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[发明专利]铁电器件及其制造方法-CN201811365456.2有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电器件及其制造方法。在制造铁电器件的方法中，提供衬底。在衬底之上形成铁电材料膜。在铁电材料膜之上形成结晶化晶种膜。利用结晶化晶种膜对铁电材料膜热处理，以将铁电材料膜转变为结晶铁电膜。去除结晶化晶种膜以暴露结晶铁电膜。在铁电膜之上形成电极膜。
器件及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202210466103.1在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯;马可范达尔;荷尔本朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本揭露涉及一种包括铁电层的集成芯片。铁电层包括铁电材料。第一松弛层包括与铁电材料不同的第一材料，且位于铁电层的第一侧上。第二松弛层包括与铁电材料不同的第二材料，且位于铁电层的第二侧上，第二侧与第一侧相对。第一松弛层的杨氏模量小于铁电层的杨氏模量。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法-CN202010941513.8有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能
氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]芯片和终端-CN202180041697.5在审
发明人：谭万良;李宇星;蔡佳林;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种芯片和终端，涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片和终端，可以调节第一电极、铁电功能层和第二电极的电学对称性和开关电流比。该芯片包括依次层叠设置的第一电极、第一铁电功能层、第二铁电功能层和第二电极；第一铁电功能层和第二铁电功能层均包括铁电氧化层，第一铁电功能层和/或第二铁电功能层还包括掺杂层，掺杂层的电负性与铁电氧化层的电负性不同；第一铁电功能层中的掺杂层的掺杂浓度，与第二铁电功能层中的掺杂层的掺杂浓度不同。
芯片终端

[发明专利]晶体管-CN201910851852.4在审
发明人：袁锋;何嘉政;王梓仲;李东颖;蔡劲;林铭祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
晶体管

[发明专利]一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法-CN202210192395.4在审
发明人：罗庆;王渊;姜鹏飞;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法，铁电膜的制作方法包括：通过溅射工艺溅射靶材，制备铁电薄膜，其中，靶材包括二氧化铪靶材和锆单质靶材。半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成栅极介电层；通过铁电薄膜的制作方法，在栅极介电层上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成栅电极，其中，栅极介电层、铁电薄膜和栅电极均介于衬底的源极区和漏极区之间。另一种半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成下电极层；通过铁电薄膜的制作方法，在下电极层之上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成上电极层。本发明提高铁电薄膜和半导体器件的铁电性能，增强铁电薄膜的可靠性和稳定性，降低铁电薄膜的漏电率。
一种铁电膜制作方法半导体器件

[发明专利]一种铁电半导体器件、制备方法以及实现多铁电相的方法-CN202211546968.5有效
发明人：薛飞;何鑫;汪华 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种铁电半导体器件、制备方法以及实现多铁电相的方法，通过对栅极施加正电压，使得带正电的质子从质子存储层注入到铁电半导体沟道中，带正电的质子对铁电半导体沟道中的铁电半导体材料进行质子化，从而产生多个新的铁电相，同时将带负电的电子注入到所述铁电半导体沟道中，从而改变铁电半导体的导电性。本发明将质子注入到铁电材料中，诱导材料发生相变，从而产生多个铁电相，从而提高信息存储容量。
一种半导体器件制备方法以及实现多铁电相

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统-CN201810781001.2在审
发明人：郭红霞;魏佳男;琚安安;郭维新;钟向丽;秦丽;潘霄宇;张阳;欧阳晓平;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统。对多个待加固的铁电存储器进行功能验证和全参数测试，获得功能验证结果和全参数测试结果；对所述待加固铁电存储器进行反应堆中子辐照，获得预辐照铁电存储器；对所述预辐照铁电存储器进行感生放射性监测，获得加固铁电存储器；对所述加固铁电存储器进行功能验证和全参数测试，将所述功能验证结果、所述全参数测试结果与所述加固铁电存储器功能验证结果、加固铁电存储器全参数测试结果进行比较；将所述正常加固铁电存储器进行单粒子翻转测试。实现了在不改变铁电存储器的顶层设计和生产工艺条件，经过加固的铁电存储器能够直接用于替换未加固的铁电存储器，节约了开发成本。
铁电存储器功能验证全参数抗单粒子翻转预辐照测试生产工艺条件单粒子翻转放射性监测中子辐照反应堆顶层感生替换节约开发

