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[发明专利]消除炉管负载效应的半导体制造方法-CN201310625679.9在审
发明人：江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层-氮化层-氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述产品晶圆和控制晶圆之间及所述产品晶圆和虚拟晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。本发明所述消除炉管负载效应的半导体制造方法消除了在同一批次的栅氧工艺中控制晶圆或虚拟晶圆对产品晶圆产生的负载效应，避免不同的产品晶圆上栅氧厚度出现差异，进而降低了不同产品晶圆上形成的产品的电性偏差。
消除炉管负载效应半导体制造方法

[发明专利]一种利用镓基液态金属抑制水系锌电池中锌枝晶生长的方法-CN202310384759.3在审
发明人：罗庆越;胡劲;王恺钊;陈天友;吴家乐;王开军;张维钧;段云彪 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用镓基液态金属抑制水系锌电池中锌枝晶生长的方法，属于水系锌离子电池技术领域。本发明将镓基液态金属加热至熔融并搅拌预氧化处理得到预氧化镓基液态金属；在真空条件下，将预氧化镓基液态金属均匀涂覆在预处理锌片表面得到预氧化镓基液态金属涂层；将包覆有预氧化镓基液态金属涂层的预处理锌片置于温度为100～120℃下真空热处理30～120min，使预氧化镓基液态金属涂层与预处理锌片的表面合金化，得到镓基液态金属改性锌负极电极；以镓基液态金属改性锌负极电极为水系锌电池的工作电极，在水系锌盐电解液下电沉积本发明预氧化镓基液态金属涂层使锌片表面局部电场均匀、离子通量均匀，从而抑制了锌枝晶的生长。
一种利用液态金属抑制水系电池中锌枝晶生长方法

[发明专利]一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法-CN201110449935.4有效
发明人：林泉;马英俊;张洁;李超;郑安生 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法，本方法包括：备料、装炉；抽真空、充气；升温化料；降温引晶；等径控制；收尾；出料等工序。本发明的优点是：由于本发明采用高压液封直拉法拉制出砷化镓晶体，极大地改善了砷化镓晶体残料的化学配比。同时，由于镓的氧化物密度小于砷化镓密度，在晶体生长过程中，镓的氧化物均分布在砷化镓晶体表面且呈突起状，因此通过简单的砂轮机打磨即可去除，可去除99％的氧化物。采用本发明处理砷化镓晶体残料，一个周期只需20小时，且不存在重复处理的问题，效率高操作简单。使得以前通常弃之不用的砷化镓残料重新投入拉晶，使砷化镓晶体残料的利用率达到95％以上。
一种砷化镓晶体再利用方法

[发明专利]一种晶圆检测系统及方法-CN202211239861.6有效
发明人：许彬彬;黎振江;陈菲;杨峥 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆检测系统及方法，晶圆检测系统包括：机柜；晶圆预调整装置，用于调整待检测晶圆的方位；晶圆检测装置，用于对待检测晶圆进行检测；晶圆取放装置，位于晶圆预调整装置和晶圆检测装置之间；晶圆上下料装置，用于装载待检测晶圆和已检测晶圆；晶圆取放装置将晶圆上下料装置上待检测晶圆运至晶圆预调整装置，并将调整方位的待检测晶圆运至晶圆检测装置，且将已检测晶圆运至晶圆上下料装置。在整个晶圆检测过程中，只需要将待检测晶圆放置在晶圆上下料装置上，晶圆检测系统可以自动转移待检测晶圆，并调整待检测晶圆的方位，且进行相关检测，最终将已检测晶圆运输至晶圆上下料装置上，将整个晶圆检测过程自动化
一种检测系统方法

