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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810005644.4有效
发明人：土手晓;和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其具有：含铁电膜的铁电电容器，具有形成在所述铁电电容器上的第一层的层间绝缘膜，连接到所述铁电电容器的插塞和布线，以及在所述铁电电容器邻近处的虚置插塞。利用本发明的半导体器件制造方法，可以实现一种FeRAM，其中由氢气和潮气造成的铁电电容器的性能下降能够被有效抑制。另外，按照本发明，抑制铁电电容器性能下降的FeRAM可以在不增加制造步骤数量的情况下形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]多铁隧道结器件、自旋阀器件和自旋极化电流的调控方法-CN202210908773.4在审
发明人：刘飞;王宇宸;张力公;姚冠文;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供多铁隧道结器件、自旋阀器件和自旋极化电流的调控方法，其中多铁隧道结器件，包括依次层叠的第一铁磁层、铁电层以及第二铁磁层；其中，第一铁磁层和第二铁磁层采用相同的铁磁性金属材料；第一铁磁层和铁电层之间的界面、第二铁磁层和铁电层之间的界面具有对称结构，多铁隧道结器件用于通过磁电耦合效应实现自旋极化电流的产生与调控。通过上述方式，本发明基于铁磁层和铁电层之间的界面处所产生的磁电耦合效应，通过外部电场改变铁电层极化方向进而调控自旋电流的极化方向，提高了反转自旋隧穿电流极化状态的速度，也降低了调控自旋隧穿电流极化状态的所需的能量
隧道器件自旋极化电流调控方法

[发明专利]基于铁电氧化物和铁电单硫族化合物的电容器-CN202211424667.5在审
发明人： C-C·林;T·A·戈萨维;U·E·阿维奇;S-C·常;H·李;D·E·尼科诺夫;K·奥乌兹;A·V·佩努马季哈;J·J·普罗姆伯恩;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开涉及基于铁电氧化物和铁电单硫族化合物的电容器。第一种类型的铁电电容器包括电极和绝缘层，电极和绝缘层包括铁电氧化物。在一些实施例中，电极和绝缘层包括钙钛矿铁电氧化物。第二种类型的铁电电容器包括包含特定单硫族化合物的铁电绝缘层。这两种类型的铁电电容器都可以具有小于一伏的矫顽电压。对于下一代半导体制造技术而言，此类电容器具有被用于低电压非易失性嵌入式存储器的吸引力。
基于氧化物铁电单硫族化合物电容器

[发明专利]一种铁电电容制作方法、音频存储方法及相关设备-CN202210104609.8在审
发明人：胡震恒;尹楚君;田飔莹;李超波;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电电容制作方法及相关设备。该方法包括：将待处理底电极器件进行退火处理以获取目标底电极器件，其中，所述待处理底电极器件是带有铁电薄膜且具有P型硅衬底的TiN底电极；在所述目标底电极器件上生成钨合金顶电极以获取所述铁电电容。本申请实施提供的铁电电容制备方法，在将待处理底电极器件进行退火处理以获取目标底电极器件，通过进行退火处理对铁电材料的正交相形成的结晶过程产生影响，从而促进铁电极化现象产生，改善铁电电容的性能，对目标底电极器件生成钨合金顶电极后便形成具有良好铁电性能的铁电电容
一种电容制作方法音频存储方法相关设备

[发明专利]铁电泵-CN98814353.4无效
发明人： A·小贾林克;R·F·黑尔鲍姆;W·W·罗尔巴克 -专利权人：美国政府美国国家宇航管理局管理者代表
申请日： 1998-12-11 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： F04B43/04 文献下载
摘要：一种在一个外壳的内部有一个或多个可变容量的增压室的铁电泵。每个增压室有至少一个包含具有随加在致动器的内外表面之间的外加电压的变化而变化的曲率和圆顶高度的内预应力式力铁电致动器的壁。泵压媒质响应该铁电致动器的位移而流入和流出每一个增压室。铁电致动器被安装到每一个壁上,并将每一个铁电致动器与泵压媒质隔离,还为施加在每个铁电致动器的外加电压提供一条路径,以及在响应于外加电压允许每个铁电致动器完全位移的同时为每个铁电致动器提供确定的抑制。
铁电泵

[发明专利]一种调控铁电薄膜电容器能量密度与充放电效率的方法-CN202110032307.X在审
发明人：苏元捷;李丹;李惟雄;谢光忠;黎威志;龚琪琛;张宇麟;陈彦梦;杜晓松;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控铁电薄膜电容器能量密度与充放电效率的方法，当所述铁电薄膜电容器充电时，将所述铁电薄膜电容器向下弯曲对所述铁电薄膜施加压应力，以提升饱和极化强度以及储能密度，从而增加了饱和极化强度，使得电容器两端的电荷密度增加，进而提升所述铁电薄膜电容器的充电效率；当所述铁电薄膜电容器放电时，将所述铁电薄膜电容器向上弯曲对所述铁电薄膜施加张应力，在不减小面内饱和极化的前提下，降低剩余极化强度并让P‑E电滞回线变窄，从而提升所述铁电薄膜电容器的放电效率
一种调控薄膜电容器能量密度放电效率方法

