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[发明专利]基于忆阻器矩阵的权值运算模块-CN201811358461.0有效
发明人：王钰琪;徐威;陈义豪;梁定康;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：一种基于忆阻器矩阵的权值运算模块，所述基于忆阻器矩阵的权值运算模块，包括第一忆阻器矩阵、第二忆阻器矩阵和多个差分电路；所述第一忆阻器矩阵与所述第二忆阻器矩阵的结构相同，同为行输出或列输出；所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的行与列之间不交叉并通过对应设置的忆阻器耦接；所述差分电路与所述第一忆阻器或第二忆阻器的输出端口的数量相同，且所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的同一输出端口分别与对应设置的差分电路的同相输入端和反相输入端耦接。上述的方案，可以利用忆阻器实现权值的负数运算，丰富权值运算的结果。
基于忆阻器矩阵运算模块

[发明专利]基于二维材料MXenes的光电忆阻器及其制备方法-CN202211735258.7在审
发明人：张浩;张缪城;童祎;王新朋 -专利权人：新微比特纳米科技(苏州)有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于二维材料MXenes的用于光类脑计算的光忆阻器的设计及制备方法。该光忆阻器首次提出用二维MXenes材料做光忆阻器的光阻变层，MXenes材料表面的光响应依赖于表面的等离子辅助的热载流子，可以形成光响应电流。同时，MXenes在不同波长的光的照射下，能实现功函数的调节，从而实现多比特存储忆阻器的设计。该发明为MXene材料在光电忆阻器的发展奠定了基础，同时推动了光类脑计算的进一步发展。
基于二维材料 mxenes 光电忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于锰钴镍氧的忆阻器及制备方法-CN202211740081.X在审
发明人：张浩;王宇;童祎;王新朋 -专利权人：新微比特纳米科技(苏州)有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提出一种基于锰钴镍氧的忆阻器及其制备方法，忆阻器由下至上包括衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层为锰钴镍氧材料层。通过设计一整套的锰钴镍氧的工艺方法，将锰钴镍氧材料应用到三明治结构忆阻器的活性层中担任阻变层，以形成金属‑锰钴镍氧‑金属的三明治结构。通过其在外加电压下，活性层中的金属离子实现完全氧化态到亚氧化态的转变，来实现了忆阻器丰富的阻值变化，实现忆阻特性。利用该技术可以制备具备丰富非线性度的低功耗忆阻器。本发明实现的高非线性度对于实现存算一体构架的类脑计算单元具有一定的研究价值。本发明提出的步骤简单和低成本的工艺方法适合工业化生产。
基于锰钴镍氧忆阻器制备方法

[发明专利]一种忆阻器的循环电路及方法-CN202310422788.4在审
发明人：陈子洋;王天凯;叶鹏飞;俞景豪;张缪城;童祎;笪海霞 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的循环电路及方法，其中电路包括参考电压生成模块，参考电压选择模块，稳压器模块，输出选择模块。首先经由参考电压生成模块产生两个参考电压VREF1和VREF2，经过参考电压选择模块的开关SW1、SW2有选择性的输入到稳压器模块，稳压器根据输入的参考电压生成忆阻器开启电压或忆阻器复位电压，再经过输出选择模块施加于忆阻器。本发明能通过简单的高低电平控制信号，实现忆阻器的开启或复位。
一种忆阻器循环电路方法

[发明专利]一种基于忆阻器阵列的神经网络突触觉结构-CN201811272115.0有效
发明人：肖建;张粮;张健;童祎;洪聪;吴锦值 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明提出一种基于忆阻器的神经网络突触阵列电路，用于连接神经网络中前一层神经元与后一层神经元；该电路包括突触阵列，突触阵列包括n*m个突触结构，每个突触结构由一个肖基特二极管和一个忆阻器件串联而成；肖基特二极管的阳极作为突触结构的输入端，肖基特二极管的阴极与忆阻器件的输入端相连，忆阻器件的输出端作为突触结构的输出端；位于同一行的m个突触结构的输入端相连，作为本行突触阵列的输入端；而位于同一列的n个突触结构的输出端相连，作为本列突触阵列的输出端；所述突触阵列共有n个输入端和m个输出端。本发明能够防止忆阻器电路在信息处理过程中发生多路漏电流现象；且能够根据实际输入信号的规模和特点进行扩展和改变。
一种基于忆阻器阵列神经网络突触结构

[发明专利]一种分时复用忆阻存储电路结构及工作方法-CN202310349682.6在审
发明人：张粮;刘佳;刘娟;车巍;童祎;肖建;王兰 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分时复用忆阻存储电路结构及工作方法，所述分时复用忆阻存储电路包括若干阵列排布的忆阻器存储单元；每个忆阻器存储单元包括反向连接的忆阻器m1和m2；通过对通道选择器设置不同的工作电平，结合外存储单元阵列外部的MOS管T1，在不同的通道选择Channel Selector工作电平下，实现存储、读取、格式化的对应功能；本发明基于分时复用原理，将存储、读取、格式化电路结构进行部分复用，简化了忆阻器作为存储核心单元的外围电路和布线，保证了资源的合理使用，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种分时复用忆阻存储电路结构工作方法

