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[发明专利]压电层及包括压电层的压电装置-CN201780027450.1在审
发明人：铃木昌司;柳谷孝彦 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明描述一种压电材料。所述压电材料包括掺杂有镱Yb的氮化铝AlN，在所述AlN中Yb的原子百分比大于或等于大约10.0％且小于或等于大约27.0％。包括所述压电材料的压电层可用于体声波BAW声谐振器及表面声波SAW声谐振器中。所述BAW声谐振器及所述SAW声谐振器可用于各种应用中。
声谐振器压电材料压电层可用原子百分比表面声波压电装置氮化铝体声波掺杂应用

[实用新型]一种压电模组、触控装置及电子设备-CN202221434139.3有效
发明人：李宋楚 -专利权人：江西欧迈斯微电子有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型涉及压电触控领域，公开了一种压电模组、触控装置及电子设备。该压电模组包括压电层、第一电极层、第二电极层、压电校准层、第三电极层以及接收器，压电层设有多个压电区域，各压电区域的压电常数不同，第一电极层设于压电层的一面并与压电层电连接，第二电极层设于压电层背离第一电极层的一面与压电层电连接，压电校准层设于第一电极层背离压电层的一侧，压电校准层的压电常数与各压电区域的压电常数不等，第三电极层设于压电校准层背离第一电极层的一面并与压电校准层电连接，接收器包括第一接电部、第二接电部以及第三接电部，分别与第一电极层、第二电极层以及第三电极层电连接。
一种压电模组装置电子设备

[发明专利]压电模组及其制备方法、电子部件和电子设备-CN202111296199.3在审
发明人：曹文霞;陈静;古蒋林 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N30/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种压电模组及其制备方法、电子部件和电子设备。压电模组包括：第一压电层组，所述第一压电层组包括压电薄膜和与所述压电薄膜堆叠设置的第一电极层；第二压电层组，所述第二压电层组与所述第一压电层组堆叠设置，所述第二压电层组包括压电陶瓷和与所述压电陶瓷堆叠设置的第二电极层
压电模组及其制备方法电子部件电子设备

[发明专利]压电器件及其制作方法-CN202110839236.4在审
发明人：项少华;王冲;王大甲;蔡敏豪;杨应田 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L41/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电器件的制作方法以及压电器件。其中，压电器件的制作方法包括：提供基底；于基底表面形成压电材料层；于压电材料层表面形成保护材料层；于保护材料层表面形成图形化掩膜层；基于图形化掩膜层，依次对保护材料层以及压电材料层进行刻蚀，以依次形成保护层以及压电初始层，并去除图形化掩膜层以及保护层；对压电初始层进行处理，以形成表面粗糙度小于压电初始层表面粗糙度的压电层。本申请可以有效提高压电器件的压电性能。
压电器件及其制作方法

[发明专利]一种包括压电聚合物的压电元件-CN201210472730.2有效
发明人：梅欣;张俊 -专利权人：溧阳市生产力促进中心
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括聚合物的压电元件，其包括：第一电极层、压电层和第二电极层，其中，第一电极层设置于该压电层第一表面；第二电极层设置于该压电层第二表面，第一电极层与第二电极层具有不同的功函数，压电层由压电聚合物形成该压电元件以新颖的压电聚合物材料形成压电层，该压电元件的电致伸缩应变比以聚偏氟乙烯作为压电聚合物的压电元件提高2～5％。
一种包括压电聚合物元件

[实用新型]体声波谐振器及滤波器-CN202223544476.0有效
发明人：徐丰 -专利权人：武汉光钜微电子有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种体声波谐振器，包括：衬底；依次位于所述衬底上的反射结构、第一电极、混合压电层和第二电极；所述混合压电层至少包括第一压电层、第二压电层和至少一个调节层，所述第二压电层位于所述第一压电层上方，所述第一压电层的机电耦合系数与所述第二压电层的机电耦合系数不同；所述调节层用于调节所述混合压电层的机电耦合系数；所述调节层位于与所述第一压电层的同一结构层中和/或位于所述第二压电层的同一结构层中；所述调节层的面积小于所述第一压电层的面积，且小于所述第二压电层的面积。
声波谐振器滤波器

