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[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法-CN202211138629.3在审
发明人： 耿金鹏;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料层及第二芯轴材料层；刻蚀形成第二芯轴图形，在所述第二停止材料层及所述第二芯轴图形的表面形成第一侧墙材料层；在所述存储区的第一侧墙材料层上形成图形化的掩模层，形成多个第一侧墙图形；去除所述图形化的掩模层，形成多个第一芯轴图形；在所述第一停止材料层及所述第一芯轴图形的表面形成第二侧墙材料层，形成多个第二侧墙图形；以及，顺形地向下刻蚀以形成多个鳍结构；本发明在满足不同器件对鳍结构间距的要求的同时且节省工序。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种与油菜硒高效性状主效QTL位点qSe.C04紧密连锁的分子标记及应用-CN202111075310.6有效
发明人：王汉中;顿小玲;任丽军;耿金鹏;王新发 -专利权人：中国农业科学院油料作物研究所
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明属于分子生物学及遗传育种技术领域，具体涉及一种与油菜硒高效性状主效QTL位点qSe.C04紧密连锁的分子标记及应用。本发明首次获得了控制油菜硒高效性状的稳定的QTL位点qSe.C04，并检查到与该位点紧密连锁的位于已公开发表的甘蓝型油菜Darmor‑bzh v10基因组第C04染色体上第49453541个碱基的SNP标记，可解释12.7％的表型变异。根据该变异位点的反义链，设计的KASP分子标记SeC04J，利用该标记可鉴定油菜硒高效QTL位点qSe.C04的优异等位变异，快速准确筛选出硒含量较高的优良单株，该分子标记还可与其他分子标记联用，进一步提高油菜硒富集能力筛选育种效率。
一种油菜高效性状 qtl qse c04 紧密连锁分子标记应用

[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法-CN202111045914.6有效
发明人： 耿金鹏;刘洋;杨渝书 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域；刻蚀以去除所述PMOS区域的基底的部分厚度；在所述PMOS区域和所述NMOS区域的所述基底上保形地形成鳍片材料层；在所述鳍片材料层上依次保形地形成第一掩模层和第二掩模层；研磨以去除部分厚度的所述第二掩模层；刻蚀以去除所述第一掩模层、所述第二掩模层、所述NMOS区域的鳍片材料层及所述PMOS区域的部分厚度的鳍片材料层；在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片；本发明减小了NMOS管的鳍片与PMOS管的鳍片的高度差。
半导体器件制备方法

[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法-CN202111045921.6有效
发明人： 耿金鹏;刘洋;杨渝书 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层；在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述NMOS区域的基底及所述第一鳍片材料层；在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；研磨以去除部分厚度的所述掩模层；刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层；在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片；本发明减小了NMOS管的鳍片与PMOS管的鳍片的高度差。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种金莲花的无菌快繁方法和金莲花的种植方法-CN202310128773.7在审
发明人：曹天光;张新旭;耿金鹏;秦垒;王慧 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金莲花的无菌快繁方法和金莲花的种植方法，涉及金莲花培育技术领域。该无菌快繁方法包括将清洗后的金莲花种子采用酒精和次氯酸钠共同消毒；随后接种萌发获得金莲花幼苗；其中，萌发培养基是通过先向基础培养基中加入头孢霉素与混合液，再加入活性炭和维生素C获得的；将金莲花幼苗培育、炼苗和移栽。本申请经上述处理可以有效改善金莲花消毒效果欠佳，染菌和褐化严重的问题，有利于提升金莲花组织培养的成苗率和增殖率。同时本发明提供的方法，种子5‑6天开始萌发，种子无菌萌发率80.67％，繁殖周期60天，增殖系数为4.34，移栽成活率达90％以上，极大地提高了金莲花的繁殖数量与生长速率。
一种金莲花无菌方法种植

[发明专利]一种后段金属线的形成方法-CN202111208040.1在审
发明人：刘洋;耿金鹏;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种后段金属线的形成方法，形成硬掩膜薄膜堆叠结构，硬掩膜薄膜堆叠结构从下到上依次包括ULK Cap层、第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层；在第三薄膜层形成金属线第一道图形CA；在金属线第一道图形CA沟道下的第二薄膜层上形成金属线第一道图形的阻断BA；沉积和刻蚀第四薄膜层，在金属线第一道图形CA的侧壁和金属线第一道图形CA的阻断沟道中形成隔绝；在第三薄膜层的暴露位置注入B离子；形成金属线第二道图形的阻断BB和金属线第二道图形CB的图形；以及以第四薄膜层和第三薄膜层作为硬掩模刻蚀第二薄膜层和第一薄膜层，停在第一薄膜层上，将在第二薄膜层上形成的图形转移到第一薄膜层上作为最终的掩膜，对ULK Cap层进行刻蚀。
一种后段金属线形成方法

