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[发明专利]铁电存储器及其操作方法-CN202010222158.9在审
发明人：戴晓望;马科;胡青;吕震宇 -专利权人：珠海拍字节信息科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电存储器，包括：多个铁电存储单元，其包括铁电电容，所述铁电电容包括上极板和下极板以及位于上极板和下极板之间的铁电材料；写入电路，其被配置为能够给铁电存储单元的铁电电容两个极板分别正向和反向施加第一电压和第二电压，使得所述铁电材料分别具有对应的第一、第二、第三和第四剩余极化强度值，以写入不同的存储数据；以及读取电路，其包括参考电压产生电路和电压比较电路，电压比较电路能够将采集的铁电存储单元的铁电电容一端的电压与参考电压产生电路产生的参考电压比较以输出不同的比较结果以读取不同的存储数据
存储器及其操作方法

[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法-CN202210917511.4在审
发明人：姜杰;冯凯明;张彪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。
基于范德华力作氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

[发明专利]锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法-CN201710229647.5有效
发明人：郝喜红;陈立明;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法，用于制备锆酸铅基反铁电多层电容器的锆酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb_0.92‑xBa_0.05La铁电多层电容器，用掺杂了Dy的锆酸铅基反铁电材料制备的电容器，在外加电场的作用下，会随Dy含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(E_AFE‑FE)，E_AFE‑FE与铁电到反铁电转变电场的差值ΔE逐渐降低，提高了多层电容器的储能密度和储能效率。
锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

[发明专利]一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件-CN201610039249.2有效
发明人：高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件，包括衬底，所述衬底上沉积铁电薄膜，该铁电薄膜的极化方向垂直于其表面，消除铁电薄膜器件的光伏效应中退极化场的贡献；所述铁电薄膜上沉积有呈正多边形的中心电极，铁电薄膜上还沉积有多个正多边形的边缘电极，边缘电极的数量与所述中心电极的边数相等，边缘电极阵列在中心电极的周围，中心电极的每条边与相邻的边缘电极的边平行且间隔距离为L，所述边缘电极和中心电极的材料相同且同时制备，消除铁电薄膜器件的光伏效应中肖特基势垒的贡献特别是铁电薄膜为T相时，还可消除铁电薄膜器件的光伏效应中畴壁的贡献，从而得到具有体光伏效应的铁电薄膜器件。
一种具有体光伏效应薄膜器件

[实用新型]铁电存储器-CN202020410621.8有效
发明人：戴晓望;马科;胡青;吕震宇 -专利权人：珠海拍字节信息科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铁电存储器，包括：多个铁电存储单元，其包括铁电电容，所述铁电电容包括上极板和下极板以及位于上极板和下极板之间的铁电材料；写入电路，其被配置为能够给铁电存储单元的铁电电容两个极板分别正向和反向施加第一电压和第二电压，使得所述铁电材料分别具有对应的第一、第二、第三和第四剩余极化强度值，以写入不同的存储数据；以及读取电路，其包括参考电压产生电路和电压比较电路，电压比较电路能够将采集的铁电存储单元的铁电电容一端的电压与参考电压产生电路产生的参考电压比较以输出不同的比较结果以读取不同的存储数据
存储器

[发明专利]原位观察铁电材料在电场作用前后电畴结构的装置及方法-CN201510267408.X在审
发明人：高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位观察铁电材料在电场作用前后电畴结构的装置及方法，该装置主要是在设置有下电极的铁电薄膜的表面微加工了两个上电极，两个上电极之间的距离为L，两个上电极之间的铁电薄膜作为观察点，观察其在电场作用前后电畴结构的变化电压通过两个上电极施加于两个上电极之间的铁电薄膜，使其极化，本发明能够对铁电薄膜的同一点施加不同的电压，从而原位观察到铁电薄膜在不同电压作用前后铁电薄膜的电畴结构在横向上的变化情况。
原位观察材料电场作用前后结构装置方法