[发明专利]一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器-CN202210282421.2在审
发明人：邓俊楷;杨伟杰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器。力致铁电存储器包括衬底以及覆盖于衬底上的α‑In2Se3纳米片。本发明还公开了上述力致铁电存储器的数据写入方法以及数据擦除方法。本发明通过外加载荷对α‑In2Se3铁电畴的翻转，设计力致铁电存储器，并通过改变施加载荷的运动方向可以实现铁电畴翻转图案的可控极化操作，且，力致翻转的铁电畴可通过外加电场恢复至原始极化状态，即能够实现铁电存储器的力写电擦操作。
一种基于范德华层状二维材料力致铁电存储器

[发明专利]丁二酸锌铁电粉体及其制备方法-CN200910095538.4无效
发明人：郑岳青;林建利;刘文;谢洪珍;许伟 -专利权人：宁波大学
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C07C55/10 文献下载
摘要：本发明公开了丁二酸锌铁电粉体及其制备方法，该铁电粉体的分子式为Zn(C₄H₄O₄)，该铁电粉体属于单斜晶系粉末，白色，纯度不低于99％，具有C₂空间群结构，该铁电粉体能通过100目筛，该铁电粉体的电滞2Ec值为66.3kV·cm^-1，2Pr值为0.289μC·cm^-2，Ps值为0.160μC·cm^-2；通过丁二酸溶液的配制、丁二酸锌溶液的制备、丁二酸锌晶体的制备和丁二酸锌铁电粉体的制备得到该铁电粉体；该铁电粉体具有显著的铁电性质，可以广泛应用于制作铁电存储器
丁二酸锌铁电粉体及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210836293.1在审
发明人：具元泰;徐东益 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：根据本发明实施例的半导体装置包括：衬底、设置在衬底上的第一外延电极层、设置在第一外延电极层上的铁电外延层、设置在铁电外延层上的电介质外延层以及设置在电介质外延层上的第二外延电极层。铁电外延层实现负电容。第一外延电极层和第二外延电极层中的每一个包括导电烧绿石氧化物。铁电外延层和电介质外延层串联电连接。包括铁电外延层和电介质外延层的电介质结构是非铁电的。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110313724.1在审
发明人：杨柏峰;杨世海;贾汉中;王圣祯;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：选通铁电存储器单元包括：设置在衬底上方的介电材料层；金属底部电极；与底部电极的顶面接触的铁电介电层；覆盖在铁电介电层上并通过铁电介电层电容耦合到金属底部电极的柱状半导体沟道；栅极介电层，包括覆盖在铁电介电层上的水平栅极介电部分和横向围绕柱状半导体沟道的管状栅极介电部分；覆盖在水平栅极介电部分上并横向围绕管状栅极介电部分的栅电极带；以及与柱状半导体沟道的顶面接触的金属顶部电极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]铁电装置及其形成方法-CN201910480089.9在审
发明人：苏密特·C·潘迪;毕磊;罗伊·E·米德;陶谦;阿绍尼塔·A·恰范 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本申请涉及一种铁电装置及其形成方法。本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
结晶材料铁电铁电装置反转铁电存储器单元氧化物组成手性晶体申请

[发明专利]一种聚合物铁电随机存储器材料及其制备方法-CN201810729411.2在审
发明人：沈洋;郭梦帆;马静;李明;林元华;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物铁电存储器及其制备方法。该方法包括：将P(VDF‑TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。该铁电存储器具有良好的铁电性与柔性。该铁电存储器具有规则的形貌特征，可省去对铁电层的蚀刻或压印；该铁电存储器具有高存储密度，存储密度可达60GB/inch
铁电存储器存储蚀刻退火聚合物铁电存储单元热稳定性柔性器件形貌特征存储器热循环铁电层铁电性边长耐热热压压印制备薄膜应用疲劳保留

[发明专利]存储电路、半导体装置以及电子设备-CN200410103648.8无效
发明人：小出泰纪 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：所述存储电路包括：具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。
存储电路半导体装置以及电子设备

[发明专利]一种基于多场耦合的铁电材料减薄加工方法-CN201611096371.X在审
发明人：杭伟;周立波;袁巨龙;赵军;吕冰海;邓乾发 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：一种基于多场耦合的铁电材料减薄加工方法，铁电材料表面减薄加工时施加反向电场，反向热场和化学场多场耦合作用，所述方法包括以下步骤(1)表面加工铁电材料，砂轮以ns的转速，f的进给速度对铁电材料进行加工，铁电材料的转速是本发明提供一种提高加工效率的基于多场耦合的铁电材料减薄加工方法。
一种基于耦合材料加工方法

[发明专利]一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用-CN202310735718.4在审
发明人：李辉;李丛梦;古宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，具体涉及一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明采用的磁控溅射与半导体微电子技术相兼容，实现了钛酸钡铁电薄膜的低温制备，制备出薄膜晶粒尺寸较大，致密，具有量子尺寸效应的钛酸钡铁电薄膜材料，使其具有显著的铁电性能，使得钛酸钡铁电薄膜的应用空间得到了更好的发展，尤其在与薄膜太阳电池与铁电材料相结合的应用上，可以引入大剩余极化强度的铁电退极化场。
一种钛酸钡薄膜及其制备方法应用

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