[发明专利]一种后段金属线的图形化方法-CN202111208163.5在审
发明人：刘洋;杨渝书;耿金鹏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种后段金属线的图形化方法，形成硬掩膜薄膜堆叠结构，该硬掩膜薄膜堆叠结构从下到上依次包括ULK Cap层、第一、第二层和第三薄膜层；在第三薄膜层形成金属线第二道图形CB的阻断BB；在第二薄膜层上形成金属线第一道图形CA的阻断BA；在金属线第一道图形阻断BA、金属线第二道图形的阻断BB的阻断沟道中和金属线第一道图形CA侧壁形成隔绝；对金属线第二道图形CB进行光刻和刻蚀，刻穿第三薄膜层，停止在第二薄膜层；以阻断材料TiO层和第三薄膜层作为硬掩模，刻蚀第二薄膜层和第一薄膜层，把金属线第一道图形CA、金属线第二道图形CB、金属线第一道图形阻断BA和金属线第二道图形阻断BB的图形信息传递到第一薄膜层，作为最终的硬掩模，对ULK Cap层进行刻蚀。
一种后段金属线图形方法

[发明专利]一种后段金属线的图形化方法-CN202111208174.3在审
发明人：刘洋;耿金鹏;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种后段金属线的图形化方法，图形化硬掩膜薄膜堆叠结构，所述第一道图形CA，在第一道图形CA沟道下的第二薄膜层上形成第一道图形的阻断BA；沉积和刻蚀第四薄膜层，在第一道图形CA的侧壁和阻断沟道中形成隔绝；以第四薄膜层和第三薄膜层作为硬掩模刻蚀第二薄膜层，并停在第一薄膜层上；图形化第二道图形的阻断BB，打开第三薄膜层，并在第三薄膜层注入硼离子；洗去未注入硼离子区域的A‑Si材料；利用第一道图形CA的侧壁和注入硼离子的第三薄膜层作为硬掩模，图形化第二道图形CB，刻开第二薄膜层，停在第一薄膜层上；将第二薄膜层上形成的图形转移到第一薄膜层上作为第一道图形CA和第二道图形CB的沟道刻蚀的硬掩模。
一种后段金属线图形方法

[实用新型]一种能够均匀添加合金粉末的电渣重熔装置-CN202223081165.5有效
发明人： 耿金鹏;杨军;刘东;王建平;李帅傧 -专利权人：浙江天马轴承集团有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C22B9/187 文献下载
摘要：本实用新型涉及电渣重熔技术领域，具体涉及一种能够均匀添加合金粉末的电渣重熔装置，包括结晶器、渣池、假电极、位于所述假电极下方且下端伸入在所述渣池中的自耗电极，所述自耗电极上表面形成朝上的环形平台；所述环形平台上方设置有导料罩，所述导料罩遮盖所述环形平台并且具有呈倾斜状的导料坡面，所述导料坡面用于供合金粉末往下滑落。添加合金粉末时可以从任意方向进行，也无需刻意对准自耗电极与结晶器内壁之间的狭小间隙，添加合金粉末更加方便快捷，单位时间内可以根据实际需求添加任意量的合金粉末；另外在四周360°范围内均可添加能够使得合金粉末处于分散状态进入渣池中，合金粉末与液态渣池的接触面积大，反应快，精炼效率高。
一种能够均匀添加合金粉末电渣重熔装置

[发明专利]一种用于高低温箱的测试装置-CN202211199437.3在审
发明人：郭志功;耿金鹏;谭军;高景一 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种用于高低温箱的测试装置，所述测试装置包括：基座；通过转动机构配置于所述基座上的架体，在转动机构的驱动下，所述架体可以第一方向为轴相对于基座转动，通过升降机构配置于所述架体上的检测件，所述检测件可沿第一方向运动，该检测件被配置为用以测试产品，承载架，所述承载架用以固定若干沿第一方向排列的产品；所述检测件被配置为在升降机构和转动机构的驱动下，按照运动指令运动，可对产品的性能进行测试。本发明通过增加测试装置的自由度使得测试装置单次可测试多个被测产品，进而提高测试装置的测试效率。
一种用于低温测试装置

