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[发明专利]一种扩展引脚的扇出型面板级BGA封装件及其制作工艺-CN201210541846.7有效
发明人：朱文辉;谌世广;王虎;刘卫东;谢天禹 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩展引脚的Fan‑out Panel Level BGA封装件及其制作工艺，所述封装件主要由芯片、塑封料、绝缘层、金属铜、镍钯金、锡球、焊盘、第二次绝缘层、二次金属铜布线、第三次绝缘层组成所述制作工艺按照以下步骤进行：晶圆减薄、晶圆划片、倒装上芯、塑封、撕膜和翻转、第一次绝缘处理、第一次打孔和铜布线、第二次绝缘处理、第二次打孔和铜布线、第三次绝缘处理、第三次打孔和镀镍钯金、印刷和回流焊、
绝缘处理制作工艺打孔铜布线次绝缘层晶圆引脚绝缘层产品可靠性二次金属线路交叉电性能封装件回流焊金属铜镍钯金扇出型塑封料翻转倒装镀镍焊盘划片减薄上芯撕膜塑封锡球钯金切割芯片印刷节约

[发明专利]一种便于剥皮的铜银合金线-CN202211240370.3在审
发明人：徐恒雷;杨卫良 -专利权人：江西康成特导新材股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01B7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于剥皮的铜银合金线，涉及铜银合金线领域，具体包括铜银合金电芯及包覆其表面的绝缘层，所述绝缘层和铜银合金电芯之间设置一层剥离膜；所述剥离膜为同时含有酰胺键以及咪唑环的高分子薄膜。由于传统绝缘层老化后，容易渗入氧，与铜银合金线中的铜发生键合，使得绝缘层和电芯层难以剥离，因此，本发明在两者之间增设一层剥离膜，该剥离膜上酰胺键优先与铜原子键合，从而实现了阻碍了环境中的氧进入与铜发生键合，而且咪唑环为一种含氮的极性五元杂环，进一步使得氮与铜发生键合，氮与铜键合的作用力小于氧与铜键合作用力，从而保证了剥离效果好。
一种便于剥皮合金

[发明专利]一种电子束蒸镀钯的方法-CN202210808563.8在审
发明人：姚林松;黄靖;陈丽祥;彭鹏 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备领域，公开了一种电子束蒸镀钯的方法，先使用预熔坩埚对钯金属进行手动熔源，然后将钯金属熔液倒入工艺坩埚内，再在蒸镀时采用功率逐渐增大的三种不同功率对钯金属进行分三次预熔；所述在蒸镀时采用功率逐渐增大的三种不同功率对钯金属进行三次预熔的方法具体为：将盛装钯金属熔液的工艺坩埚使用电子枪进行预熔，第一次为在30秒的时间内，将电子枪功率提升至5‑6KW，然后稳定3‑4min；第二次为将电子枪的功率提升至6.6‑7.5KW，稳定3‑4min；第三次为将电子枪的功率提升至本发明能够减少钯金属的飞溅浪费，且蒸镀出来的钯金属薄膜光滑、致密，形成优质膜。
一种电子束蒸镀钯方法

[实用新型]一种半导体晶圆铝压焊点键合结构-CN202121918918.6有效
发明人：叶林旺 -专利权人：江苏威森美微电子有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，涉及半导体技术领域，包括基板和半导体晶圆，还包括铜线，半导体晶圆通过固晶胶安装在基板的表面，半导体晶圆上键合有铝层，铝层上设置有用于保护半导体晶圆的金属介质部件，基板的表面设置有引脚焊点，金属介质部件从内向外依次包括镍层、钯层和金层，还包括钯金层，钯金层敷设在铜线的表面，具备了通过在铝层和铜线之间设置有镍层、钯层和金层，能够有效隔离了铝层与铜线，避免铜线与铝层直接接触，对铝键合面及其半导体晶圆起到很好的保护作用，通过在铜线的表面敷设钯金层，焊接过程中不发生氧化反应，不需要增加保护气体，加强了抗氧化性能，降低了生产成本的效果。
一种半导体晶圆铝压焊点键合结构

