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[发明专利]一种赝反铁电薄膜的制备方法-CN200910195106.0无效
发明人：翁旭东;万海军;张燕均;张鑫;江安全 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂，在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子，通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法，能够在任意成份比例的铁电薄膜中实现薄膜的反铁电特性，能在高密度电荷存储领域有所应用。本发明方法不仅提供了新的赝反铁电薄膜的制备方法，同时也有利于铁电薄膜电畴翻转物理机制的进一步深入研究，在学术上有着重大的意义。
一种赝反铁电薄膜制备方法

[发明专利]铁电存储器件-CN202211471229.4在审
发明人：南甲镇;具奉珍;穆沙拉特.哈桑;朴建柱;河龙湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极/漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。
存储器件

[发明专利]铁电存储器件-CN201810649700.1在审
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：一种铁电存储器件包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上
界面电介质层铁电存储器件栅电介质层漏电极源电极衬底铁电铁电材料反铁电栅电极

[发明专利]一种铁电发光材料、其制备方法及应用-CN201811545644.3有效
发明人：龙西法;苏彬;何超;许兰;王祖建;杨晓明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁电发光材料，所述铁电发光材料为掺杂稀土元素的钙钛矿结构铁电氧化物材料。该材料结合了铁电材料优良的铁电、压电性能和电场可调谐的发光性能，使得材料发光性能具有电场可调的光电多功能材料。
一种发光材料制备方法应用

[发明专利]一种提高铁酸铋-钛酸钡铁电陶瓷压电性能的极化方法-CN202310101333.2在审
发明人：张斗;穆罕默德·哈比布;汤林;周学凡 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷压电性能的极化方法，将铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷置于硅油中，先对铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷进行交流极化处理，然后在磁场辅助下进行直流极化处理即得，本发明采用一种交流+磁场辅助直流极化(ACP+DCPM)，可以增加铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷电畴中的电偶极矩，使极化处理后的铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷的压电性能大大提升，同时具有高的居里温度，本发明通过在现有直流极化夹具两端加装强磁性磁铁以提供磁场的方法
一种提高铁酸铋钛酸钡陶瓷压电性能极化方法

[实用新型]一种磁电储存器存储单元的装配结构-CN202221776685.5有效
发明人：王晨宇;李瑞昭;徐兴亮 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁电储存器存储单元的装配结构，从上至下包括第一铁磁层(1)、绝缘层(2)、第二铁磁层(3)、铁电‑反铁磁层(4)、底电极层(5)和衬底层(6)，铁电‑反铁磁层(4)与底电极层(5)均为十字结构，铁电‑反铁磁层(4)的十字臂与底电极层(5)的十字臂相紧贴；所述的铁电‑反铁磁层(4)的十字臂上设有扣合主板(7)，扣合主板(7)的两侧设有固定支脚(8)。本实用新型能够将铁电‑反铁磁层和底电极层快速且牢固地组装在一起，提高了安装和拆卸的快捷性。
一种磁电储存器存储单元装配结构

[发明专利]一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器-CN201410249458.0有效
发明人：王金斌;宋宏甲;钟高阔;李波;钟向丽;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器，在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层；所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5，且不高于铁电材料相对介电常数，厚度为1～20nm，且缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001～0.2；所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV，与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层，降低了存储单元中的缺陷及其控制难度，进而降低了缺陷对阻变行为的不利影响，从而显著提高了存储器的数据保持力、抗疲劳特性、
一种多晶薄膜电阻存储器

[发明专利]一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容-CN202011431103.5在审
发明人：段阳;胡芳仁;成宏卜;张伟;张雪花 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容，包括硅基底层、上电极层、铁电薄膜层以及下电极层，所述上电极层、铁电薄膜层以及下电极层依次设置于硅基底层上且在上电极层、下电极层与铁电薄膜层之间分别设置有缓冲层，在所述缓冲层与铁电薄膜层之间设置有隔离层，所述上电极层的上部设置有呈格栅状的金属互联，本发明引入隔离层，改善界面，减少了薄膜中氧空位的聚集程度，铁电薄膜的疲劳及保持性能得到了极大的改善。
一种应用于储存器使用薄膜电容

