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[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811442129.2在审
发明人：洪铭辉;郭瑞年;林延勳;林耕雍;杨博宇;万献文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散；以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。
高介电常数介电层半导体元件退火半导体基材栅电极制造扩散

[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN201910885457.8在审
发明人：钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;蔡家铭;陈明德;林士琦;张景舜;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201410220002.1有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成高k介电层；实施退火使高k介电层晶态化，以增大高k介电层的介电常数；回蚀刻高k介电层，以使高k介电层的厚度满足预设的目标特征尺寸；在经过所述回蚀刻的高k介电层上形成牺牲栅电极层，以在半导体衬底上形成伪栅极结构；去除伪栅极结构中的牺牲栅电极层，并在留下的栅沟槽内形成金属栅极结构。根据本发明，可以增大高k介电层的介电常数，以使高k介电层满足等效栅极介电层厚度按比例减小的要求。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法-CN201810823245.2在审
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为12‑本发明中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV激光钻孔能力以及极佳的机械性能
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[实用新型]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板-CN201821179468.1有效
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为本实用新型中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能本实用新型低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[发明专利]一种高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料及其制备方法-CN201210548590.2有效
发明人：周济;刘晓明;赵乾;兰楚文;李勃;李龙土 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料及其制备方法，属于新型光电技术领域。本发明由金属片和多个高介电陶瓷颗粒组成，其中多个高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定在正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，其中任意两个相邻高介电陶瓷颗粒的间距相等。本发明通过高温固相反应法或化学合成的方法制备出高介电陶瓷并将其加工成颗粒状；然后将高介电陶瓷颗粒通过镶嵌或粘连固定到正方形金属片上，排列成高介电陶瓷颗粒阵列，形成高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料。本发明可以在一定电磁波频率处可达到接近100%的完美吸波，通过调节高介电颗粒的大小和介电常数等参数可以调控完美吸收峰的位置。
一种高介电陶瓷颗粒金属片复合材料及其制备方法

[发明专利]形成集成晶片的方法-CN202010313831.X在审
发明人：李东颖;余绍铭;王梓仲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：此方法包括在基板上形成层间介电层。第一开口形成于层间介电层及集成晶片的第一区域中。第二开口形成于层间介电层及集成晶片的第二区域中。第一高介电常数介电层形成为内衬第一开口及第二开口。第二介电层形成于第一高介电常数介电层上，并且内衬于第一区域及第二区域中的第一高介电常数介电层。从第一区域去除第二高介电常数介电层。导电层形成于第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上，其中导电层接触第一区域中的第一高介电常数介电层并接触第二区域中的第二高介电常数介电层。
形成集成晶片方法

[发明专利]浅沟道隔离件中的高k介电衬里-CN201210011643.7在审
发明人：陈思莹;王子睿;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：介电材料从该顶面延伸到半导体衬底中。高k介电层由高k介电材料形成，其中，该高k介电层包括在介电材料的侧壁上的第一部分和在介电材料下面的第二部分。本发明还公开了一种浅沟道隔离件中的高k介电衬里。
沟道隔离中的衬里

[发明专利]一种介电凝胶基质的制备方法-CN202210500838.1在审
发明人：张月新;廖启华;林腾宇 -专利权人：弘润清源（北京）科技有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电凝胶基质的制备方法,包括:将具有介电性能、易溶解的有机介电主材料A与一定量的溶剂充分混合搅拌后,获得浆料；将塑性剂与浆料混合搅拌后,获得介电凝胶；将高介电性和机械灵活性的纳米线浆料混合搅拌,静置待气泡消失，获得均匀混合的凝胶态高介电有机复合材料﹔将凝胶态复合材料使用刮涂或旋涂得得方式涂在硅片或石英片上,最后根据不同厚度常温放置不同时间后凝固定型,制得高介电聚合物复合薄膜。本发明可制备出不同厚度的介电薄膜。此介电凝胶制备的薄膜具有高介电性、高击穿电压值、低介电损耗值、柔韧性高,易制备、对环境负载小等特点。
一种凝胶基质制备方法

[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物-CN200980152187.4无效
发明人：横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/20 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。
电容器用高介电性膜形成组合

[发明专利]MOS晶体管及其栅介电层的制作方法-CN201010275191.4有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种MOS晶体管栅介电层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅介电层与介电保护层，介电保护层中形成有栅极开口，栅极开口使得伪栅介电层露出；在所述介电保护层上与栅极开口内形成牺牲层，所述牺牲层保形覆盖栅极开口；各向异性刻蚀所述牺牲层，仅保留栅极开口垂直侧壁上的牺牲层；在所述介电保护层上与栅极开口内形成高K介电材料，所述高K介电材料保形覆盖所述栅极开口；对所述半导体衬底进行退火处理，使得栅极开口垂直侧壁上的牺牲层与高K介电材料反应形成混合介电层，所述混合介电层具有小于高K介电材料的介电常数。本发明的制作方法在不破坏金属栅极底部高K栅介电层的同时，降低了栅极寄生电容。
mos 晶体管及其栅介电层制作方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210220319.X在审
发明人：侯承浩;张哲豪;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上执行第二退火制程
半导体装置及其形成方法

[发明专利]高介电材料-CN200910261885.X有效
发明人：刘淑芬;洪铭聪;陈碧义 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C04B26/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂上述高介电材料的介电常数大于100，在适当操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为埋入式电容性电路板的介电材料。
高介电材料

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