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[发明专利]一种复合叠层的铁电-有机杂化太阳能电池及其制备方法-CN201811017404.6在审
发明人：邓晓千;冯祖勇;黄细平;何苗;周惠媛;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-09-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造领域，特别涉及一种复合叠层的铁电‑有机杂化太阳能电池及其制备方法，包括从下至上的衬底玻璃、第一铁电层、铁电‑有机复合层、第二铁电层和电极，所述铁电‑有机复合层为铁电层和活性层的复合层，铁电‑有机复合层由铁电无机纳米材料BTO和活性层有机聚合物材料P3HT:PCBM形成的（P3HT:PCBM）：BTO溶胶层构成。本发明引入铁电钛酸钡（BTO）纳米颗粒，利用其自发极化产生的内建电场，抑制电子空穴的复合，降低暗电流的产生，从而达到提高电池效率的目的。在实现制备无机纳米铁酸铋铁电材料的基础上，制作聚合物／无机纳米钛酸钡复合的光伏器件。
铁电有机复合层太阳能电池铁电层钛酸钡制备电子空穴复合叠层内建电场无机纳米有机杂化活性层有机聚合物材料无机纳米材料复合并联电阻衬底玻璃电池效率光伏器件纳米颗粒填充因子铁电材料自发极化聚合物暗电流复合层溶胶层铁酸铋电极电池升高引入制作制造

[发明专利]显示面板中制备铁电元件的方法、显示面板及制造方法-CN201910670275.9在审
发明人：施文杰 -专利权人：陕西坤同半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明是关于一种在显示面板中制备铁电元件的方法。该方法包括：在衬底基板表面至少部分区域形成铁电材料层，对所述衬底基板表面的所述至少部分区域进行激光退火工艺处理，以使所述铁电材料层结晶成相而形成一铁电元件。本发明还涉及一种显示面板及其制造方法。本发明通过对衬底基板上的铁电材料以激光退火工艺处理，使铁电材料结晶成相形成铁电元件，该方法不但使铁电元件稳固牢靠的形成在显示面板中，而且还丰富了显示面板更多的功能和价值。
显示面板制备元件方法制造

[发明专利]非易失性铁电电容及显示驱动电路-CN202111388892.3在审
发明人：廖佳佳;刘志远;廖敏;曾斌建;周益春 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供一种非易失性铁电电容及显示驱动电路，其中非易失性铁电电容包括：衬底表面上形成有铁电电容，衬底表面上分别形成有第一沟道层和第二沟道层；铁电电容包括依次层叠设置的底电极、铁电薄膜和顶电极，第一沟道层与底电极相接触；铁电电容、第一沟道层和第二沟道层的表面形成有介电材料；介电材料的表面形成有第一栅电极和第二栅电极，得到铁电电容结构。将非易失性铁电电容集成到显示驱动电路中，得到一种新型非易失性、低功耗、高显示质量的显示驱动技术。
非易失性铁电电容显示驱动电路

[发明专利]三维铁电随机存储器的制备方法及三维铁电随机存储器-CN202010361578.5在审
发明人：廖敏;郇延伟;戴思维;刘兆通;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：三维铁电随机存储器的制备方法及三维铁电随机存储器，包括：基于CMOS工艺制备晶体管的同时，将三维铁电电容的每个铁电存储单元依次垂直集成于晶体管上，得到三维铁电随机存储器。其中，三维铁电电容的铁电存储单元依次包括垂直沉积的层间介质(7)、电容底电极(9)、铁电薄膜(10)和电容顶电极(11)。将铁电电容集成到互补金属氧化物半导体中(CMOS)中，电容结构由平面转变为三维来增大电容面积，以实现更高的存储密度，并且在不减少存储电荷的前提下进一步缩小存储单元尺寸。
三维随机存储器制备方法

[发明专利]一种铁电柔性逻辑运算器件及其制造方法-CN202010201958.2在审
发明人：沈群东;刘佳豪;陈昕 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电柔性逻辑运算器件及其制造方法，铁电柔性逻辑运算器件包括运算器本体，运算器本体包括柔性铁电薄膜。柔性铁电薄膜由铁电高分子材料制成。制造铁电柔性逻辑运算器件时，首先构建铁电逻辑门，形成运算真值表；再根据运算真值表，采用铁电高分子材料选择不同的极化方式进行运算。本发明提供的铁电柔性逻辑运算器件制备过程简易，成本低廉，有效简化电路、减少误码率、增加运算效率。
一种柔性逻辑运算器件及其制造方法

[发明专利]铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构-CN202210135470.3有效
发明人：于绍欣 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构，铁电存储器单元包括：选择晶体管，包括基底，位于基底上的栅极结构和位于栅极结构两侧的基底中的源区和漏区；沟槽型铁电电容，包括设置于漏区中的沟槽、形成于沟槽底部和侧壁下极板，形成于下极板表面的铁电电容介质层、以及位于铁电电容介质层上表面的上极板。本发明的铁电存储器单元，可以在铁电存储器单元缩小的情况下解决电容面积不足的问题，使电容容量扩大2‑4倍，极大提升单元存储性能。本发明可使寄生电容和互联电阻减小，提升铁电存储器单元性能。
存储器单元制备方法布局结构