[发明专利]铁电存储集成电路及其操作方法和制备方法-CN201880003413.1有效
发明人：江安全;张岩;白子龙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。
存储集成电路及其操作方法制备方法

[发明专利]铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法-CN201410587221.3在审
发明人：王根水;彭巍;毛朝梁;曹菲;董显林;陈学峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法，所述铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料的化学组成符合化学通式：（1-x）Bi_0.5Na_0.5TiO本发明通过组分调整和改进工艺，所获得的陶瓷材料具有较大的剩余极化强度P_r，且该陶瓷在一定的温度下存在铁电-反铁电（FE-AFE）相变，这对陶瓷瞬时脉冲放电或热—电能量转换等领域的实际应用有重要价值
反铁电相变铅铁陶瓷材料陶瓷元件及其制备方法

[发明专利]基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管-CN202210091286.3在审
发明人：刘艳;罗拯东;杨麒玉;檀东昕;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管，弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层；源极、漏极分别位于顶部铁电层两侧。底栅电极、漏极、源极和顶栅电极层采用金属Au材料，二维半导体沟道层采用MoS2或MoTe2材料，底部铁电层和顶部铁电层均采用本发明通过双铁电栅耦合效应对TMDC沟道进行电调控，实现对于TMDC沟道的非易失导电率调整。同时，双铁电栅二维晶体管采用上下铁电层的独立极化作为两个逻辑输入，可根据双铁电栅中极化方向的4种不同组合实现双输入布尔存储逻辑运算及其逻辑态的非易失保持，从而得到存内计算的功能。
基于二维半导体沟道双铁电栅晶体管

[实用新型]一种可以节省汽车燃油的电源装置-CN201320773405.X有效
发明人：李金录;范金荣 -专利权人：哈尔滨智木科技有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可以节省汽车燃油的电源装置，包含：磷酸铁锂离子电芯一(5-1)，磷酸铁锂离子电芯二(5-2)，磷酸铁锂离子电芯三(5-3)，磷酸铁锂离子电芯四(5-4),开关(3)，点烟器输出端子(1)，高频滤波电容(4)，输出稳压电路(2)；磷酸铁锂离子电芯一(5-1)、磷酸铁锂离子电芯二(5-2)、磷酸铁锂离子电芯三(5-3)和磷酸铁锂离子电芯四(5-4)串联组成磷酸铁锂离子电池组，点烟器输出端子(1)通过延长线连接到汽车的点烟器插口，输出稳压电路(2)调节点烟器输出端子(1)输出电压稳定，高频滤波电容(4)与输出稳压电路(2)并联，开关(3)连接在磷酸铁锂离子电池组和输出稳压电路(2)之间，控制电源开启或关闭
一种可以节省汽车燃油电源装置

[发明专利]一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法-CN201810134566.1有效
发明人：张光祖;胡昭耀;翁灵兮;姜胜林;李明钰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法，其中铁电聚合物电卡材料为聚偏氟乙烯(PVDF)基铁电聚合物电卡纳米线阵列，该聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中。本发明是将聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡材料控制形成纳米线阵列，并将该纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中，通过溶液浸润法在多孔阳极氧化铝AAO模板中制备该铁电聚合物纳米线阵列，通过对关键的铁电聚合物的形貌、结构、内部微观连接构造等进行改进，与现有技术相比能够有效解决铁电聚合物电卡强度低、电卡材料内的热传导困难、电卡器件的制冷功率密度低等问题。
电卡铁电聚合物纳米线阵列多孔阳极氧化铝聚偏氟乙烯聚合物基铁电制备内嵌形貌溶液浸润法材料控制连接构造有效解决制冷功率热传导微观改进

[发明专利]磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器-CN201110200577.3有效
发明人：南策文;胡嘉冕;李峥;舒立;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化
磁电随机存储单元具有存储器

[发明专利]包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件-CN201910983006.8在审
发明人：刘香根;李世昊;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件。根据一个实施例的半导体器件包括：第一电极；电介质结构，其设置在第一电极上并且具有铁电层和非铁电层；以及第二电极，其设置在电介质结构上。铁电层具有正矫顽电场和负矫顽电场，所述正矫顽电场和所述负矫顽电场具有不同的绝对值。电介质结构具有非铁电特性。
包括具有铁电层非铁电层电介质结构半导体器件