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[实用新型]压力传感器-CN201120541628.4有效
发明人：毛剑宏;唐德明 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种压力传感器，包括：半导体基底，在所述半导体基底内具有控制电路和互连结构，在所述半导体基底上形成有底部电极，所述互连结构将所述底部电极和控制电路电连接；顶部电极，包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁与所述底部电极相对设置，所述底壁位于所述半导体基底上，所述侧壁连接底壁和顶壁，所述顶部电极和底部电极之间为空腔；介质层，覆盖所述半导体基底和顶部电极，所述介质层具有呈环状的第二开口，所述第二开口隔离出所述顶部电极的部分顶壁，该隔离出的部分顶壁作为压力传感区。
压力传感器

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备-CN201910825808.6在审
发明人：杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器还包括用于底电极的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置于所述底电极的顶面；且所述刻蚀阻挡层的内端在谐振器的截面图中位于有效区域内而与所述顶电极重叠，所述顶电极的端部基于所述重叠而形成台阶结构。
声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[实用新型]一种新型的胶口电极-CN201920427160.2有效
发明人：梁忠玲 -专利权人：深圳市金三维模具有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B23H1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的胶口电极，包括基座、底孔、顶孔、电极底座、电极锥座、涨紧孔、涨紧螺栓，所述基座中心底部开有竖直方向的底孔，所述底孔顶部贯穿有直径顶孔，所述顶孔直径小于底孔直径，所述电极底座顶部与电极锥座一体成型组成电极，所述电机底座和电极锥座连接与底孔和顶孔，所述基座侧壁分别开有相通大小的涨紧孔，所述涨紧孔内分别连接有涨紧螺栓。本实用新型成本低，加工方便、稳固、还可以重复利用，确保电极在竖直线上，使模具加工减少误差。
电极底孔涨紧顶孔锥座本实用新型螺栓电极底座电机底座基座侧壁基座中心加工方便模具加工一体成型重复利用竖直线胶口竖直相通稳固贯穿

[发明专利]顶发射显示面板、显示装置及其制作方法-CN201710875624.1在审
发明人：陈亚文;宋晶尧;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。该顶发射显示面板包括包具有驱动TFT阵列的基板、设于基板上的反射底电极和像素界定层、位于相邻像素界定层之间的发光功能层以及位于像素界定层和发光功能层上的透明顶电极，其中像素界定层上设有电接孔，透明顶电极和驱动该顶发射显示面板可显著减小电流注入路径，显著提高透明顶电极的导电性，继而能够有效消除透明顶电极导电性不足引起的电压降，能够显著改善显示面板及显示装置的发光均匀性。
显示面板顶电极顶发射像素界定层显示装置透明导电性发光功能层电接基板电流注入路径发光均匀性驱动导电连接相邻像素底电极电压降减小界定反射制作

[发明专利]体声波滤波器装置-CN201910693776.9在审
发明人：朴章皓 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：基板，包括绝缘层；谐振部，包括设置在所述基板上的底电极、设置在所述底电极的至少一部分的上方的压电层和设置在所述压电层的至少一部分的上方的顶电极；布线部，连接到所述谐振部，使得所述顶电极或所述底电极延伸到所述布线部中；连接电极，将所述顶电极和所述底电极连接到外部装置；以及热传递构件，将所述底电极和所述顶电极中的至少一者的设置在所述布线部中的部分连接到所述基板所述谐振部设置有设置在所述底电极的下方的腔，并且所述热传递构件设置在所述腔的外部。
声波滤波器装置

[发明专利]光电元件、显示单元及其制造方法、显示面板-CN201010614224.3有效
发明人：陈颖德 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：该光电元件包括透明底电极、光敏感层、第一电极、第二电极以及透明顶电极。光敏感层位于透明底电极上方，第一电极与第二电极配置于光敏感层上。透明顶电极位于光敏感层上方。
光电元件显示单元及其制造方法面板

[发明专利]一种光电集成多位阻变存储器及制备方法-CN201510995816.7在审
发明人：赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。其制备方法包括(1)衬底清洗；(2)在衬底上形成交叉阵列的底电极图形；(3)通过溅射技术及后处理形成底电极列；(4)在底电极阵列上形成交叉阵列的交叉点图形；(5)通过溅射技术及后处理沉积存储功能层；(6)通过构图工艺形成交叉阵列的顶电极图形；(7)通过溅射技术及后处理得到一层顶电极线阵列。
一种光电集成多位阻变存储器制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波传感器及其制备方法-CN202210446038.6在审
发明人：谷曦宇;刘炎;刘文娟;徐沁文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01D5/48 文献下载
摘要：一种薄膜体声波传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域，该方法包括：在第一衬底上刻蚀形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积牺牲层；在第一衬底上依次形成支撑层和底电极层，并图案化底电极层形成底电极图案；在底电极图案上依次形成压电层和顶电极层，并图案化顶电极层形成顶电极图案，底电极图案、压电层和顶电极图案在层叠方向上的交叠区域作为谐振区域；在顶电极图案上刻蚀形成释放孔，释放孔依次穿透压电层、底电极图案和支撑层至露出牺牲层；经由释放孔刻蚀牺牲层至露出第一凹槽形成空腔
一种薄膜声波传感器及其制备方法