[发明专利]一种P型背面定域掺杂电池及制备方法-CN202011636272.2在审
发明人：王建波;赵俊霞;刘松民;吕俊 -专利权人：三江学院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开一种P型背面定域掺杂电池及制备方法，采用PE‑ALD的方式，通入三甲基铝与臭氧沉积超薄隧穿层，采用PECVD的方式，通入硅烷、硼烷或镓烷与氢气离化沉积掺硼/镓非晶硅薄膜，采用纳秒绿光激光或者纳秒红外激光对电池背面进行局部掺杂，形成背面局部P+掺杂区，使用高温炉管，在氮气氛围下进行退火处理，使掺硼/镓非晶硅薄膜晶化成掺硼/镓多晶硅薄膜，采用HF清洗掉掺硼/镓多晶硅薄膜表面的氧化层，采用采用PECVD的方式在掺硼/镓多晶硅薄膜表面沉积一层单层膜或几种的叠层膜的钝化减反射层
一种背面掺杂电池制备方法

[发明专利]一种SiC晶片的检测系统及其检测方法-CN202310011436.X有效
发明人：张红梅;胡北辰;唐景庭;张彩云;牛奔;田雅芳;刘彦利;张志耀 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶片的检测系统及其检测方法，包括SiC晶锭激光改质仪、改质层视觉检测仪、晶锭NG库、裂纹超声加工仪、晶锭涂胶仪、视觉信息处理计算机、玻璃板粘贴仪、玻璃板位置视觉检测器、胶膜压紧压力控制器、胶膜粘贴质量视觉检测器、晶片完整性视觉检测器、晶片剥离仪、晶片和晶锭NG库、晶锭除胶仪、晶片磨削仪和晶锭磨削仪。本发明可提升晶体加工效率、减少材料损耗，从而显著降低如硅、碳化硅、氮化镓或蓝宝石等衬底的生产成本、提高成品晶圆产量；在线检测对晶锭剥离过程进行监控，对关键工序进行检测分选，对剥离的晶片和晶锭进行分选，能够提高晶片生成成功率
一种 sic 晶片检测系统及其方法

[发明专利]一种非晶氧化铟镓锌/硫化铅量子点双层异质结光电导型光电探测器及其制备方法-CN202210548745.6在审
发明人：尹行天;张聪;桑梓;阙文修 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶氧化铟镓锌/硫化铅量子点双层异质结光电导型光电探测器及其制备方法，借助射频磁控溅射在洁净的衬底上，沉积一层非晶氧化铟镓锌薄膜，将薄膜置于热板上以一定的温度与时间完成退火；将退火后的样品置于热蒸发镀膜机中沉积金属铝电极，在完成电极沉积后的样品上，通过“固态配体交换法”沉积一定厚度的1,2‑乙二硫醇(EDT)配体的硫化铅量子点薄膜，获得非晶氧化铟镓锌/硫化铅量子点双层异质结光电导型光电探测器；光响应度获得提升，在获得较低的暗电流与较高的光电流后
一种氧化铟镓锌硫化铅量子双层异质结光电导光电探测器及其制备方法

[实用新型]半导体加工设备-CN202221680463.3有效
发明人：孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：半导体加工设备包括：基座；晶圆固定件，用于固定晶圆；驱动组件，设置于基座上，驱动组件与晶圆固定件传动连接，驱动组件配置为驱动晶圆固定件旋转；晶向检测组件，固定于基座上，晶向检测组件朝向晶圆固定件设置，晶向检测组件配置为检测晶圆固定件上的晶圆的晶向；研磨组件，设置于基座上，研磨组件在晶圆固定件的侧面朝向晶圆固定件设置，研磨组件用于对固定于晶圆固定件上的晶圆进行边缘研磨以及在固定于晶圆固定件上的晶圆的边缘开设定位槽。本实用新型实施例能够满足不同的使用需求，有助于减少晶圆的浪费。
半导体加工设备

[发明专利]以第三族氮化物为基的倒装片集成电路及其制造方法-CN200380110037.X有效
发明人： K·U·米希拉;P·帕里克;吴益逢 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一根据本发明的方法包括在一晶圆上形成多个有源半导体器件以及使所述有源半导体器件分开。在一电路衬底的一表面上形成无源元件和互连件和形成至少一穿过所述电路衬底的传导通道。使至少一所述有源半导体器件以倒装法装在所述电路衬底上且至少一焊接点与所述传导通道的其中之一电接触。一有源半导体器件以倒装法装在所述电路衬底上且所述至少一传导通道的其中之一与所述至少一器件的端子的其中之一接触。本发明特别适用于在一碳化硅衬底上生长以第三族氮化物为基的有源半导体器件。无源元件和互连件然后可以在一成本较低，直径较大的由砷化镓或硅制作的晶圆上形成。在分离后，所述第三族器件可以以倒装法装在砷化镓或硅衬底上。
第三氮化物倒装集成电路及其制造方法

