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[发明专利]制作氮化镓系基板的方法-CN200710139135.6无效
发明人：陈政权 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制作氮化镓系基板的方法，先进行准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层，然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板，最后以温度变化步骤，自实施增厚步骤的温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该多个凸块的墩部，进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板，得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。
制作氮化镓系基板方法

[发明专利]一种倒装焊发光二极管的制造方法-CN201210241374.3无效
发明人：廖丰标;顾玲 -专利权人：江苏扬景光电有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装焊发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底上依次形成氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层，其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层上形成p-电极；对未被p-电极覆盖的氮化镓发光二极管磊晶层进行干蚀刻，到达n型氮化镓层；在n型氮化镓层上形成n-电极；在p-电极、n型氮化镓层和n-电极上形成绝缘层，使得该绝缘层覆盖p-
一种倒装发光二极管制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201810123190.4在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：赛富乐斯股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种发光装置，所述发光装置包括：氮化镓衬底，包括沿半极性晶相生长的半极性氮化镓晶体；电子注入层，在氮化镓衬底上；包覆层，在氮化镓衬底上，包覆层包含氮化镓；发光层，在包覆层上。
氮化镓发光装置包覆层衬底半极性氮化镓晶体电子注入层发光层生长制造

[发明专利]生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底-CN202210204788.2在审
发明人：贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
生长单一氮化材料方法复合衬底

[发明专利]一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法-CN201610874047.X有效
发明人：孙丞;杨国文 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，首先，从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片，进行光刻、腐蚀、研磨、解理；其中，在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度，在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度，计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度；然后，根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度，在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时，人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素，有效提高砷化镓激光芯片的成品率，且实现成本较低。
一种用于激光芯片制造中平补偿对准光刻方法

[发明专利]一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法-CN202110451631.5在审
发明人：郑理;程新红;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法，所述GaN晶圆由下到上依次包括：SOI衬底、AlN成核层、AlxGayN超晶格、碳掺杂氮化镓C:GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN/AlN异质结、GaN盖帽层。采用优化的SOI定制参数和C:GaN/AlGaN/AlN异质结技术，利用异质结的晶格失配去匹配GaN与SOI间的热失配，避免了SOI基GaN晶圆在高温生长和降温过程中曲翘过大，甚至引发裂纹等问题，有助于
一种用于 soi gan 及其制备方法

[发明专利]晶圆切割方法及切割设备-CN202110600517.4有效
发明人：詹苏庚;王红;吴迪;张震;彭立和;李志鹏 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开的晶圆切割方法，通过提供的晶圆切割设备实施，包括了S10预处理步骤、S20切割道中心定位步骤、S30第一激光装置定位步骤、S40第一开槽步骤、S50第二开槽步骤、S60第三开槽步骤、S70第二激光装置定位步骤通过采用单束窄激光分层次开槽，从而形成激光槽，然后再进行切割的工艺，有效解决了现有氮化镓基晶圆切割工艺存在的容易导致芯片失效的问题。
切割方法设备

[发明专利]氮面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件-CN202010953963.9在审
发明人：黄知澍 -专利权人：黄知澍
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种氮面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件。在此氮面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮化铝镓缓冲层；一位于本质氮化铝镓缓冲层上的本质氮化镓通道层；以及一位于本质氮化镓通道层上的本质氮化铝镓层。在元件设计上，藉由将空乏型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管连接至P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极，藉此可以保护P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极在任何栅极电压下操作都能够受到保护
iii 氮化物结构及其主动元件与其栅极保护

[发明专利]一种基于氮化镓薄膜的微型柔性紫外探测器及其制备方法-CN201811186141.1在审
发明人：曹冰;刘伊;王钦华;李宗尧 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓薄膜的微型柔性紫外探测器及其制备方法。采用金属有机化学气相沉积法在石墨烯/介质材料为复合衬底上直接生长晶圆级、低应力氮化镓薄膜，经机械剥离，从衬底上得到可整体转移的氮化镓薄膜，通过掩膜制作金属电极，再将氮化镓薄膜转移到柔性衬底上，制成柔性紫外探测器本发明提供的技术方案，切割方法快速，可批量、低成本制作氮化镓基微型紫外探测器。
氮化镓薄膜紫外探测器衬底制备金属有机化学气相沉积法紫外光氮化镓基机械剥离介质材料金属电极野外环境整体转移直接生长紫外探测紫外响应低成本低应力晶圆级可穿戴灵敏度石墨烯探测器掩膜制作切割探测复合应用