[发明专利]一种汽车用镀镍绞合铜导体及其制备方法-CN201910967346.1有效
发明人：何如森;李海峰;王权宏;姜涛 -专利权人：常州恒丰特导股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车用镀镍绞合铜导体及其制备方法，该镀镍绞合铜导体由若干镀镍铜单丝依次经S向绞合、退扭和热处理制成，具有优良的耐高温性能、耐疲劳摇摆性能、力学性能、电学性能和外观品质等；本发明公开的汽车用镀镍绞合铜导体的制备方法，包括铜杆预处理和表面镀镍、镀镍粗铜丝冷变形、镀镍铜单丝绞合退扭和镀镍绞合铜导体热处理四个工序，操作步骤简单，实施可行性高，制备的镀镍绞合铜导体具有优良的耐高温性能、耐疲劳摇摆性能、电学性能和外观品质等；为镀镍绞合铜导体的制备实施提供了一种具有推广性的路线。
一种汽车用镀镍绞合铜导体及其制备方法

[发明专利]一种分级金手指光模块PCB板表面处理方法-CN201711484719.7在审
发明人：宋国伟;殷大望 -专利权人：深圳欣强智创电路板有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种分级金手指光模块PCB板表面处理方法，其主要包括板材预备、防焊、镍钯金和板材后期处理四个步骤，使用镍钯金的方法替换现有工艺中的电镀金方法，通过化学层积的方法，在金手指表面包覆镍金，使镍金均匀包覆在铜面四周，防止金手指在制造过程中产生缺口或凸起，或因蚀刻不准、渗镀等问题在后续使用过程中出现氧化，短路等问题。
金手指光模块镍钯金分级蚀刻表面包覆镍后期处理均匀包覆制造过程电镀金化学层短路防焊镍金渗镀铜面凸起替换预备

[实用新型]一种绑定复合金属线的LED-CN201120273407.3有效
发明人：刘天明 -专利权人：木林森股份有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绑定复合金属线的LED，包括开有杯槽的底座，杯槽内安装有LED芯片，底座内设有正负引脚，LED芯片通过金属线与引脚绑定，金属线是由铜线以及包覆于铜线外的钯金或黄金或白银或铂金共同构成的复合金属线本实用新型所述金属线是由铜线以及包覆于铜线外的钯金共同构成的复合金属线，由于钯金的延展性好，使得复合金属线更加容易与引脚和LED芯片脚相结合；另一方面，由于钯金的密度比铜大，在金属线与引脚进行烧球的工序中，当两者同为液态时，钯金在外围将铜球包覆住，使得铜球不易氧化，保证了绑定质量；此外，本实用新型性能可靠、结构简单，因此具备良好的应用前景。
一种绑定复合金属线 led

[实用新型]一种改善切割分层的镍钯金引线框架-CN202022411975.7有效
发明人：黄乙为;易炳川;张怡;程浪;陈盛荣 -专利权人：气派科技股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改善切割分层的镍钯金引线框架，包括阵列布置的多个引线框架单元，所述引线框架单元包括基岛、引脚、基岛连筋、引脚连筋和切割道，基岛连筋用于连接基岛和切割道，引脚连筋用于连接引脚和切割道，基岛连筋和引脚连筋的宽度小于引线框架基材的厚度当镍钯金引线框架的引脚宽度较大时，如果引脚连筋和引脚宽度一致，在切割时，镀镍层与引线框架铜表面就容易产生剥离形成分层现象，本申请通过限制引脚连筋的宽度小于引线框架基材的厚度，可以缩短切割时刀片对引线框架作用力的时间，减轻引线框架镀镍层受应力的影响，减少镀镍层与引线框架铜表面的剥离分层现象；设定基岛连筋的宽度小于引线框架基材的厚度也是基于同样的原理。
一种改善切割分层镍钯金引线框架

[实用新型]一种四色独驱舞台灯-CN201922487140.7有效
发明人：王志成 -专利权人：深圳市格天光电有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四色独驱舞台灯，包括红铜基板，红铜基板上端面设置有凸台，凸台上连接有氮化铝陶瓷基板；所述氮化铝陶瓷基板外表面设置有镀金层，氮化铝陶瓷基板上端面设置有镀钯金线路，镀钯金线路有四个，氮化铝陶瓷基板下端面设置有覆铜线路，覆铜线路与镀钯金线路通过设置在氮化铝陶瓷基板内部的连接铜柱电性连接；氮化铝陶瓷基板上涂抹有助焊剂并通过共晶炉焊接四个晶片，四个晶片与四个镀钯金线路相对应且晶片的正极焊接在镀钯金线路上，氮化铝陶瓷基板下端面回流焊接在红铜基板上端面的凸台上
一种四色独驱舞台