[发明专利]一种晶圆转运中枢装置-CN202111548869.6在审
发明人：李柠 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明属于晶圆转运中枢领域，公开了一种晶圆转运中枢装置，包括立柱、上驱动单元、晶圆抓取机器人、晶圆运输机构和多条运输链，所述晶圆抓取机器人连接在上驱动单元上，可沿上驱动单元运动；所述上驱动单元通过立柱与晶圆运输机构连接，所述晶圆运输机构上具有多个晶圆抓具，多个晶圆抓具分别运行至上料位，由晶圆抓取机器人分别将待分配晶圆分别放置在晶圆抓具上，晶圆抓具根据系统分配将晶圆运送至对应的运输链上。本发明的晶圆转运中枢装置在抓取过程中不直接接触晶圆表面，避免了对晶圆的污染；同时可根据不同生产需要，可以合理调配晶圆供给，降低了后续工序等待时间，提升了晶圆供应效率。
一种转运中枢装置

[发明专利]以氧化锌制作发光装置的方法-CN200710111305.X有效
发明人：周明奇;吴季珍;徐文庆 -专利权人：周明奇;中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氧化锌制作装置的方法，其选择一铝酸锂基板，并在该铝酸锂基板上依序磊晶成长一氧化锌缓冲层及一氮化镓成核层，利用该氧化锌与氮化镓具有相似的纤维锌矿结构，可以获得高质量氮化镓，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO₂结构成长一多重量子井及一第一金属电极层，再蚀刻去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层，并在该氮化镓成核层之下方成长一第二金属电极层。藉此，利用单晶薄膜状的氧化锌缓冲层不仅可使氮化镓成核层在铝酸锂基板上成功成长，且可降低氮化镓的缺陷密度，进而达到近似晶格匹配并获得良好的晶体接口质量，以提升发光效率及后续完成的组件性能。
氧化锌制作发光装置方法

[发明专利]晶圆搬运方法及装置-CN201480082530.3有效
发明人：福岛崇行;金丸亮介 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：使用晶圆握持手将圆板状的晶圆向纵放置槽搬运的晶圆搬运方法包括：晶圆握持手以晶圆的边缘上的至少三个支点握持晶圆；握持住晶圆的晶圆握持手以使晶圆以纵姿势位于纵放置槽的上方的形式移动；晶圆握持手解除晶圆的握持，以晶圆的边缘上的两个支点支承晶圆；以及支承晶圆的晶圆握持手向下方移动，直至晶圆的边缘进入至纵放置槽为止。
搬运方法装置

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN201710495704.4有效
发明人：王颖慧;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成多量子阱结构分解层，所述多量子阱结构分解层中至少包括镓元素；3）于所述多量子阱结构分解层的上表面形成图形化掩膜层本发明的半导体结构的制备方法制备的半导体结构在用于氮化镓生长时，分解重构叠层中的氮化镓晶种层可以为后续氮化镓的生长提供晶种，而重构分解层内部的孔洞不仅有利于后续生长的氮化镓的自剥离，还可以减少后续生长的氮化镓晶格间的应力，可以提高氮化镓的生长质量。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN201710495291.X有效
发明人：罗晓菊;王颖慧 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成超晶格结构分解层，所述超晶格结构分解层中至少包括镓元素；3）于步骤2）本发明制备的半导体结构在用于氮化镓生长时，分解重构叠层中的氮化镓晶种层可以为后续氮化镓的生长提供晶种，而重构分解层内部的孔洞不仅有利于后续生长的氮化镓的自剥离，还可以减少后续生长的氮化镓晶格间的应力，可以提高氮化镓的生长质量
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法-CN201810715485.0有效
发明人：杨学林;沈波;冯玉霞;张智宏;刘开辉;张洁;许福军;王新强;唐宁 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。
一种多晶衬底生长氮化薄膜方法