[发明专利]具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器-CN201810111237.5在审
发明人：赵俊武;林瑞钦 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。本发明通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。
压电层优选薄膜体声波谐振器第一电极基底第二电极反射界面寄生谐振依次设置侧向波谐振器共振寄生减小模态源区包围

[实用新型]具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器-CN201820198505.7有效
发明人：赵俊武;林瑞钦 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。本实用新型通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。
压电层优选薄膜体声波谐振器本实用新型第一电极基底第二电极反射界面寄生谐振依次设置侧向波谐振器共振寄生减小模态源区包围

[发明专利]压电微机电系统-CN201710239774.3有效
发明人：夏佳杰;M·普拉布哈钱德兰·奈尔;Z·斯比阿;R·P·耶勒汉卡;R·库马尔 -专利权人：新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明涉及压电微机电系统，为一种在通过介电层分离的衬底上包括压电堆栈的微机电系统(MEMS)装置。压电堆栈包括第一压电层与第二压电层，其具有位在第一压电层与接触垫下面的第一电极、以及位在第一压电层与第二压电层间的第二电极。第一接触穿过压电层与接触垫延展至第一电极，而第二接触穿过第二压电层延展至第二电极。接触垫防止接触开口中的第一压电层与第二压电层间形成接口，从而防止压电层在接触形成过程中遭受侵蚀。
压电微机系统

[发明专利]一种压电结构及其制备方法-CN202111051173.2在审
发明人：田一;聂京凯;崔建业;耿进锋;史昌明;龚文;何强 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网河南省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力有限公司金华供电公司;国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;浙江清华长三角研究院
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。
一种压电结构及其制备方法

[发明专利]压电纳米线的叠层结构及其制造方法-CN201110404235.3有效
发明人：万里兮;周静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
压电纳米结构及其制造方法

[发明专利]一种压电器件及其制备方法-CN201810111900.1在审
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本发明通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态制备阻抗生长

[实用新型]一种压电器件-CN201820198583.7有效
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本实用新型通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件本实用新型侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态阻抗生长

[发明专利]一种自发电电源及无线无源开关-CN202011572461.8有效
发明人：董永术 -专利权人：德能森智能科技（成都）有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种自发电电源，所述自发电电源包括压电组件、第一压电陶瓷层和/或第二压电陶瓷层，所述第一压电陶瓷层与压电组件相对设置，所述第二压电陶瓷层与所述压电组件接触，在所述第一压电陶瓷层向所述压电组件冲击的过程中，第一压电陶瓷层和/或第二压电陶瓷层产生电能，其中，压电组件包括与导电关节连接的至少两个环形的压电槽，若干第二压电球以间隔分布的方式固定分布在压电槽中。本发明中，若干子导电柱通过导电链固定并与导电关节连接，从而减少导电柱与第一压电陶瓷层和/或第二压电陶瓷层的接触面积，使得第一压电陶瓷和/或第二压电陶瓷层的形变更大，产生的电能更多。
一种发电电源无线无源开关

[发明专利]层叠压电元件-CN202180020130.X在审
发明人：香川裕介;芦川辉男;平口和男 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠压电元件，其在层叠了多层以电极层及保护层来夹持压电体层而成的压电薄膜的层叠压电元件中，能够抑制压电薄膜之间的短路。层叠压电元件层叠2层以上的压电薄膜而成，该压电薄膜具有压电体层、夹持压电体层的2个电极层及分别覆盖电极层的2个保护层，相邻的各个压电薄膜的端边的至少一部分在面方向上位于不同位置。
层叠压电元件

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