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]铁电冷阴极及包括相同物的铁电场致发射装置-CN200610093763.0无效
发明人：郑得锡;陈勇完;韩仁泽;崔濬熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了铁电冷阴极和包括其的铁电场致发射装置。该铁电冷阴极包括：基板；下电极层，其由该基板的上表面上的导电材料形成；铁电层，其由该下基板的上表面上的铁电材料形成；和超细线性材料网，其形成该铁电层上的上电极，并且通过分布在网结构中的超细线性导电材料粒子形成的多个网孔外露该铁电层上表面的一部分
铁电冷阴极包括相同电场发射装置

[发明专利]一种铁电电容器和存储单元及其制备方法-CN202011146593.4有效
发明人：廖敏;杨棋钧;李华山;孙智杰;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电电容器及制备方法，晶体管及制备方法，存储单元，其中，一种铁电电容器，包括第一电极层、第二电极层和氧化铪基铁电薄膜；氧化铪基铁电薄膜设置在第一电极层的一面；第二电极层设置在氧化铪基铁电薄膜远离第一电极层的一面以金属硅化物为第一电极层(下电极)或第二电极层(上电极)，氧化铪基铁电薄膜为电容介质层；金属硅化物的晶体结构为类萤石结构，此晶体结构能够有效的诱导氧化铪基铁电薄膜非中心对称的亚稳态正交相的铁电相变，提高氧化铪基铁电材料的铁电性；另外，金属硅化物还可以改善氧化铪基铁电薄膜的质量，抑制界面陷阱的产生，形成良好的界面，以提高铁电电容器的抗疲劳性能，将铁电电容集成到晶体管上形成存储单元，进而提高了存储单元的抗疲劳性能。
一种电容器存储单元及其制备方法

[发明专利]一种磁光空间光调制器及其调制方法-CN202310451957.7在审
发明人：高南;黄小林;江思源;向学强;吴彪;霍然;强馨予;何金阳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光空间光调制器及其调制方法，该光调制器包括：硅衬底，其上设置由多个铁电和铁磁异质结单元组成的阵列结构，其中铁电层具有压电效应，铁磁层具有磁致伸缩效应；每个铁电和铁磁异质结单元的铁电层下方均设底部电极，铁磁层上方均设顶部电极，同一个铁电和铁磁异质结单元的铁电层下方的底部电极与铁磁层上方的顶部电极组成垂直交叉电极；所述铁电层的铁电材料采用单晶(PbMg1/3NbSub>3)2/3‑(PbTiO3)1/3压电材料；所述铁磁层的铁磁材料采用具有面内磁各向异性的钴材料
一种空间调制器及其调制方法

[发明专利]一种铁电存储器及其铁电电容和制备方法-CN202210620069.9在审
发明人：黄芊芊;杨勐譞;黄如 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器及其铁电电容和制备方法，属于半导体存储器件领域。本发明在铁电电容中的铁电介质层生长前引入一层反铁电介质层，利用反铁电层作为种子层时，为铁电介质层提供结晶模板，从而提高铁电相占比更高，提升剩余极化强度进而提升存储窗口；同时利用反铁电层作为界面层时，具有比其他相更低的表面能和更稳定的电极接触界面有利于铁电随机存储器的低功耗高性能高可靠性应用。
一种存储器及其电容制备方法

[发明专利]铁电存储器件和制造其的方法-CN201711296456.7有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种铁电存储器件包括具有源极区和漏极区的衬底。铁电存储器件包括铁电超晶格结构，该铁电超晶格结构设置在衬底上，且具有交替堆叠的至少两种不同的介电层。此外，铁电存储器件包括设置在超晶格结构上的栅电极层。
存储器件制造方法

[发明专利]一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法-CN202310361687.0在审
发明人：罗庆;王博平;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法。一种反铁电电容，包括依次堆叠的底电极、反铁电层、顶电极；其中，反铁电层采用HZO，厚度为6～10nm。本发明可以提供一种具有超高介电常数的反铁电电容，其很大的应用前景。
一种具有介电常数反铁电电容及其制备方法

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN201810752120.5有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器件以及其制造方法。根据本公开的一个实施例的铁电存储器件包括：衬底；铁电材料层，其设置在衬底上；栅电极层，其设置在铁电材料层上；以及极化切换晶种层，其设置在铁电材料层与栅电极层之间。
存储器件及其制造方法

[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法-CN202110941803.7在审
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·纳哈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法。一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。
电容器电场效应晶体管形成包含导电材料电子组件使用方法