[发明专利]一种三镀层银合金键合丝的制备方法-CN202110741454.4在审
发明人：周志强;崔成强 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本发明适用于镀金领域，提供了一种三镀层银合金键合丝的制备方法，包括以下步骤：将粗银丝进行粗拉、半精拉、细拉变成所需线径的银合金键合丝；将拉制好后的键合丝进行第一次退火处理；将第一次退火后的键合丝进行镀镍；将镀镍后的键合丝表面进行镀钯；进行第二次退火处理；第二次退火后进行阴极钝化铬处理；清洗烘干。本发明银合金键合丝的防腐蚀性能明显提高，可以再硫化环境中保质一年以上，而普通的银合金键合丝只能存放一个月左右；提高了键合过程中的剪切力，目前剪切力最高可以做到38.28gf，而普通银键合丝为29.35gf
一种镀层合金键合丝制备方法

[发明专利]一种单晶铜键合线的制备方法-CN202210990905.2在审
发明人：陈斌;李鹤 -专利权人：成都万智汇科技有限公司;嘉兴固美科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B21C37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜键合线的制备方法，包括如下步骤：将多晶铜棒通过挤压处理制得多晶铜细棒；将多晶铜细棒经过多道次拉拔，制得多晶铜细线；将多晶铜细线进行退火处理，制得单晶铜键合线。以多晶铜坯料为初始原料，摒弃以昂贵的单晶铜棒材为原料的限制，操作简单、成本低。
一种单晶铜键合线制备方法

[发明专利]密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件及其制备方法-CN201110408681.1有效
发明人：慕蔚;李习周;郭小伟 -专利权人：天水华天科技股份有限公司;华天科技（西安）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，塑封体内设置引线框架载体和框架引线内引脚，引线框架载体上固接有IC芯片，IC芯片上多个焊盘与多个框架引线内引脚为一一对应，每个焊盘和相对应的框架引线内引脚通过键合线相连接，每列焊盘组中的焊盘上或间隔的焊盘上分别焊接有金球，金球上焊接有第一铜键合球，并在对应的内引脚上打一个月牙形的铜焊点，形成第一铜键合线；未焊接金球的焊盘上焊接有第二铜键合球，并在对应的内引脚上打一个月牙形的铜焊点，形成第二铜键合线，两列焊盘组中的金球交错设置。本发明封装件与制备方法避免了焊盘上产生弹坑、相邻焊点短路和容易碰伤前一根线而造成的塑封冲线开路的隐患。
密节距小焊盘铜线键合单 ic 芯片封装及其制备方法

[实用新型]密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件-CN201120511912.7有效
发明人：慕蔚;李习周;郭小伟 -专利权人：天水华天科技股份有限公司;华天科技（西安）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，塑封体内设置引线框架载体和框架引线内引脚，引线框架载体上固接有IC芯片，IC芯片上多个焊盘与多个框架引线内引脚为一一对应，每个焊盘和相对应的框架引线内引脚通过键合线相连接，每列焊盘组中的焊盘上或间隔的焊盘上分别焊接有金球，金球上焊接有第一铜键合球，并在对应的内引脚上打一个月牙形的铜焊点，形成第一铜键合线；未焊接金球的焊盘上焊接有第二铜键合球，并在对应的内引脚上打一个月牙形的铜焊点，形成第二铜键合线，两列焊盘组中的金球交错设置。本实用新型封装件与制备方法避免了焊盘上产生弹坑、相邻焊点短路和容易碰伤前一根线而造成的塑封冲线开路的隐患。
密节距小焊盘铜线键合单 ic 芯片封装

[发明专利]一种功率模块的封装方法及功率模块-CN201910790886.7在审
发明人：童圣双;曹俊;廖勇波;马浩华;敖利波;苏梨梨;张宏强 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
一种功率模块封装方法

[发明专利]一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法-CN201310298683.9有效
发明人：李雷;常富鼎;赵拥军;宋茂斌;江波;王付装;石磊 -专利权人：河南九发高导铜材股份有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜镀金复合键合丝的制备方法，该方法包括以下步骤：①单晶铜线的制备：将铜锭经熔化后进行定向凝固，然后对单晶铜杆进行拉拔，得到铜线；②单晶铜线表面镀金预处理；③对单晶铜线表面进行镀金；④对镀金后的单晶铜复合键合线进行拉拔。一种该方法所得的单晶铜镀金复合键合丝，所述单晶铜镀金复合键合丝包括：单晶铜基体和单晶铜基体外的镀金层，所得的单晶铜镀金复合键合丝的直径为8～25μm，电阻率小于1.72×10^-8Ωm本发明有以下优点：①解决了普通铜丝延伸率低的问题，能够制备低弧度超细单晶铜丝；②确保了键合丝的抗氧化性和耐腐蚀性；③设备投资低；④成本远低于金键合丝，能够大面积推广应用。
一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法