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[发明专利]一种GaN器件的制作方法-CN202111042904.7有效
发明人：张启华;吴文静;蒋军浩;袁元;张勇为;张洋;江慧英;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：洪启集成电路（珠海）有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。本发明方法通过在原本的晶圆背面制备氮化镓晶体管需要的源极、漏极、栅极，以减少晶体管原生的晶格缺陷，大幅提升最终产品的性能、优良率以及可靠性。
一种 gan 器件制作方法

[实用新型]真空低温键合用键合夹具-CN201921621677.1有效
发明人：王云翔;冒薇;马冬月;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：按照本实用新型提供的技术方案，所述真空低温键合用键合夹具，包括用于收容上晶圆的上晶圆定位机构、用于支撑下晶圆的下晶圆定位支撑体以及能驱动下晶圆定位支撑体升降的推杆机构；所述上晶圆定位机构包括允许上晶圆嵌置的上晶圆固定板以及用于将上晶圆压紧在上晶圆固定板内的上压块，下晶圆在下晶圆定位支撑体上位于上晶圆的正下方；通过推杆机构推动下晶圆定位支撑体上升时，能使得下晶圆与上晶圆贴合后键合。本实用新型结构紧凑，能确保晶圆片在真空环境中进行等离子体激活后贴合，实现高质量的低温键合，安全可靠。
真空低温合用夹具

[发明专利]晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备-CN202110989720.5在审
发明人：梁赛嫦;吴佳蒙;郭依腾;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆上芯方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取到待上芯的目标晶圆和目标晶圆的晶圆图，其中，晶圆图包括有目标晶圆中的芯片的标志；根据晶圆图中的特殊芯片标志和/或边缘芯片标志将目标晶圆和晶圆图对齐；在对齐目标晶圆和晶圆图后，根据晶圆图中的良品芯片标志封装目标晶圆中的良品芯片本发明解决了晶圆上芯准确度低的技术问题。
晶圆上芯方法装置存储介质电子设备

[发明专利]基于光辐射的晶圆清洗设备和包括其的晶圆清洗系统-CN202010268743.2在审
发明人：赵炳权;朴相真;高镛璿;S·田;郑志薰;洪晟植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。
基于光辐射清洗设备包括系统

[发明专利]一种晶圆批量传送机构-CN202010964829.9有效
发明人：刘洪亮;郝瀚;梁烁 -专利权人：北京京仪自动化装备技术有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶圆批量传送机构，包括机座、晶圆出盒装置以及晶圆搬运装置，机座上设置有用于供晶圆盒放置的第一放置位置和用于供晶圆放置的第二放置位置；晶圆出盒装置对应第一放置位置设置于机座上，晶圆出盒装置用于自晶圆盒中取出晶圆；晶圆搬运装置对应晶圆出盒装置设置于机座上，晶圆搬运装置用于将晶圆出盒装置取出的晶圆搬运至第二放置位置。本发明实施例提供的晶圆批量传送机构通过晶圆出盒装置能批量地自晶圆盒中取出晶圆，并通过晶圆搬运装置能批量地传送晶圆，从而提高了晶圆的传送效率。
一种批量传送机构

[发明专利]一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法-CN201910261513.0有效
发明人：方志来;蒋卓汛;吴征远;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带结构及其制备方法，包括：首先在氮化镓薄膜表面镀上催化薄层；放置入化学气相沉积设备，先热退火覆盖催化薄层的氮化镓薄膜；然后通过热氧化生长方法，在少氧条件下于氮化镓薄膜上先生长出{‑201}单晶氧化镓纳米线；再利用富镓/少氧的生长条件，在纳米线侧面实现选择性侧向从而生长获得大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带。该制备方法工艺简单，普适性重复性好，不仅可以克服催化生长氧化镓纳米材料的晶相各异的缺点，且生长所得的氧化镓纳米带厚度可控，产量高，还可以稳定地转移到各类衬底上，用于各类新型氧化镓基器件的制备。
一种尺寸氧化纳米制备方法

[发明专利]发光二极管-CN99119153.6有效
发明人：周铭俊;刘家呈;章绢明;曾建峰;洪文庆 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 1999-09-20 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，其晶粒包含一长方形绝缘衬底，在绝缘衬底上依次形成氮化镓长晶层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、n型氮化铝镓束缚层、氮化铟镓多重量子井发光层、P型氮化铝镓束缚层、P型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层，其中一部分以蚀刻方式除去，以露出部分P型氮化镓接触层，形成一P型Ti/Al前电极，前电极与透明导电层接触；发光二极管蚀刻至n型氮化镓接触层，在该层形成一n型Ti/Al后电极，两电极并排在长方形晶粒表面的纵向
发光二极管

