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[发明专利]一种新型LED芯片制造方法-CN202210153077.7有效
发明人：张宇;王世国;张振;黄文光 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种新型LED芯片制造方法，在外延片中刻蚀出N‑GaN台阶，并依次进行附着电流阻挡层和透明导电层，并去掉电流阻挡层和透明导电层的多余附着部分。在基于透明导电层上匀上负性光刻胶，在负性光刻胶层上通过光刻板进行曝光，通过软烤,显影去除多余部分的负性光刻胶，附着一层电极金属层，在通过金属剥离技术去除多余部分的电极金属。电极金属层存在曝光图形状的无金属覆盖部分，在封装负电极打线焊接，负电极金属活性增大形变时，会向无金属覆盖部分进行挤压，以减小负电极向外部形变扩大的程度，避免负电极触碰MESA引发漏电，造成LED芯片焊线不良失效，提高LED芯片的工作效率和使用寿命。
一种新型 led 芯片制造方法

[发明专利]一种LED外延薄膜结构-CN202310560944.3在审
发明人：江汉;赵丽霞;徐洋洋;陈佳伟;程虎;黎国昌;王文君;苑树伟 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种LED外延薄膜结构。所述结构通过在N型GaN层中间设置调理层，调理层中以AlGaN层为电流扩展层以形成横向扩展便于载流子的扩散，提高LED器件电流耐受能力。以InGaN层作为湮灭层，缓解晶体生长过程中产生的晶格缺陷、位错现象，以提高多量子阱垒层的长晶质量。以SiNx位湮灭层，缓解晶体生长导致的内界面凹凸现象，并辅助形成屏蔽效应和沟壑层效应，以提升载流子扩散能力。接触层通过类金属接触层、MgN层以及反型P型接触层，提供高空穴浓度的高位夹层，有利于载流子扩散。并且通过增强欧姆接触效应，进一步提升载流子的扩散能力以及LED器件的电流耐受能力。
一种 led 外延薄膜结构

[发明专利]一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统-CN202310498283.6在审
发明人：黄文光;樊明军;褚志强;曹玉飞;张振;赵方方;马璐 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请提供一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统，所述方法可以在目标倒装高压芯片中定位失效单晶，其中，目标倒装高压芯片包括多个发光单晶，失效单晶为存在漏电的发光单晶。并对正常单晶执行短路处理，以及向执行短路处理后的目标倒装高压芯片施加测试电压，以定位失效单晶的漏电位置，其中，正常单晶为目标倒装高压芯片上除失效单晶以外的发光单晶。所述方法采用破坏性方式，对倒装高压芯片中的失效单晶进行漏电分析，通过定位多晶串中的失效单晶，并对倒装高压芯片进行短路处理，使失效单晶以外的单晶均短路，进而实现定位漏电失效点，提高芯片漏电位置定位的准确性。
一种倒装高压芯片漏电定位方法系统

[发明专利]一种低蓝光组分可变光LED外延结构及制备方法-CN202310396516.1在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;王文君;苑树伟;徐志军;徐彤 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种低蓝光组分可变光LED外延结构及制备方法，所述外延结构包括衬底；生长于所述衬底之上的缓冲层；生长于所述缓冲层上的N型GaN层；生长于所述N型GaN层之上的多量子阱发光层；生长于所述多量子阱发光层之上的电子阻挡层；以及，生长于所述电子阻挡层之上的P型GaN层。通过生长在N型GaN层上的多层结构的多量子阱发光层，使由所述外延结构构成的LED芯片在电致发光过程中散发双波长的光线，且光线的波长配比能够随电流密度的变化而变化，从而降低LED中的蓝光组分，并减少了低蓝光组分LED中的芯粒数量，提高低蓝光组分LED的良品率。
一种低蓝光组分可变 led 外延结构制备方法

