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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111474803.7在审
发明人：郭致玮 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：第一金属内连线设于第一金属间介电层内，第二金属间介电层设于第一金属间介电层上，第二金属内连线设于第二金属间介电层内，下电极设于第二金属内连线上，磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于下电极上，上电极设于MTJ上，第三金属间介电层设于MTJ上以及第三金属内连线设于第三金属间介电层内并连接上电极以及第一金属内连线，其中MTJ的底表面宽度小于MTJ的顶表面宽度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]穿隧磁阻参考单元及其磁场感测电路-CN201210517405.3有效
发明人：王泳弘;黄胜煌;沈桂弘;郭耿铭 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：该穿隧磁阻参考单元用以感测磁场，包括第一MTJ(magnetic tunneling junction，磁性穿隧接面)装置与第二MTJ装置并联。该第一MTJ装置有第一固定层，其中该第一固定层在固定方向有第一固定磁矩，及在零磁场时，第一自由层有第一自由磁矩与该固定磁矩平行。该第二MTJ装置有第二固定层，其中该第二固定层在该固定方向有第二固定磁矩，及在一零磁场时，第二自由层有第二自由磁矩与该固定方向反平行。该第一及第二MTJ装置的长轴与感测到的外部磁场方向的夹角为45度。
磁阻参考单元及其磁场电路

[发明专利]消除基于GSHE-MTJ的电路中的非所要电流路径-CN201580057658.9有效
发明人：章尧君;文清·吴;肯德里克·海·良·袁;卡里姆·阿拉比 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE MTJ元件，以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件的一或多个晶体管，以限制写入电流在写入操作期间从既定管线级流动到非既定管线级。所述潜路径防止逻辑还可包含耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件的一或多个二极管，以防止预设电流流入输入电路或充电电流产生电路中。预设线可耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件，以使预设电流分流，而不流入非既定路径中。
消除基于 gshe mtj 电路中的电流路径

[发明专利]用于生成与磁性隧道结联用的参考的方法和装置-CN201580019969.6有效
发明人： S·金;T·金;J·P·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：在一示例中，提供了一种磁阻只读存储器，该磁阻只读存储器包括磁性隧道结(MTJ)存储元件、其第一输入端耦合至该MTJ存储元件的感测放大器、以及耦合至该感测放大器的第二输入端的参考电阻设备。参考电阻设备包括多个具有至少两个参考MTJ设备的组。相应组中的每个参考MTJ设备与该相应组中的每个其他参考MTJ设备并联耦合。每个组与其他组串联耦合。
用于生成磁性隧道联用参考方法装置

[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器-CN202111009872.0在审
发明人：王晓光;李辉辉;曾定桂;邓杰芳;曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该制备方法包括：提供衬底；于衬底上依次形成MTJ结构和第一掩膜结构；对第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案；将第一图案转移至MTJ结构；于MTJ结构上方形成第二掩模结构；对第二掩模结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案；第一方向与第二方向相交，且第一方向与第二方向不垂直；利用第二图案对MTJ结构进行图案化处理，形成蜂窝状MTJ阵列，其中，第一图案与第二图案组成蜂窝状图案。这样，由于蜂窝状MTJ阵列具有高密度，从而能够在形成半导体存储器时，可以提高半导体存储器的存储密度。
半导体结构制备方法存储器

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202080105271.7在审
发明人：秦青;周雪;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决MTJ中自由层翻转需要的电流大以及MTJ翻转不对称的问题。该存储器包括设置于存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元，所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的MTJ，所述第二电极与所述晶体管的漏电极电连接；所述MTJ包括依次层叠设置的第一钉扎层、第一参考层、第一隧穿层和自由层；其中，所述第一钉扎层为具有磁各向异性的亚铁磁或反铁磁材料，且所述第一钉扎层在所述自由层所在的空间产生的静磁场小于所述自由层的矫顽磁场
一种存储器电子设备

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202080104784.6在审
发明人：秦青;周雪;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决MTJ中自由层翻转需要的电流大的问题。该存储器包括设置于所述存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元以及位线，所述存储单元包括晶体管以及与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件设置于所述晶体管的源极或者漏极与所述位线之间的电流传输路径上；所述MTJ元件包括依次层叠设置的钉扎层、参考层、隧穿层和自由层；所述钉扎层的磁化方向平行于所述MTJ中各层的堆叠方向；所述存储器还包括设置于所述电流传输路径上，且与所述MTJ元件接触的第一磁性结构；其中
一种存储器电子设备