[发明专利]生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件-CN201611205303.2有效
发明人：肖怀曙;谢春林 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构和半导体器件，该方法包括：在氢气和/或氮气气氛下，向衬底上喷洒氮化镓纳米颗粒，并对所述衬底和氮化镓纳米颗粒进行烘烤处理；通入氮源和镓源，以便在所述衬底表面形成氮化镓层发明人发现，预先喷洒氮化镓纳米颗粒，在高温下部分GaN纳米颗粒分解气化形成有利于GaN快速沉积结晶的气体氛围，而剩余的GaN纳米材料则形成成核的晶种，为氮源和镓源反应提供生长GaN晶体的附着点，通入氮源和镓源后
生长氮化方法外延结构半导体器件

[发明专利]一种垂直结构LED芯片制备方法-CN201510080028.5有效
发明人：宁磊 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：H3PO4湿法腐蚀，可最终使GaN与蓝宝石之间形成了点接触，有利于之后的激光剥离形成垂直结构；其二是在GaN外延层表面制备反射镜(Ni/Ag或Ni/Al)与键合层(Cr/Ag/Sn)之前，利用激光划片机对晶圆表面进行盲划，盲划尺寸与所需芯片尺寸相同，通过盲划工艺使晶圆表面有规律的产生裂纹，可以释放外延生长过程中产生的应力，晶圆键合过程中减少对氮化镓外延的破坏。
一种垂直结构 led 芯片制备方法

[发明专利]一种磁致伸缩锰酸锂锂电池正极材料及制备方法-CN201710164792.X在审
发明人：陈庆;王镭迪;曾军堂 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：特征是是在1800‑2000℃条件下通过静电喷雾预制铁镓磁晶纳米粉末，然后加入锰酸锂前驱物，通过固相研磨反应、烧结制程，使镓化铁磁晶均相分散于锰酸锂结构中，形成具有磁致伸缩性的锰酸锂正极材料。其显著的优势是均相分布的纳米铁镓磁晶在锰酸锂发生锂离子迁移过程中，因产生的电磁场致使纳米铁镓磁晶微伸缩，从而抑制和缓冲锰酸锂结构的改变，赋予锰酸锂较佳的稳定性。
一种伸缩锰酸锂锂电池正极材料制备方法

[发明专利]一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用-CN202110738976.9在审
发明人：陈朗;叶茂;张立冬;胡松柏;王琪祚;刘奇;李晓文;徐泽东 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光沉积法在衬底的表面制备非晶氧化镓薄膜，得到薄膜样品；(2)依次采用紫外光刻法和磁控溅射法在所述薄膜样品的薄膜一侧表面制备叉指电极，得到深紫外非晶氧化镓光电探测器；其中，步骤(1)所述脉冲激光沉积法的氧气分压为0.13‑1.3Pa。所述光电探测器包括依次设置的衬底、非晶氧化镓薄膜和叉指电极；所述应用包括分析测试、环境监测、工业自动化控制、空间通信和导弹跟踪领域。
一种深紫外非晶氧化光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法-CN201010147972.5有效
发明人：朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 -专利权人：东海县海峰电子有限公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
硅酸晶体元件生产方法

[发明专利]13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板-CN202080058516.5在审
发明人：坂井正宏;平尾崇行;中西宏和;市村干也;下平孝直;吉野隆史;今井克宏;仓冈义孝 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
13 元素氮化物结晶制造方法晶种基板

[发明专利]在硅片上制作氮化镓高电子迁移率晶体管的方法-CN201410582456.3在审
发明人：赵岩;吴立枢;程伟;孔岑 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是在（100）晶面的硅片上制作氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括：1）用MOCVD在（111）晶面的硅片上外延生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延层材料；2）进行氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺制作；3）旋涂光刻胶保护器件结构，并将圆片临时键合到载片上；4）腐蚀；5）在露出来的氮化镓外延层上旋涂BCB；6）自然冷却并放入键合机中进行热压键合；7）去掉临时载片，并将圆片正面进行彻底清洗。本发明优点：可以实现在Si（100）面上的氮化镓高电子迁移率晶体管的制备，工艺简单、成品率高，摆脱了由于晶格失配难以直接在Si（100）面上外延生长氮化镓高电子迁移率晶体管外延层材料的困境。
硅片制作氮化电子迁移率晶体管方法

[实用新型]一种真空低温键合的键合夹具-CN201921621638.1有效
发明人：王云翔;冒薇;马冬月;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空低温键合的键合夹具，其包括夹具座、上晶圆托盘机构、下晶圆托盘机构以及托盘运动驱动机构，通过上晶圆托盘机构能收容上晶圆，通过下晶圆托盘机构支撑下晶圆，通过托盘运动驱动机构使得上晶圆与下晶圆相互远离时，能对上晶圆、下晶圆的抛光面进行等离子体激活，通过托盘运动驱动机构使得上晶圆与下晶圆相互靠近时，下晶圆的抛光面能与上晶圆的抛光面贴合后键合，且从上晶圆托盘机构内能取出键合固定的上晶圆以及下晶圆。本实用新型结构紧凑，能确保晶圆片在真空环境中进行等离子体激活后贴合键合，实现高质量的低温键合，安全可靠。
一种真空低温夹具