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[发明专利]一种新型铜键合丝退火液-CN202110917295.9在审
发明人：周志强;崔成强 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C21D9/52 文献下载
摘要：本发明适用于退火液领域，提供了一种新型铜键合丝退火液，包括以下按照重量份的原料：增稠剂1‑30份、润滑剂1‑20份、防锈剂1‑10份、润湿剂1‑10份，其余为溶剂。本发明的产品能使铜键合丝退完火后保护铜键合丝不被氧化，能够提高铜键合丝表面的抗氧化抗硫化性能，并且在铜键合丝表面不会有大量退火液残留，同时具有很强的清洁能力和抗菌能力，不会产生粘附物，且能够提高铜键合丝的可塑性
一种新型铜键合丝退火

[发明专利]一种含金的键合镀锡合金线-CN201910312110.4在审
发明人：欧阳艳青 -专利权人：江西富鸿金属有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属键合丝技术领域，特别涉及一种含金的键合镀锡合金线，该合金线包括合金线本体以及包裹在合金线本体外表面的镀锡层，在制备合金线本体时，以铜元素为基体，往其中合理的加入了金，银，铝，锰和镧元素，并采用科学的合金线制备方法，使金，银，铝，锰和镧元素均匀分布到铜基体中，从而改善铜基体的综合性能，并通过纳米硅粉和氮化钛粉体提高其形核率，强化其力学性能；使本发明的合金线不仅具有更高的破断力和伸长率，键合性能更好，而且具有更低的电阻率，导电性能更佳；同时，本发明还改善了铜合金线的镀锡工艺，优化了浸镀锡液，以浸镀锡技术代替常规的化学镀锡技术，使本发明的合金线的表面平整光滑，镀层均匀、致密，几乎没有瑕疵。
合金线镀锡合金铜基体镧元素键合浸镀制备致密氮化钛粉体表面平整导电性能镀锡工艺化学镀锡键合性能金属键合力学性能纳米硅粉铜合金线综合性能常规的电阻率镀锡层破断力伸长率铜元素镀层光滑锡液形核瑕疵优化

[发明专利]一种镀银铜导体三层绝缘绞合线-CN201410857333.6在审
发明人：沈顺良;范雷方 -专利权人：上海川叶电子科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种镀银铜导体三层绝缘绞合线，包括多根铜导体绞合线，以及包裹在绞合线外侧的绝缘层，铜导体绞合线为表面镀设有银层的无氧软铜线，绝缘层由两层聚酯绝缘层及一层聚酰胺树脂绝缘层构成，聚酰胺树脂绝缘层设置在两层聚酯绝缘层之间
一种镀银导体三层绝缘绞合线

[发明专利]一种纳米铜柱热压键合工艺-CN202310468544.X在审
发明人：冯英俊;陈跃 -专利权人：苏州璋驰光电科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铜柱热压键合工艺，采用纳米铜柱作为纳米热压键合材料，通过斜角溅射法在硅基板上镀一层纳米铜柱，然后将两片镀有纳米铜柱的陶瓷和晶体进行热压键合，增加有效接触面积，且烧结温度低，可以在200℃条件下实现高质量键合。本方法将待键合的陶瓷、晶体埋没于多个氧化硅球体内，通过石墨隔板间接施加预设压力，可避免待键合表面在热处理过程中因受力不均匀而变形，防止激光晶体的键合面存有未键合区域、气泡等缺陷，提高键合的激光晶体的键合面光学质量和机械强度
一种纳米热压工艺

[发明专利]一种新型电镀方法-CN202210186910.8在审
发明人：刘继承;翟翔;王玲玲 -专利权人：广东骏亚电子科技股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明属于PCB加工技术领域，提供一种新型电镀方法，包括以下步骤：S1.采用催化还原体系，酸度调整至1.0‑2.0，在基材或孔表面形成一层均匀且致密的铜层，厚度在1‑3.5um；沉铜速率控制在0.1‑0.5um/min，此反应过程实际控制时间在5‑8min；S2.在既有镀液体系里面，以铜为可溶性阳极、钛为阴极；经过30‑45min，实现铜层加厚到目标厚度。本发明操作简便，适用于垂直连续性电镀线或传统龙门架式电镀线，镀液表现稳定，具有极佳整平和导通孔深镀力良好；同时，本发明能够有效降低生产成本，缩短了流程，减少了压合制程铜箔用量，减少电镀过程铜球的消耗，减少了蚀刻工序蚀刻物料的消耗
一种新型电镀方法

[发明专利]一种新型镀钯键合无氧铜线的制备方法-CN202210593726.5在审
发明人：陈建兵;何孔高;唐榕卿;李敏;汪江节;何孔田;张军;唐文静;王家财;李慧 -专利权人：池州学院;安徽广宇电子材料有限公司;上海大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B05D7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电子封装用的镀钯键合无氧铜线的生产工艺，采用双路热型连铸设备制备单晶无氧铜杆，拉拔后使用绿色环保型的浸镀法在无氧铜丝表面镀上一层致密、平整均匀的纳米钯层，使用进样泵控制镀液的输送速率，
一种新型镀钯键合无氧铜线制备方法