[发明专利]一种LED发光二极管的芯片及其制作方法-CN202310361361.8在审
发明人：褚志强;陈浩;屈世康;张志强;马闯;高洁;张振;赵倩;吴和兵;曹玉飞 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种LED发光二极管的芯片包括：电流阻挡层包括第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，第一电流阻挡层沿外延层的长度方向生长，多个第二电流阻挡层相互间隔的设置在第一电流阻挡层的一端，多个第二电流阻挡层呈预设形状排布生长；第一电流阻挡层沿远离第二电流阻挡层的方向逐渐变宽；透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层生长在电流阻挡层上，第一透明导电层与第二电流阻挡层至少部分重叠，第二透明导电层生长在外延层上；金属手指电极由金属手指电极第一端至金属手指电极第二端宽度变窄，金属手指电极的宽度小于第一电流阻挡层的宽度，金属手指电极第一端的周围分布第二电流阻挡层。
一种 led 发光二极管芯片及其制作方法

[实用新型]一种晶圆分选机用清洁装置-CN202223291176.6有效
发明人：李更生;杨科 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：一种晶圆分选机用清洁装置，属于晶圆加工技术领域，包括分选机构本体，所述分选机构本体上设有蓝膜，在现有技术的基础上本装置增加了伸缩机构、连接机构、安装于伸缩机构一端与伸缩机构配套使用的清洁机构，其中,连接机构安装于分选机构本体的一侧,伸缩机构采用可拆卸连接方式与连接机构相连，伸缩机构上设有伸缩杆，清洁机构采用可拆卸连接方式安装于伸缩杆的一端，所述伸缩杆能够带动清洁机构沿着伸缩杆长度的方向做往复运动，本装置操作简单使用维护方便，相对于传统的刺穿蓝膜的清理方式，本方案清理的更彻底，无残留产生，亦无需耗费额外的蓝膜，节约了生产成本适宜大规模推广使用。
一种分选清洁装置

[发明专利]一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构-CN202211602511.1在审
发明人：请求不公布姓名;陈传国;徐志军 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种图形化衬底、制备方法及LED外延结构，方法包括：提供一层衬底，在衬底上生长一层AlON缓冲层；在AlON缓冲层上交替生长AlOx和AlNy，得到分布式布拉格反射镜DBR薄膜，其中，x为AlOx中O的掺杂浓度，y为AlNy中N的掺杂浓度；对DBR薄膜进行图形化处理，得到图形化衬底。设置AlON缓冲层，有效减少GaN外延材料的位错密度，增强内量子效应，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命。设置图形化处理的DBR薄膜，有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。
一种图形衬底制备方法 led 外延结构

[发明专利]一种发光二极管及制备方法-CN202211650869.1在审
发明人：黎国昌;陈浩;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管及制备方法，二极管包括应力释放层和量子阱层保护结构；量子阱层保护结构包括依次沉积的至少一个循环结构，每个循环结构包括：在应力释放层上依次沉积的AlGaN垒层、第一AlN保护层、第二AlN保护层、第一AlInN保护层、InGaN阱层、第二AlInN保护层、第三AlN保护层和第四AlN保护层，第一AlInN保护层和第二AlInN保护层中的In组分含量均从远离InGaN阱层至靠近InGaN阱层的方向逐渐增大。通过设置第一AlInN保护层和第二AlInN保护层，保证InGaN阱层中含有较高的In组分含量，以获得高质量高发光率的红黄光InGaN阱层，保证发光二极管的发光效率。
一种发光二极管制备方法

[发明专利]一种发光二极管及制备方法-CN202211719733.1在审
发明人：褚志强;黄鑫;马贤杰;刘宇;马璐;詹宇;赵倩;吴和兵;曹玉飞 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管及制备方法，发光二极管包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为入光面，第二表面为出光面；生长在第一表面的发光结构层，发光结构层为衬底提供入射光；第一反射层，生长在发光结构层上；金属调光膜，生长在第二表面，用于调节光线的出射方向，且与第一反射层组成双面反射结构。通过设置金属调光膜，金属调光膜生长在衬底的上表面，从而提高了发光二极管的侧向光的光照强度，使得发光二极管不仅能够实现轴向出光，还能够实现较好的侧向出光，进而实现发光二极管的大广角发光。
一种发光二极管制备方法

