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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]变化的多层忆阻器件-CN201280068485.7无效
发明人： 赵世泳 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：变化的多层忆阻器件包括堆叠在第二忆阻器件上的第一忆阻器件。第二忆阻器件的物理参数不同于第一忆阻器件的物理参数，以应对在所述忆阻器件的形成工艺期间所呈现的热预算差异，来获得特定的性能参数。
变化多层器件

[发明专利]多层交叉点电阻存储器及制造方法-CN201010175802.8有效
发明人：殷华湘;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。
多层交叉点电阻存储器制造方法

[发明专利]具有锗纳米棒的场效应晶体管及其制造方法-CN200810086977.4无效
发明人：文昌郁;田重锡;李正贤;李来寅;朴连植;李化成;李浩;赵世泳;金锡必 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。
具有纳米场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构-CN200710192803.1无效
发明人：鲜于文旭;朴永洙;赵世泳;殷华湘;林赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。
单晶硅制造方法结构

[发明专利]鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法-CN200710141807.7无效
发明人： 赵世泳;朴永洙;鲜于文旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。
结构制造采用晶体管方法

[发明专利]多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法-CN200610172718.4有效
发明人：殷华湘;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。
多晶图案形成方法多层交叉点电阻存储器制造

[发明专利]微透镜形成方法和包括微透镜的图像传感器及其制造方法-CN200710005924.0无效
发明人：殷华湘;林赫;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。
透镜形成方法包括图像传感器及其制造

[发明专利]制造底栅型薄膜晶体管的方法-CN200710088997.0无效
发明人：林赫;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。
制造底栅型薄膜晶体管方法

[发明专利]高取向性硅薄膜形成方法、三维半导体器件及其制造方法-CN200610126325.X有效
发明人：鲜于文旭;朴永洙;李准浩;林赫;赵世泳;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al₂O₃层，以及在该高取向性Al₂O₃层上生长硅薄膜。
向性薄膜形成方法三维半导体器件及其制造

[发明专利]形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法-CN200510106861.9无效
发明人：鲜于文旭;野口隆;赵世泳;权章渊;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。
形成铁电膜方法使用电容器存储器件

[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法-CN200410075872.0无效
发明人：朴敬培;野口隆;赵世泳;金道暎;权章渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜，热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜，在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜，以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜，而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。
形成多晶薄膜方法包含薄膜晶体管及其制造

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200510114007.7无效
发明人：野口隆;鲜于文旭;赵世泳;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]制造薄膜晶体管的方法-CN200510081936.2无效
发明人：殷华湘;鲜于文旭;野口隆;赵世泳;郑智心 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。
制造薄膜晶体管方法

[发明专利]制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法-CN200510081929.2无效
发明人：金道暎;野口隆;赵世泳;权章渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备多晶硅薄膜的方法和使用该方法制备半导体器件的方法。为了形成多晶硅薄膜，在形成于基板上的非晶硅薄膜中注入中性离子，然后进行退火。非晶硅薄膜可以在高能量密度下退火，并且可以在非耐热塑料基板上形成具有优异特性的多晶硅薄膜。因此，可以在比如Si晶片或玻璃基板的耐热基板，或比如塑料基板的非耐热基板上形成优异的多晶硅薄膜。
制备多晶薄膜方法以及半导体器件

[发明专利]电子装置及制造该电子装置的方法-CN200510063832.9无效
发明人：郑智心;野口陆;赵世泳;金道暎;朴敬培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。
电子装置制造方法

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