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[发明专利]一种氮化硅光波导及其制造方法-CN201811474184.X有效
发明人：周章渝;张青竹;闫江;许庆;李志华;李彬;余金中;唐波;王文武;谢玲;张鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化硅光波导及其制造方法。该方法在第二条形沟槽内填充氮化硅，从而形成氮化硅光波导。其中，在第二条形沟槽内填充氮化硅时，氮化硅会沿着沟槽底部以及沟槽侧壁向不同方向生长，该向不同方向生长形成的氮化硅之间的应力会相互消减，从而使得形成的氮化硅光波导内部应力减小，因而，相较于由向一个方向生长形成的氮化硅光波导，该氮化硅光波导从硅基集成光学器件中剥离时的厚度较厚，因此，相较于向一个方向生长形成氮化硅光波导的方法，该方法能够形成厚度较厚的氮化硅光波导。该较厚的氮化硅光波导能够增强光约束效果，形成较小光斑，从而有利于光学器件的小型化。
一种氮化波导及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811474149.8在审
发明人：周章渝;张青竹;闫江;许庆;李志华;李彬;余金中;唐波;王文武;谢玲;张鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，背栅仅位于栅电极接触层局域区域之上。也就是说，该背栅为局部背栅，该局部背栅仅位于源漏极之间的区域，如此，该局部背栅结构克服了传统全局背栅不能分别独立控制的缺陷，有利于半导体器件的集成度，另外，采用该局部背栅采用重掺杂或采用金属，所以该的半导体器件的驱动性能也较好。
背栅半导体器件栅电极接触背栅结构独立控制驱动性能集成度域区域源漏极重掺杂制造金属全局申请

[发明专利]一种光学波导器件的形成方法-CN201811023015.4在审
发明人：熊文娟;李俊峰;蒋浩杰;李志华;余金中;王文武;亨利·H·阿达姆松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供一种光学波导器的形成方法，在衬底上形成二氧化硅下包层，在所述下包层上生长Si₃N₄芯层；生长所述芯层的方法采用多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二温度；在所述第二温度下进行Si₃N₄的沉积，从所述第二温度下降至第三温度；所述第三温度作为下一沉积工艺的第一温度；下一沉积工艺重复上一沉积工艺，经过多次沉积工艺后Si₃N₄厚度达到预期设定厚度的芯层，并进行芯层的图案化；形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层。该方法利用多次升降温沉积Si₃N₄芯层，可以在每一次沉积过程中释放掉Si₃N₄芯层中的应力，避免由于芯层厚度增加应力变大产生裂痕，从而可以生成质量较好、需要厚度的Si₃N₄芯层，提高光学波导器的性能。
芯层沉积光学波导器二氧化硅上包层二氧化硅下包层光学波导器件厚度增加生长图案化下包层裂痕衬底升降释放重复

[发明专利]半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺-CN201810879487.3在审
发明人：李彬;唐波;李志华;张鹏;余金中 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。该半导体器件的制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各接触电极的远离基底的表面上以及两个接触电极之间的基底的表面上设置加热电极，各接触电极的远离基底的表面的部分裸露。该制作方法中，在接触电极的表面上直接设置加热电极，该方法避免了现有技术中在接触电极和加热电极之间设置通孔连接层，有效减少工艺步骤，减少光刻板层数，降低流片周期，节约成本。
接触电极基底半导体器件加热电极集成芯片制作工艺制作工艺步骤间隔设置有效减少直接设置光刻板连接层流片通孔裸露节约申请

[发明专利]一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器-CN201510859291.4在审
发明人：刘磊;肖希;王磊;邱英;杨奇;余金中;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率宽谱输出的单芯片多波长硅基激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明的硅衬底层上分为绝缘区和光源区，绝缘区上设置有模斑变换器和谐振器，光源区设置有2个以上的光源芯片。本发明能够将多个输出中心波长不同的光源芯片集成于一体，光源芯片输出的大尺寸高斯分布光斑能高效地耦合至模斑变换器中，并经过谐振器形成腔振荡，最终在硅波导中输出高效率和宽谱范围的激光。本发明能够直接从硅波导中高效输出宽谱多波长激光，不仅结构紧凑、工艺简单、功率效率和稳定性均较高，而且可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。
一种高效率输出芯片波长激光器

[发明专利]一种SOI基三维交叉波导及其制作方法-CN201210480462.9有效
发明人：邢界江;李智勇;肖希;储涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI基三维交叉波导及其制作方法，利用低温键合技术，在第一层SOI波导上制作多层高折射率波导，且第一路SOI波导的输入、输出部分分别和其上各层波导间构成高效的光学上行、下行耦合结构，顶层波导与第一层波导的第二路或更多路SOI波导构成三维交叉结构。这种由多层波导级联构成的三维交叉结构中，相邻层波导的间隙较小，光学上下耦合效率很高；顶层波导与第一层波导在垂直方向有足够厚的低折射率介质隔离，交叉损耗和串扰很小。另外，采用波导宽度绝热锥形渐变耦合的光学上下耦合结构，带宽和工艺容差大。
一种 soi 三维交叉波导及其制作方法