[发明专利]一种新型结构的钛酸镧铁电忆阻器阵列及其制备方法-CN202310395009.6在审
发明人：王德波;陈星宇;童祎;张缪城 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型结构的钛酸镧铁电忆阻器及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的Pt底电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层为位于第二电极层上的介质层，所述介质层为40nm厚度的钛酸镧薄膜和1.37nm总厚度的银薄膜，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的Ag顶电极层，所述顶电极层与底电极层之间交叉布设。本发明通过对介质层厚度的增大和Ag原子的掺杂提升了钛酸镧铁电忆阻器的开关比，极大降低了器件的功耗，使器件满足神经形态计算的功耗需求。
一种新型结构钛酸镧铁电忆阻器阵列及其制备方法

[发明专利]一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法-CN202211532020.4在审
发明人：张粮;车巍;童祎;王璇之;肖建;王宇 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法，每个忆阻器存储单元包括反向相连的忆阻器m1和忆阻器m2；每个忆阻器的上电极和下电极分别设有第一金属丝线和第二金属丝线；所述第一金属丝线连通读取层电路，第二金属丝线连通编码层电路；本发明采用堆叠式方法设计了编码层电路和读取层电路，二者共用忆阻器存储单元，且互相独立，同时公开了相应的工作方法，包括编码、读取和格式化方法；本发明设计的堆叠式双忆阻器存储电路结构既保证了资源的合理使用，更提升了忆阻器作为存储核心单元的稳定性，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种堆叠式双忆阻器存储结构电路工作方法

[发明专利]一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及扩容方法-CN202211578614.9在审
发明人：张粮;童祎;孟宇泰;封澳;肖建;王瑞;刘娟 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及扩容方法，每个忆阻器存储单元包括依次串联在Vs和Vd输入端的编码Cod、电阻R1和忆阻器m；n位地址选择器设有位信号输入端，通过二极管VD2输入位信号至编码Cod和电阻R1间；电阻R1与忆阻器m间连接二极管VD1，输出存储值；同一列忆阻器存储单元共用一个位信号输入端；在所述忆阻器m与Vd端之间添加有二值化标记电路，通过输出不同类型的标记信号和存储值组合，实现成倍扩容忆阻器存储阵列输出值；本发明提供了两种不同类型的标记电路及工作方法，同时设计了相应的输出电路，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使多态忆阻器在存储电路中的应用具有更好的适用性。
一种基于二值化标记扩容忆阻器存储阵列方法

[发明专利]基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法-CN202211739344.5在审
发明人：但荣辉;魏仡昕;刘城;戎焕焕;丁子轩;贺林;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，目的在于将高性能的铁电忆阻器应用到逻辑运算中。该方法将铁电忆阻器的伏安特性进行数据拟合，以建立具有铁电忆阻器特性的器件模型，然后通过Cadence Virtuoso工具设计出基于铁电忆阻器的与门、或门、减法器、加法器和比较器一系列基本逻辑电路，并对各个电路进行仿真验证本发明的可靠性。本发明意在将低功耗、快读写速度、耐久性好的铁电忆阻器器件运用到逻辑运算中，具有广阔的前景。
基于铁电忆阻器逻辑电路实现方法

[发明专利]一种人工神经元阈值忆阻器、制备方法及应用-CN202211179513.4在审
发明人：叶帆;何南;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工神经元阈值忆阻器、制备方法及应用，忆阻器包括由下至上设置在衬底上的底电极和顶电极，其中底电极和顶电极之间设置有阻变层和插入层；阻变层为丝胶蛋白材料薄膜，插入层为量子点材料薄膜，量子点材料薄膜由AgInZnS材料制备而成，能够减少导电细丝生长的随机性，降低开关参数的弥散性，提升忆阻器的稳定性。
一种人工神经元阈值忆阻器制备方法应用

[发明专利]一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法-CN202211657882.X在审
发明人：张粮;童祎;蔚仁伟;王宇;何南;连晓娟;万相 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。
一种基于 fgmos 扩容忆阻器存储阵列工作方法

[发明专利]基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法-CN202211452697.7在审
发明人：张粮;童祎;肖建 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法，每个忆阻器单元包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2；所述编码Cod、忆阻器m和电阻R依次串联，编码Cod另一端连接地址寄存器Cod_address_reg，输入脉冲信号Vs通过地址寄存器Cod_address_reg连接编码Cod；电阻R另一端连接外部脉冲信号Vd；外部脉冲信号Vd与电阻R间还设有接地的MOS管T4；二极管VD1正极连接于忆阻器m和电阻R之间，负极连接电压跟随器的输入端；二极管VD2正极与n位地址选择器输出的位信号相连，负极连接至编码Cod和忆阻器m之间；本发明根据不同阶段需求，通过调整MOS管T4可以实现正反双向编码、擦除及读取，解决了传统读取电路端口资源浪费的问题。
基于忆阻器阵列字多态可编程存储电路使用方法

[外观设计]股骨近段解剖接骨板-CN202230281029.7有效
发明人：王佳琦;罗晓中;童祎;闫洁 -专利权人：王佳琦
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： 24-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：股骨近段解剖接骨板。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于股骨内固定。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
股骨解剖接骨

[发明专利]忆阻器及其制备方法-CN202010679453.7有效
发明人：何南;堵大伟;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，所述阻变层包括介质层和旋涂在介质层上方的量子点材料膜，所述量子点材料膜由AgInZnS材料制备而成，所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述量子点材料膜的底部与所述介质层的顶部相接触、所述量子点材料膜的顶部与所述顶电极的底部相接触相较于现有技术，本发明引入量子点材料制备形成的忆阻器，具有稳定性好、均一性高和功耗低等优点，更好地满足了类脑系统对忆阻器的性能要求；同时本发明的制备方法简便高效，且材料成本低。
忆阻器及其制备方法

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