[发明专利]铁电存储器件的制造方法-CN201810762994.9有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：提供了一种制造铁电存储器件的方法。该方法包括：准备衬底；在衬底上形成界面绝缘层；在界面绝缘层上形成铁电层；将表面处理工艺应用于铁电层，以在铁电层中形成氧空位区；在铁电层上形成栅电极层；以及使铁电层退火以使铁电层结晶。
存储器件制造方法

[发明专利]一种电控光束偏转装置及级联结构、光束偏转驱动方法-CN201910902493.0有效
发明人：周盼华;孙刚 -专利权人：重庆晶朗光电有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02F1/141 文献下载
摘要：电控光束偏转装置包括沿光轴同轴层叠设置的第一铁电液晶元件、第二铁电液晶元件和偏振光栅，其中：第一铁电液晶元件、第二铁电液晶元件的相位延迟为(1+2n)×λ/4，n取自然数；第一铁电液晶元件与第二铁电液晶元件两者的取向方向相差45°；第一铁电液晶元件、第二铁电液晶元件的铁电液晶层的铁电液晶排列等效圆锥体的半锥角为22.5°；第一铁电液晶元件、第二铁电液晶元件与电控驱动装置连接。
一种光束偏转装置级联结构驱动方法

[发明专利]高性能铁电隧道结及包括该铁电隧道结的器件-CN202211384063.2在审
发明人：解俊杰;吴兆;刁一凡;孙朱行 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请提供一种高性能铁电隧道结及包括该铁电隧道结的器件。其中，铁电隧道结包括层叠设置的第一电极、铁电势垒层和第二电极，铁电势垒层由铁电基体和掺杂在铁电基体中的辅助隧穿结构组成，其中，铁电基体由铁电材料形成，所辅助隧穿结构提高所述铁电隧道结的隧穿电流。与现有技术相比，本申请通过在铁电势垒层中构建一定的缺陷辅助隧穿通路，提高电极中的载流子在铁电势垒层中的隧穿的概率，从而提高铁电隧道结的隧穿电流，从而可以满足如功率半导体器件、叠层光伏串联器件等大电流应用的需求
性能隧道包括器件

[发明专利]形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法-CN200510106861.9无效
发明人：鲜于文旭;野口隆;赵世泳;权章渊;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。
形成铁电膜方法使用电容器存储器件

[发明专利]一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法-CN202210692657.3在审
发明人：王天宇;孟佳琳;李庆轩;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的铁电神经突触器件包括：衬底；二维铁电薄膜，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极，形成在所述二维铁电薄膜两侧；铁电栅介质层，其为铪基铁电薄膜，形成在上述器件上；栅电极，形成在所述铁电栅介质层上，且位于所述沟道上方；向栅电极施加正向电压，铪基铁电薄膜发生极化翻转，器件电阻变小，这时极化强度仅取决于铪基铁电薄膜；继续施加正向电压，铪基铁电薄膜和二维铁电薄膜均发生极化翻转，器件的电阻变为最小，极化强度变为最大
一种极化增强神经突触器件及其制备方法

[发明专利]一种退火装置及退火方法-CN202180030653.2在审
发明人：谭万良;李宇星;蔡佳林;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种退火装置和退火方法，退火装置包括加热部件和电场提供部件，加热部件可以为包括铁电膜层的待退火样品进行退火使铁电膜层结晶，铁电膜层内部由非晶、非铁电晶相经过热处理后结晶成铁电晶相，从而使铁电膜层具有铁电性，在对待退火样品进行热退火的过程中，电场提供部件可以为铁电膜层提供辅助电场，辅助电场的方向与铁电膜层的表面之间的夹角为预设夹角，使铁电膜层中晶粒的朝向在辅助电场的作用下趋于一致，提升铁电膜层铁电性，以提高基于铁电膜层的器件的性能
一种退火装置方法