[发明专利]一种储能焊接铜脚线-镍铬合金丝的方法-CN201010597426.1无效
发明人：欧仙荣;陈如冰;余仁贵;陈志贵 -专利权人：福建海峡科化股份有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B23K11/00 文献下载
摘要：一种储能焊接铜脚线-镍铬合金丝的方法，涉及铜-镍铬合金焊接方法。其特征在于：将储能式自动焊接机储能电容器工作电压调节为150V±5V，焊接机焊矩的台阶轴端固定套合钼焊头，在铜脚线外层镀有镀锡层，镀锡层厚度为0.3～0.6um，钼焊头压合铜脚线、镍铬合金丝焊接的压合时间为优点在于：能够利用原有的储能式自动焊接机来焊接铜脚线-镍铬合金丝；焊接机能自动检测桥丝电阻、自动并桥，确保生产的不良品能及时发现及纠正；取消原来手工焊接铜脚线过程繁琐工序，大大提高铜脚线焊接镍铬合金丝作业的生产效率；实现铜脚线的自动化焊接生产，保证产品的质量及桥丝电阻的一致性。
一种焊接铜脚线合金丝方法

[发明专利]一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺-CN201210542197.2在审
发明人：王虎;谌世广;刘卫东;李涛涛;马利 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺，所述封装件主要由铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、阻焊层和锡球组成。所述的铜引线框架为蚀刻，通过粘片胶与芯片粘接，芯片与铜引线框架引脚由键合线连接，并由塑封料塑封，所述阻焊层填充铜引线框架底部蚀刻掉的引脚空隙，锡球电镀引脚上。所述制作工艺主要有以下步骤：铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、塑封、框架、背面蚀刻、背面刷阻焊层、电镀锡球、切割。本发明节约了封装成本，提高了电性能和产品可靠性。
一种应用电镀工艺 aaqfn 封装及其制作

[实用新型]一种功率器件模块-CN202120740717.5有效
发明人：朱成中;谢峰;张孟杰 -专利权人：苏州禾望电气有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件模块，包括第一直接铜键合衬底，安装于所述第一直接铜键合衬底上的第一二极管；第二直接铜键合衬底，安装于所述第二直接铜键合衬底上的第二二极管和功率器件，所述第二二极管与所述功率器件反并联连接；其中，所述第一直接铜键合衬底上不安装功率器件。本申请通过在第一直接铜键合衬底上不安装功率器件，可大幅降低模块成本；在功率器件模块应用于斩波电路时，不影响外围电路配置及斩波电路正常功能。
一种功率器件模块

[发明专利]铜铜键合的方法-CN201410375125.2在审
发明人：林挺宇;顾海洋;李婷 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度本发明能够实现铜线超密集脚距更高密度的集成，并在低于200℃的温度条件下完成键合后的固定。
铜铜键合方法

[发明专利]一种线路板盲孔填铜工艺-CN201610524795.5在审
发明人：罗郁新;刘幸;姬绍亮 -专利权人：广州美维电子有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明所提供了一种线路板盲孔填铜工艺，依次包括以下步骤：1)外层压板；2)镭射钻孔，得到盲孔；3)机械钻孔，得到通孔；4)沉铜闪镀，对盲孔和通孔进行沉铜闪镀；5)垂直连续电镀(VCP垂直填孔)，对沉铜闪镀后的盲孔进行填孔该生产工艺能够实现通孔和盲孔合镀，即生产流程优化为通盲孔合镀，减少了PCB板的生产流程，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
一种线路板盲孔填铜工艺

[发明专利]铜凸点热声倒装键合方法-CN201010583985.7无效
发明人：李军辉;马邦科;韩雷;王福亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜凸点热声倒装键合方法，在IC芯片焊盘(6)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将带有铜凸点(2)的芯片(3)倒扣于基板(1)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合。或在基板焊盘(7)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将芯片(3)置于铜凸点(2)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合，超声能为110本发明是一种能更进一步提高倒装互连的电热性能且工艺简单灵活、键合质量和键合效率高、满足绿色环保要求的铜凸点热声倒装键合方法。
铜凸点热声倒装方法

[发明专利]一种基于铜微针锥同种结构的固态超声键合方法-CN201410313881.2在审
发明人：胡安民;李明;胡丰田;王浩哲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铜微针锥同种结构的固态超声键合方法，其特征在于，包括步骤如下：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成铜微针锥；在待键合偶的另一侧的焊盘上形成相同形貌的铜微针锥；将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶的两侧的焊盘对准，使两侧的所述铜微针锥匹配接触，向待键合偶的一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得两侧的所述铜微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单，无需加热及助焊剂，可以避免对器件产生热损伤，提高产品可靠性；微针锥结构的使用缩短了超声键合的时间，提高了互连的有效性和键合密度。
一种基于铜微针锥同种结构固态超声键合方法

[发明专利]晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法-CN202310397169.4有效
发明人：王传智;刘冠东;李洁;王伟豪;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
晶圆级铜铜凸点互连结构及其方法

[发明专利]熔融焊料镀敷捻线的制造方法-CN201210295113.X有效
发明人：鹫见亨;青山正义;黑田洋光;佐川英之;藤户启辅;增井信一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供熔融焊料镀敷捻线的制造方法，其与使用无氧铜的情况相比，在制造软质铜捻线的过程中能够以更短时间进行在焊料镀敷槽中的浸渍，而且能够进一步实现镀敷生产线的增速化。该方法具有：对于含有含不可避免的杂质的铜、及超过2质量ppm的氧、及Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Cr中至少一种添加元素的低浓度铜合金材料，实施拉丝加工制作拉丝材料（2a）的拉丝工序（A）；准备多根拉丝材料（2a），将它们捻合而制成捻线（9）的捻线工序（B）；通过将该捻线（9）浸渍于熔融焊料镀敷槽中，在拉丝材料（2a）的表面形成镀层的熔融焊料镀敷工序（C）；其中，通过熔融焊料镀敷工序（
熔融焊料捻线制造方法