[发明专利]一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法-CN202111479720.7有效
发明人：黄文光;林潇雄;王洪峰;张振 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法，由于在LED制造工艺过程中，第二次电极蒸发的厚度对电压亮度的影响不大，为了降低成本，通常选择将厚度设定在0.5‑1um；通过研究发现，第二次电极蒸发厚度过薄，容易导致抗EOS能力偏弱。本发明提供的方法，通过增加第二次金属电极蒸发的金属叠层的厚度，在不影响光电性能的情况下，大幅度提升LED芯片的抗EOS能力，减少发生EOS事件的几率，提高LED芯片的的使用寿命。
一种增强 eos 能力倒装 led 芯片制作方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN202210166545.4有效
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。
一种 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种新型源瓶-CN202223291980.4有效
发明人：徐志军;刘勇;蒲健;谢陶;李本功 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F16L41/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型源瓶，包括第一源瓶、第二源瓶及多个支撑台，所述第一源瓶顶端分别固接第一长管及第一短管，所述第二源瓶顶面固接第二长管及第二短管，所述第一长管、第一短管、第二长管及第二短管上连通管路部件，所述管路部件包括进气组件、出气组件、第一辅助组件、第二辅助组件及连接组件，所述进气组件连通第一长管，所述出气组件连通第二短管，所述连接组件两端分别连通第一短管及第二长管，所述第一辅助组件两端分别连通进气组件及出气组件。本实用新型可以通过启闭多个阀门的方式改变气体在源瓶内的流量和方向，在不同阶段保证mo源与气体的接触面积，保证源效率，并且无需调整进气位置即可实现，操作更加简便，也更加效率。
一种新型

[实用新型]一种具有回收功能的LED制造用上蜡设备-CN202223071399.1有效
发明人：魏永吉;陈殿良;黄鑫;蔡宗达 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-11-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01D35/28 文献下载
摘要：一种具有回收功能的LED制造用上蜡设备，属于LED上蜡装置技术领域，包括上蜡机本体、安装于上蜡机本体之上的滴蜡机构、回收装置、过滤装置和控制单元，滴蜡机构的底部依次设置有回收装置和过滤装置，回收装置和过滤装置之间通过第一导流管相连通，过滤装置的底部设有第二导流管，第二导流管与滴蜡机构相连，过滤装置内流出的蜡液经由第二导流管能够回流至滴蜡机构内，所述回收装置、过滤装置、第一导流管、第二导流管上均设有加热温控装置，各加热温控装置分别与主控单元相连，本实用新型结构简单，构思巧妙，能够将预吐蜡进行回收重复利用，无需人为干预清洁，适宜大规模推广使用。
一种具有回收功能 led 制造用上设备

[实用新型]一种发光二极管-CN202223560891.5有效
发明人：褚志强;黄鑫;赵倩;赵方方;曹玉飞;张振;马闯;夏磊 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本申请提供的一种发光二极管，包括衬底；依次沉积在衬底上的N型GaN层、PN结层、P型GaN层、透明导电层；透明导电层上设有通孔，通孔朝向衬底方向延伸，并贯穿P型GaN层、PN结层和N型GaN层。通过设置通孔，使得光线朝向背离衬底的方向折射，即朝向透明导电层的方向出射，从而避免光线在发光二极管中来回反射降低发光效率，也避免光线在来回反射过程中被吸收消耗成热能，保证发光二极管的寿命。而且，降低透明导电层对光吸收面积，提高外量子效率，进而提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]一种半导体发光元件及制备方法-CN202211586914.1在审
发明人：黎国昌;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 -专利权人： 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体发光元件及制备方法。半导体发光元件包括衬底；沉积在衬底上的多量子阱发光层；在多量子阱发光层上依次沉积的第一电子阻挡层、第一空穴加速层、第一空穴提供层，第一空穴加速层的In组分含量从靠近第一电子阻挡层一侧到靠近第一空穴提供层一侧相同或逐渐增大；在第一空穴提供层上依次沉积的第二电子阻挡层、第二空穴加速层、第二空穴提供层，第二空穴加速层的In组分含量从靠近第二电子阻挡层一侧到靠近第二空穴提供层一侧相同或逐渐增大。通过控制InGaN中In组分含量高低来控制InGaN势垒高低，可有效提升空穴注入效率，提升多量子阱发光层电子和空穴的复合效率，最终提升半导体发光元件的发光效果。
一种半导体发光元件制备方法

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