[发明专利]铁电装置及形成铁电装置的方法-CN201780032702.X有效
发明人： A·A·恰范;R·甘地;B·R·库克;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含一种铁电装置，所述铁电装置包括邻近电极的铁电材料。所述装置包含沿着所述铁电材料最接近所述电极的表面的含半导体材料的区域。与所述铁电材料的其余部分相比，所述含半导体材料的区域具有较高半导体材料浓度。举例来说，所述装置可为晶体管或电容器。所述装置可并入到存储器阵列中。一些实施例包含一种形成铁电电容器的方法。在第一电极上方形成含氧化物的铁电材料。在所述含氧化物的铁电材料上方形成第二电极。邻近所述第二电极形成所述含氧化物的铁电材料的富含半导体材料的部分。
装置形成方法

[实用新型]铁电薄膜电容-CN201320042511.0有效
发明人：周静;谢文广;李钟婧 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括六个上电极、六个上电极缓冲柱、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层和阻挡层；所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为400nm至480nm；硅基底层上由下至上顺次粘接固定阻挡层、下电极层、下电极缓冲层和铁电薄膜层，铁电薄膜层的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱，每个上电极缓冲柱上均设置一个上电极。本实用新型作为一种铁电薄膜电容。
薄膜电容

[实用新型]用于铁电存储器的铁电薄膜电容-CN201320042396.7有效
发明人：谢文广;周静 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层，所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为320nm至380nm；上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层粘结固定在硅基底层上。本实用新型为一种铁电薄膜电容。
用于存储器薄膜电容

[发明专利]一种铁电抗菌材料及其制备方法和应用-CN202011551058.7在审
发明人：杜学敏;王芳;刘美金;刘聪 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A61L2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电抗菌材料及其制备方法和应用，所述铁电抗菌材料包括铁电材料或铁电基复合材料的基层，所述基层为经过极化处理的基层；所述铁电基复合材料为包括所述铁电材料作为基体的复合材料。所述铁电抗菌材料在抑制细菌黏附、灭菌中的应用。本发明利用铁电材料经极化后偶极子有序排列，在材料表面产生电荷减少细菌在材料表面的黏附，或铁电材料在外界刺激下产生瞬态电荷，进一步产生活性氧杀灭细菌。
一种抗菌材料及其制备方法应用

[发明专利]气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法-CN201310442312.3无效
发明人：聂恒昌;董显林;陈学锋;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法，所述多孔铁电陶瓷的化学组成通式为Pb(ZrxTi1-x)O3，其中0.9≤x≤0.97，所述铁电陶瓷的气孔分布均匀不团聚，气孔大小为5～120μm，孔隙率为5～20%，介电损耗常数为1.5～1.8%。本发明的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷气孔分布均匀不团聚，介电损耗低，电阻率、纵向压电常数和断裂韧性均与致密陶瓷性能相当。而且与致密的PZT铁电陶瓷相比，本发明的多孔PZT铁电陶瓷抗冲击性能更高、铁电-反铁电相变压力更低、与封装材料的阻抗匹配更好等优点，有利于铁电脉冲电源的可靠性。
气孔分布均匀低介电损耗多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元及电力调控方法-CN202110903474.7有效
发明人：侯鹏飞;欧阳晓平;陈诚 -专利权人：佛山湘潭大学绿色智造研究院;湘潭大学
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元及电力调控方法，由下往上包括依次设置的衬底、过渡层、下电极、铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层和上电极。根据铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层中剩余的极化方向，以及施加垂直于衬底的力的大小，确定多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的状态。本发明的力电调控方法利用电力施加以后多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的电导能力，确定存储单元中的逻辑态，有效地提高铁电存储器的存储密度，同时能够基于读取电流的大小来识别存储的逻辑态，读取逻辑态的过程不会对所存储的数据造成影响，实现了非破坏性的读取，铁电涡旋畴纳米级尺寸有助于铁电存储器实现小型化。
一种涡旋铁电畴逻辑存储单元电力调控方法

[发明专利]一种通过铁电极化和氧空位协同增强铁电材料湿敏性能的方法-CN202210955655.9有效
发明人：马楠;陈欣怡 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过铁电极化和氧空位协同增强铁电材料湿敏性能的方法，包括：（1）将铁电陶瓷粉体和粘结剂混合后压制成型，再经脱粘和烧结，得到铁电陶瓷块体；（2）对铁电陶瓷块体施加外加电场进行极化处理，再经捣碎和研磨，得到极化富氧空位铁电粉体。
一种通过极化空位协同增强材料性能方法

[发明专利]一种基于铁电畴壁氧空位电子气导电性的压力传感器单元-CN201810272656.7有效
发明人：侯鹏飞;刘云霞;王金斌;钟向丽;郭红霞;杨琼;周雪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电畴壁氧空位电子气导电性的压力传感器单元，其包括第一绝缘层，第一绝缘层上有外延铁电薄膜，外延铁电薄膜上有第二绝缘层，在外延铁电薄膜的左侧有第一电极，在外延铁电薄膜的右侧有第二电极；其中，外延铁电薄膜内有平行于第一绝缘层的平面铁电畴壁，平面铁电畴壁两侧的薄膜极化均指向畴壁，外延铁电薄膜内部的氧空位被限制在畴壁附近。该压力传感器单元在绝缘层处受到压力变化时，铁电薄膜中极化会变化，引起铁电畴壁处束缚氧空位的能力改变和畴壁导电性能的改变，从而可表征压力的大小。
一种基于铁电畴壁氧空位电子导电性压力传感器单元

[发明专利]半导体器件-CN202110207855.1在审
发明人：孟完柱;陈玄洙;姜世勋;任基彬;尹卿烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一电极；第二电极；以及位于第一电极与第二电极之间电介质层叠层，该电介质层叠层包括第一反铁电层、第二反铁电层以及在第一反铁电层与第二反铁电层之间的铁电层。
半导体器件