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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光装置及其制作方法-CN202210726445.2在审
发明人：王云汉;洪钦华;刘颛吁;施财杰;张瑞夫;吴囿蓉;林育锋 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置及其制作方法，其发光装置包括发光单元、荧光层、反射层以及吸光层。发光单元具有顶面、相对于顶面的底面以及位于顶面与底面之间的侧面。发光单元包括设置于底面的电极。荧光层设置于发光单元的顶面上。反射层覆盖发光单元的侧面。吸光层覆盖反射层，以使反射层位于发光单元的侧面与吸光层之间。
发光装置及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN201810631400.0有效
发明人：黄吉豊;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括多个AlxInyGa1‑x‑yN层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层配置于发光层上。多个AlxInyGa1‑x‑yN层堆叠在发光层上，其中x及y是满足0x1、0≤y1以及0x+y1的数值。GaN系层介于多个AlxInyGa1‑x‑yN层的其中两者之间，以及欧姆接触层配置于多个AlxInyGa1‑x‑yN层上。
半导体结构

[发明专利]发光二极管芯片与发光二极管装置-CN201910717718.5有效
发明人：庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错位。第一反射层设置于磊晶叠层、第一、第二电极上。第一反射层于第二型半导体层的正投影与第二电极于第二型半导体层的正投影错位。另，一种发光二极管装置亦被提供。
发光二极管芯片装置

[发明专利]发光装置及其制作方法-CN201811308129.3有效
发明人：洪政暐;洪钦华;詹勋贤;刘颛吁;陈韵筑;林育锋 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种发光装置，包括发光单元以及荧光胶层。发光单元具有彼此相对的顶面与底面。各发光单元包括两个电极。两个电极设置于底面。荧光胶层设置于发光单元的顶面上。荧光胶层的一侧具有标记。两个电极中的一者相较于两个电极中的另一者靠近于此标记。
发光装置及其制作方法

[发明专利]发光装置-CN201811309026.9有效
发明人：洪政暐;洪钦华;詹勋贤;刘颛吁;林育锋 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板、多个第一凸块以及多个第二凸块。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。这些第一凸块连接于第一发光单元与散热基板之间。这些第二凸块连接于第二发光单元与散热基板之间。
发光装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202110650042.X在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;郑季豪 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括成长基板、发光元件、第一导电凸块以及第二导电凸块。发光元件设置于成长基板上，包括第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、欧姆接触层、第一导体层以及第二导体层。发光层与第二型半导体层由凹槽贯穿。欧姆接触层设置于第一型半导体层上且位于凹槽中。欧姆接触层与第一型半导体层电性连接。第一导电层设置于第一型半导体层上且位于凹槽中。第一导电层覆盖欧姆接触层。第二导电层设置于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。一种发光装置的制造方法亦被提出。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构-CN201810015565.5有效
发明人：李玉柱 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。
发光二极管结构

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110745691.8在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017cm‑3的碳的二者至少其中之一。第二氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110745714.5在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017cm‑3的碳的二者至少其中之一。第二氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110728905.0在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层，这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间，其中这些能阱层的其中之一与第二型掺杂半导体层连接。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110728943.6在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层，这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间，其中这些能阱层的其中之一与第二型掺杂半导体层连接。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN201710847728.1有效
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层，这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间，其中这些能阱层的其中之一与第二型掺杂半导体层连接。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN201710851654.9有效
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017cm‑3的碳的二者至少其中之一。第二氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[发明专利]发光二极管-CN201910386672.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201910769459.0有效
发明人：黄琮训;郭志忠;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一发光单元具有第一侧壁与第二侧壁，第一侧壁与基板之间具有第一夹角，第二侧壁与基板之间具有第二夹角，第一夹角小于第二夹角。一种发光元件的制造方法亦被提出。本发明以保留较多的有效发光面积，增加发光强度并改善芯片效率。
发光元件及其制造方法

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