[发明专利]一种具有垂直线性响应的TMR全桥磁传感器-CN202211459536.0在审
发明人：曹江伟;罗科留;郭永海 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直线性响应的TMR全桥磁传感器，涉及磁场探测技术领域，四组MTJ单元组桥式连接形成全惠斯通电桥。重金属电流通道位于传感器基片表面，一个重金属电流通道的上方有两个MTJ单元并共同组成一个MTJ对，至少一个MTJ对串联作为全惠斯通电桥的一个桥臂。通过向重金属电流通道注入脉冲电流产生的自旋轨道力矩和外加辅助磁场的共同作用可以设定相邻桥臂中MTJ单元的参考层的磁化状态。且位于相邻桥臂上的重金属电流通道中脉冲电流的流向相反，导致MTJ单元的参考层磁化状态相反，从而可以实现全桥结构的TMR磁传感器。本发明能够实现垂直线性响应的全桥TMR磁传感器，且制备难度低。
一种具有垂直线性响应 tmr 全桥磁传感器

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310534771.8在审
发明人：王郁仁;黄胜煌;庄学理;王宏烵;王清煌;黄国峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：位于缓冲层上方的第二介电层、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第一底部通孔、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第二底部通孔、设置在第一底部通孔上的第一底部电极、设置在第二底部通孔上的第二底部电极、位于第一底部电极上方的第一磁隧道结(MTJ)堆叠件、以及位于第二底部电极上方的第二MTJ堆叠件。第一MTJ堆叠件和第二MTJ堆叠件具有相同的厚度。第一MTJ堆叠件具有第一宽度并且第二MTJ堆叠件具有大于第一宽度的第二宽度。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器（MRAM）差分位单元及其使用方法-CN201310618992.X有效
发明人：谢尔吉·罗曼诺夫斯基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种MRAM位单元，包括连接至第一数据线的第一磁隧道结（MTJ）和连接至第二数据线的第二MTJ。MRAM位单元进一步包括第一晶体管，其具有连接至第一MTJ的第一端子和连接至第二MTJ的第二端子。MRAM位单元进一步包括第二晶体管，其具有连接至驱动线的第一端子和连接至第一MTJ的第二端子。MRAM位单元进一步包括第三晶体管，其具有连接至驱动线的第一端子和连接至第二MTJ的第二端子。本申请还描述了一种使用MRAM位单元的方法。
磁阻随机存取存储器 mram 差分位单元及其使用方法

[发明专利]一种电流传感器-CN201110452834.2有效
发明人：韩连生;白建民;黎伟;王建国;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，该永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压
一种电流传感器

[发明专利]MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法与MRAM器件-CN201711489795.7有效
发明人：刘鲁萍;王雷 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法与MRAM器件。该平坦化方法包括：步骤S1，在衬底的表面上设置预存储结构，预存储结构包括MTJ单元，MTJ单元的第一表面与衬底的距离为h1，MTJ单元的MTJ薄膜的远离衬底的表面与衬底的距离为h2；步骤S2，在MTJ单元的表面上设置第一介电层
mram 器件 mtj 单元平坦方法

[发明专利]一种可重构敏感方向的TMR磁场传感器及制备方法-CN202010323986.1有效
发明人：刘明;王志广;胡忠强;苏玮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种可重构敏感方向的TMR磁场传感器及制备方法，包括压电衬底材料、电极层和TMR敏感材料；电极层生长在压电衬底材料背面，TMR敏感材料设置在压电衬底材料正面；TMR敏感材料包括MTJ阵列、连接电极和调节电极；MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成；连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元；调节电极从连接电极引出。本发明通过将MTJ阵列型TMR磁场传感器集成在压电衬底上，实现了电场作用下对于TMR磁场传感器磁敏感方向的偏转。
一种可重构敏感方向 tmr 磁场传感器制备方法

[实用新型]一种电流传感器-CN201120565375.4有效
发明人：韩连生;白建民;黎伟;王建国;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压
一种电流传感器

[发明专利]高密度低功率GSHE-STT MRAM-CN201580005854.1有效
发明人：文清·吴;拉古·萨加尔·玛达拉;肯德里克·海·良·袁;卡里姆·阿拉比 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G11C11/18 文献下载
摘要：所述存储器元件包括混合巨大自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件，所述GSHE‑STT MRAM元件包含：GSHE条带，其形成在第一端子(A)与第二端子(B)之间；及磁性隧道结MTJ，其中所述MTJ的自由层介接所述GSHE条带，且所述MTJ的固定层耦合到第三端子(C)。所述自由层的易磁化轴的定向垂直于由穿越所述第一端子与所述第二端子之间的所述GSHE条带的电子产生的磁化，使得所述MTJ的所述自由层经配置以基于从所述第一端子注入到所述第二端子/从所述第二端子注入到所述第一端子的第一电荷电流及通过所述第三端子注入到所述MTJ中/经由所述第三端子(C)从所述MTJ当中提取的第二电荷电流而切换。
高密度功率 gshe stt mram