[发明专利]一种串联型伺服机构几何参数优化标定方法和系统-CN202011206736.6有效
发明人：高景一;王哲;耿金鹏;谭军;张慧 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种串联型伺服机构几何参数优化标定方法和系统，包括：S10、根据串联型伺服机构的几何参数的名义值，建立串联型伺服机构的名义运动学模型；S20、根据选定的误差测量方法和所述名义运动学模型建立串联机构的几何参数误差辨识模型，确定待辨识的误差参数；S30、在串联机构各旋转轴运动范围内，确定各轴的采样点，进而确定待测位形集合；S40、利用观测判据和位形优化算法在待测位形集合中选出优化标定位形；S50、利用最优标定位形完成误差测量，并利用参数辨识方法计算得到误差参数。
一种串联伺服机构几何参数优化标定方法系统

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法-CN202210716509.0在审
发明人：刘洋;杨渝书;耿金鹏 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/765 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有第一区及第二区，第一区上设有第一鳍片，第二区上设有第二鳍片，第一鳍片与第二鳍片的导电类型相反；依次形成硬掩模材料层及侧墙材料层，使相邻的第一鳍片与第二鳍片之间的侧墙材料层合并形成边界侧墙；利用硬掩模材料层，并以边界侧墙作为第一区及第二区的间隔层，在第一区形成第一外延结构，在第二区形成第二外延结构。本发明中，利用侧墙材料层在第一鳍片与第二鳍片之间合并形成边界侧墙，并作为后续第一外延结构及第二外延结构的间隔层，从而防止第一外延结构与第二外延结构的短接问题。
半导体结构形成方法半导体器件制造

[发明专利]一种过饱和高氮不锈钢加压电渣重熔工艺-CN202011319585.5有效
发明人： 耿金鹏;赵有为 -专利权人：浙江天马轴承集团有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C22B9/18 文献下载
摘要：本发明属于金属冶金技术领域，具体公开了一种过饱和高氮不锈钢加压电渣重熔工艺，包括前期准备、抽真并加压空、一次电渣重熔、缓冷精整、二次电渣重熔、成品精整及检查验收标注步骤。本发明通过将加压电渣重熔压力控制在10‑20bar且压力设定值大于理论值，并使用氮气作为惰性气体进行充压，确保氮含量达到目标范围；通过优化氮化合金的添加方式以及采用二次压力电渣重熔、且控制二次重熔压力不小于一次重熔，减少氮元素的偏析，确保钢锭的组织均匀性；通过优化热封顶过程控制模式和工艺参数，提高材料致密度。本发明制得的不锈钢产品性能达到国际先进水平，能填补国内过饱和高氮马氏体不锈钢工业化生产的空白。
一种过饱和不锈钢压电渣重熔工艺

[发明专利]一种T/R组件拧钉系统及方法-CN202210203689.2在审
发明人：陈朝峰;张慧;李斌;郑心豪;耿金鹏 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B23P19/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种T/R组件拧钉系统及方法，包括：载物平台，位于载物平台上方的旋转平台，旋转平台通过第一直线模组安装于载物平台上，旋转平台包括转台，定义旋转平台沿第一直线模组移动的方向为第一方向；在水平面内与第一方向相垂直的方向为第二方向，转台的转动轴线位于第二方向且平行于载物平台；用于存放T/R组件的储料机构；以及位于第一方向且固定安装在载物平台上的取料机构。本发明适用于T/R组件拧钉使用，通过旋转平台翻转T/R组件可对T/R上下侧面进行拧钉操作，同时通过取料机构和储料机构配合动作大大提高了T/R组件的拧钉效率，而且避免了人工拧钉不一致的问题。
一种组件系统方法

[发明专利]一种智慧仓储系统-CN202111601494.5在审
发明人：苗庭;吕泽杉;陈朝峰;韩华涛;耿金鹏;杨剑 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种智慧仓储系统，包括：仓储装置、抓取装置以及驱动装置；仓储装置上放置便于抓取装置抓取的物料托盘，物料存储在物料托盘中，物料托盘上设置用于抓取装置位姿校正的视觉标签，可实现长期无人职守情况下物料自动入库、信息记录、出库等流程，保证了物料搬运动作的平稳和精确，该智慧仓储系统除了适用于一般物料仓储之外，尤其适用于精密件和易损件仓储。
一种智慧仓储系统

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