[发明专利]晶圆上料装置、晶圆上料方法及晶圆清洗设备-CN201910494861.2有效
发明人：赵宝君;祝福生;王文丽;张富聪;安稳鹏 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆湿法清洗设备技术领域，尤其涉及一种晶圆上料装置、晶圆上料方法及晶圆清洗设备。晶圆上料装置中，第一料盒传送装置能够在第一工位处承接料盒并传送到第二工位，机械手能够抓取第二工位处的料盒中的晶圆并传送到第一位置，且第一料盒传送装置能够将第二工位处的空料盒传送到第一工位；第二料盒传送装置能够在第三工位处承接料盒，且机械手能够抓取第三工位处的料盒中的晶圆并传送到第二位置。晶圆上料方法应用于上述晶圆上料装置。晶圆清洗设备包括上述晶圆上料装置。本发明提供的晶圆上料装置、晶圆上料方法及晶圆清洗设备，能够适应至少两条清洗路线，清洗效率较高。
晶圆上料装置方法清洗设备

[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法和应用-CN201710702142.6在审
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件，包括基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1‑xN层；所述AlxGaN1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管
gan 半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]GaN半导体器件-CN201721026139.9有效
发明人：金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。上述GaN半导体器件的结构，生长二维电子气(2DEG)用氮化铝镓薄膜时，有效利用作为插入薄膜结构的氮化铝镓/氮化铝/氮化铝镓复合膜；能有效控制在后续为栅极接触而进行的蚀刻工艺中剩下的氮化铝镓的厚度，改善晶体管
氮化铝镓半导体器件氮化镓层氮化镓铝层缓冲层晶种层基板本实用新型二维电子气薄膜结构氮化铝层蚀刻工艺依次层叠有效控制栅极接触氮化铝复合膜晶体管薄膜散布生长

[发明专利]垂直氮化镓肖特基二极管-CN201210443424.6有效
发明人：朱廷刚;安荷·叭剌;黄平;何约瑟 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：利用绝缘衬底，制备一种垂直传导的氮化物肖特基二极管，当肖特基二极管器件封装在晶圆级成型化合物的正面后，剥去绝缘衬底。晶圆级成型化合物对二极管器件的正面提供结构支撑，使绝缘衬底可以剥去，从而在二极管器件的背面形成一个导电层，作为阴极电极，实现了垂直传导的氮化物肖特基二极管。在另一个实施例中，垂直氮化镓肖特基二极管的保护电路采用硅垂直PN结二极管与氮化镓肖特基二极管并联，以分流反向偏置雪崩电流。
垂直氮化镓肖特基二极管

[发明专利]氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法-CN202210640644.1在审
发明人：张林;魏曙亮 -专利权人：镓特半导体科技（铜陵）有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法，包括以下步骤：包括以下步骤：提供一异质衬底；利用MOCVD技术在衬底上形成晶种；利用MOCVD技术在晶种上形成氮化镓薄膜层；利用MOCVD技术在氮化镓薄膜层上再生长一层低温氮化镓；低温氮化镓上形成图形化的掩膜层，以掩膜层为掩模，在掩模上进行刻蚀，使其表面形成由若干孔槽构成的孔阵列；对由氮化镓薄膜层、低温氮化镓和掩膜层形成的复合衬底进行高温处理，使得低温氮化镓形成不平整的面貌。本发明的有益效果是HVPE法生长时的高温先将低温氮化镓层破坏，再进行后续生长；因其表层为不平整的氮化镓，氮化镓在生长过程中会碰撞、合并，从而减少位错缺陷，提高了氮化镓外延膜质量。
氮化衬底镓单晶层及其制造方法

[实用新型]复合基板以及功能元件-CN201320072801.X有效
发明人：岩井真;今井克宏;坂井正宏;平尾崇行;吉野隆史;下平孝直 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种复合基板（7），具有晶种基板（1）以及氮化镓膜（3），所述晶种基板（1）由通过荧光显微镜观察看到黄色发光效果的氮化镓构成，所述氮化镓膜（3）在所述晶种基板（1）上通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液育成，所述复合基板（7）包括被设置于自氮化镓膜（3）的晶种基板（1）侧的界面起50μm以下的区域的分布有源自所述熔液的成分的夹杂物的夹杂物分布层（3a）和被设置于夹杂物分布层上的缺乏夹杂物的夹杂物缺乏层（3b
复合以及功能元件