[发明专利]用于磁性随机存取存储器(MRAM)单元的切换膜结构-CN201580038132.6有效
发明人： X·李;W-C·陈;Y·陆;K·李;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种MRAM单元可包括磁性隧穿结(MTJ)。该MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层。该MRAM单元进一步包括双向二极管选择器，该双向二极管选择器直接耦合到MTJ的电极，以实现对MTJ的存取。
用于磁性随机存取存储器 mram 单元切换膜结构

[发明专利]在平坦化电极上的磁性隧道结-CN201610444193.9有效
发明人：升·H·康;李霞;陈维川;李康浩;朱晓春;徐华南 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：制造一种直接接触的磁性隧道结MTJ，其具有较低电阻、改进的合格率和较简单的制造。所述较低电阻改进所述MTJ中的读取与写入过程两者。将所述MTJ层(126)沉积在底部电极(124)上且与底部金属(122)对准。可邻近所述底部金属而沉积蚀刻止挡层(302)，以防止围绕所述底部金属的绝缘体过度蚀刻。在沉积所述MTJ层之前平坦化所述底部电极以提供实质上扁平表面。另外，可在所述MTJ层之前将下层(202)沉积在所述底部电极上以促进MTJ的所要特性。
平坦电极磁性隧道

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN03158786.0无效
发明人：福住嘉晃 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种磁存储装置，包括：半导体衬底(21)；在上述半导体衬底上方配置的存储信息的MTJ元件(5)；在上述半导体衬底和上述MTJ元件之间沿第一方向配置的第一布线(2)，该第一布线向MTJ元件施加磁场，且具有面对上述MTJ元件的第二面和在该第二面相反侧的第一面，上述第二面的宽度比上述第一面的宽度小；以及在上述MTJ元件的上方沿与上述第一方向不同的第二方向配置的第二布线(3)，该第二布线向MTJ元件施加磁场。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201910827096.1有效
发明人：王慧琳;王裕平;翁宸毅;谢晋阳;蔡锡翰;张哲维;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底包含一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域；一第一MTJ设于该MTJ区域上；一第一金属内连线设于该逻辑区域上；以及一遮盖层由该第一MTJ一侧壁延伸至该第一金属内连线的一侧壁，其中设于该MTJ区域的该遮盖层以及设于该逻辑区域的该遮盖层包含不同厚度。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]磁随机存取存储器-CN02151849.1无效
发明人：梶山健 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：将MTJ元件在半导体衬底上边叠置成多层。MTJ元件的固定层上，连接有起读出线功能沿X方向延伸的第1导电线。MTJ元件的自由层上，连接有起写入线和读出线功能沿X方向延伸的第2导电线。写入线沿Y方向延伸，并为在其上下存在的两个MTJ元件所共用。在写入线上下存在的两个MTJ元件，相对于其写入线对称地进行配置。
随机存取存储器

[发明专利]磁随机存取存储器-CN200510118783.4无效
发明人：梶山健 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：将MTJ元件在半导体衬底上边叠置成多层。MTJ元件的固定层上，连接有起读出线功能沿X方向延伸的第1导电线。MTJ元件的自由层上，连接有起写入线和读出线功能沿X方向延伸的第2导电线。写入线沿Y方向延伸，并为在其上下存在的两个MTJ元件所共用。在写入线上下存在的两个MTJ元件，相对于其写入线对称地进行配置。
随机存取存储器

[发明专利]用于MRAM应用的结构的形成方法-CN201980081765.3在审
发明人：安在洙;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及设备，所述磁性隧道结(MTJ)结构可用于MRAM应用，特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器(SOT MRAM)应用。在一个实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：设置于基板上的磁性隧道结(MTJ)柱体结构，以及围绕MTJ柱体结构的间隙。在又另一实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：围绕经图案化的参考层及隧穿阻挡层的间隔层，所述隧穿阻挡层设置于经图案化的自由层上，以及围绕经图案化的自由层的间隙。
用于 mram 应用结构形成方法

[发明专利]具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器-CN202110273425.X有效
发明人： C-C·胡;Y-H·王;M·毛;李冠雄;D·毛里;刘小勇;Y·冈田;A·罗伊;C·钱;H·刘 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFL MTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。
具有自由磁性隧道二维记录读取器

[发明专利]用于基于自旋扭矩的存储器装置的读取方向-CN201180005111.6有效
发明人： D·C·沃莱吉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-01-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：一种基于自旋扭矩的存储器装置包括：在阵列中的多个磁存储基元，每一个磁存储基元包括至少一个磁隧道结（MTJ）元件；以及与所述多个磁存储基元对应的至少一条位线和至少一条位补线。通过沿第一方向或第二方向驱动写入电流以将每一个相应的MTJ元件编程为低电阻状态或高电阻状态而写入所述相应的MTJ元件，并且，通过沿倾向于将每一个相应的MTJ元件干扰成高电阻状态的方向驱动读取电流通过所述相应的MTJ元件而读取所述相应的MTJ元件。
用于基于自旋扭矩存储器装置读取方向

[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法-CN201910079795.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极和磁性隧道结膜(MTJ)、硬掩模膜层；图形化定义MTJ图案，硬掩模刻蚀并使其侧壁倾角大于90度；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层并使底电极刻蚀前端和硬掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，电介质填充并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，硬掩模侧壁倾角大于90度，使得后续底电极刻蚀前端和硬掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率
一种制作超小型磁性随机存储器阵列方法

[发明专利]SOT MRAM单元和包括多个SOT MRAM单元的阵列-CN202011517396.9在审
发明人： M·德鲁阿尔;J·罗切 -专利权人：安塔利斯
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种SOT‑MRAM单元（100），包括至少一个磁性隧道结（MTJ）（20），磁性隧道结（MTJ）（20）包括钉扎铁磁层（21）和自由铁磁层（23）之间的隧道势垒层（22）；SOT线（30），其大体上平行于层（21‑23）的平面延伸，并且接触所述至少一个MTJ（20）的第一端；至少第一源线（SL1），其连接到SOT线（30）的一端；至少第一位线（BL1）和第二位线（BL2），其中所述SOT‑MRAM单元包括一个MTJ（20），每个位线连接到MTJ（20）的另一端；或者其中所述SOT‑MRAM单元包括两个MTJ（20），每个MTJ连接到第一位线（BL1）和第二位线（BL2）中的一个。
sot mram 单元包括阵列