[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202211062809.8在审
发明人：曲远航;孙成亮;孙博文;蔡耀;邹杨;高超;罗天成;王雅馨 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，包括衬底上形成单晶压电薄膜层,单晶压电薄膜层刻蚀贯通至衬底的第一沟槽,第一沟槽内沉积第一牺牲层；单晶压电薄膜层沉积第二牺牲层和底电极,第二牺牲层用于形成底电极和单晶压电薄膜层之间的底电极空气桥；底电极依次形成第三牺牲层和支撑层,第三牺牲层形成支撑层和底电极之间的空腔；支撑层上形成键合层；键合层上通过晶圆键合层键合晶圆；去除衬底；单晶压电薄膜层上依次形成第四牺牲层和顶电极,第四牺牲层用于形成顶电极和单晶压电薄膜层之间的顶电极空气桥,顶电极空气桥通过第一沟槽和空腔连通；顶电极刻蚀单晶压电薄膜层形成第二沟槽,第二沟槽和底电极空气桥连通。
薄膜声波谐振器及其制备方法

[实用新型]用于超高真空与低温系统内部的局部照明装置-CN200720148990.9无效
发明人：王振中;赵宏武;陈东敏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： F21V23/06 文献下载
摘要：该装置包括在超高真空与低温装置腔体的内部设置一个冷光源，其包含一表面镀铝的铜块底电极(1)、底电极上的一侧用银胶粘附有LED芯片(2)、底电极上相对LED芯片的另一侧粘附铜片顶电极(3)，顶电极(3)和底电极之间用云母片(4)电绝缘，每个LED芯片的顶电极(5)通过细导线与顶电极(3)进行电连接；将冷光源的底电极与腔体内的金属体进行良好接触，并与外加电源共地，冷光源的顶电极用导线引出，并通过电极馈送孔与腔体外的电源电连接
用于超高真空低温系统内部局部照明装置

[发明专利]一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法-CN201910290608.5在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法，在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极，磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作可电学导通的赝磁性隧道结底电极、可低电阻导通的赝磁性隧道结和赝磁性隧道结顶电极，并且赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐；在存储阵列单元区域的磁性隧道结顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层金属连线Mx+1
一种磁性隧道结存阵列单元及其外围电路制备方法

[发明专利]铁电存储器及制造方法及包括铁电存储器的电子设备-CN202210090285.7在审
发明人：王艳;党治伟;罗庆;吕舒贤;陈美文 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本公开提供一种铁电存储器的制造方法，包括：在衬底上形成依次叠设的底电极和铁电层，其中，铁电层为掺杂的氧化铪基铁电层；在铁电层上形成顶电极，其中，所述顶电极为氮化钛材料的顶电极，在形成顶电极的过程中，通过调节氮气的流量，以调节顶电极中氮原子和钛原子的比率。
存储器制造方法包括电子设备

[发明专利]一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用-CN202110961205.6有效
发明人：杨蕊;张泽琛;缪向水;王昊伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。
一种基于调控导电生长选择器性能优化方法应用

[实用新型]数控整流子点焊机-CN200920065519.2无效
发明人：杨建国;向金玲 -专利权人：长沙捷腾自动化设备有限公司
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： B23K11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数控整流子点焊机，包括主电极、一个用于向下顶主电极的顶杆、一个能使顶杆上下移动的调节轮，所述顶杆一端与主电极的上端紧贴，另一端与调节轮螺纹连接。本实用新型在工作时，只需旋转调节轮，通过调节轮的旋转调整顶杆，从而达到调节主电极的要求。本实用新型结构简单，操作方便，不需要等主电极冷却，节省了时间，并且定位精度高。
数控整流子点焊

[发明专利]一种压电式MEMS声传感器-CN201911117499.3有效
发明人：吴鹏程;曾怀望;张永平;焦文龙 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种压电式MEMS声传感器，包括基底、内部电极区及外部电极区，外部电极区位于内部电极区的外围，所述内部电极区与外部电极区均包括由上至下层叠的顶电极、上压电层、中间电极、下压电层和底电极；内部电极区中的顶电极、中间电极和底电极与外部电极区中的顶电极、中间电极和底电极彼此间隔；在基底的顶部设置有下支撑层，内部电极区及外部电极区均位于下支撑层上，在内部电极区及外部电极区的顶面均设置有由硅基材料制成的上支撑层。
一种压电 mems 传感器