[发明专利]一种基于耦合模式分离的光分束器-CN201210478918.8无效
发明人：邢界江;李智勇;肖希;储涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于耦合模式分离的光分束器，包括两条相邻的第一波导(1)和第二波导(2)，可实现2×2的光分束。首先两波导间距逐渐减小且波导尺寸不变构成耦合模式激发区，然后两波导间距逐渐增大且波导尺寸向相反方向变化构成耦合模式分离区。通过调整两波导在耦合模式激发区的结构，本光分束器可以实现各种不同的分束比。由于基于绝热模式变化来实现耦合模式的分离，本光分束器还具有插入损耗低、波长范围宽以及工艺容差大等优点。
一种基于耦合模式分离光分束器

[发明专利]一种有全新的简易跟踪系统的聚光系统-CN201110360448.0无效
发明人：吴志浩;汪敢;陈长清;方妍妍;戴江南;余金中 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G05D3/12 文献下载
摘要：本发明公开的技术方案为：一种有全新的简易跟踪系统的聚光系统，该系统包括太阳能电池片、散热片、跟踪电路、模组盒体；其中跟踪电路安装在系统底部，与电池放在一个平面，跟踪电路以四个相同光探测器组成，把电池围起来，同时也作为散热片的一部分封装在模组盒体上。本发明的优点在于：跟踪系统简单易行，成本低廉，精度也不低，而且是全自动运行，由于光探测器响应速度快，使跟踪系统对光照变化很灵敏，跟踪速度也快。
一种全新简易跟踪系统聚光

[发明专利]一种两次聚光光伏发电模组-CN201110360480.9无效
发明人：吴志浩;汪敢;陈长清;方妍妍;戴江南;余金中 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开一种两次聚光光伏发电模组，其特征在于：该发电模组包括一级环形聚光透镜组、二次光线收集系统、太阳能电池片、散热片、模组盒体。本发明的优点在于：聚光光伏模块紧凑简单，系统厚度得到降低，用料和重量大量减少，装配方便，系统效率高，降低了整个模块的成本；可以实现高聚光比，并且降低对跟踪器精度的要求。
一种两次聚光发电模组

[发明专利]硅基延时可调光延迟线及其制作方法-CN201110364951.3无效
发明人：李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：一种硅基延时可调光延迟线，包括：一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；两调谐电极，该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。
延时调光延迟线及其制作方法

[发明专利]共面波导硅基电光调制器-CN201110364915.7无效
发明人：李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种共面波导硅基电光调制器，包括：一输入波导；一第一分束器，该第一分束器的输入端与输入波导相连接；一第一调制臂，该第一调制臂的一端与第一分束器输出端连接；一第二调制臂，该第二调制臂的一端与第一分束器输出端连接；一硅基光延迟线器件，该硅基光延迟线器件与第一调制臂或第二调制臂耦合；一第二分束器，该第二分束器的输入端与第一调制臂及第二调制臂的另一端连接；一输出波导，该输出波导的一端与第二分束器的输出端连接。
波导电光调制器

[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法-CN201110219051.X有效
发明人：吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制作方法，提出在InP衬底上实现四结太阳能电池结构。高效四强太阳能电池包括：InP生长衬底；具有第一能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池；具有比第一能带隙大的第二能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池；具有比第二能带隙大的第三能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池；形成于第三子电池上，且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层；形成于组分渐变层上，且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙，晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。
一种高效太阳能电池及其制作方法

[发明专利]用于片上光互连的接收模块封装方法-CN200910091959.X无效
发明人：徐海华;肖希;朱宇;李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于片上光互连的接收模块封装方法，包括：采用电子束曝光技术将版图上的脊形波导及光栅结构转移至事先清洗过的SOI基片的顶硅层上；采用电子束光刻胶作为掩模，利用硅等离子干法刻蚀工艺刻蚀出亚微米脊形波导及光栅结构；采用沉淀二氧化硅技术在刻蚀后的图形表面覆盖一层二氧化硅绝缘层；采用普通光刻方法将版图上的金属引线及对准标记图形转移至二氧化硅绝缘层上，并利用金属蒸发工艺制作出金属引线和对准标记；采用倒装焊技术，利用SOI基片上的对准标记将光电探测器精确倒扣至SOI基片上的预定位置；利用互连金丝将光电探测器背面的接地面与SOI基片上的接地线相连；在光电探测器与SOI基片之间填充固化胶固化、密封，完成器件的封装。
用于上光互连接收模块封装方法

[发明专利]绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法-CN201010283558.7有效
发明人：周亮;李智勇;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。
绝缘体阶梯波导光栅耦合器制作方法

[发明专利]全硅基材料光收发模块-CN200910091399.8有效
发明人：李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及光互连技术领域，公开了一种全硅基材料光收发模块，包括光发射部分和光接收部分。光发射部分包括光调制器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一光波导、第二光波导和光调制器匹配网络。光接收部分包括光电探测器、第三光耦合器、第三光波导和光电探测器匹配网络。第一光耦合器将外界光信号耦合进入第一光波导，输入光调制器，电信息通过光调制器匹配网络加载至光调制器，光调制器将电信息转化为光信息，并通过第二光波导进入第二光耦合器耦合入光纤进行传输。第三光耦合器将光纤中的光信息耦合入第三光波导，转换后的电信号通过光电探测器匹配网络输出。本发明采用硅基材料制备，可高度集成化、小型化，适合于片间及片内光互连的应用。
基材收发模块

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