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[发明专利]一种铝互连线及其制备方法-CN201110367827.2无效
发明人：卜维亮;赵强;李晓丽 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明所提供的方法包括以下步骤：以第一薄膜沉积工艺在衬底上沉积钛层；以第二薄膜沉积工艺在所述钛层上沉积氮化钛层；在所述氮化钛层上沉积含铝的金属层；以及在所述金属层上沉积钛/氮化钛层；其中所述第一薄膜沉积工艺与所述第二薄膜沉积工艺在两个不同的腔室中进行不同于现有技术，本发明采用两个腔体分别沉积钛和氮化钛，从而消除了由于氮化钛的存在而造成的钛纯度不高的影响。通过例如离子化金属电浆工艺，使得钛的纯度大大提高，从而具有很强的（002）取向，由此大大增强了铝的（111）取向，降低了电迁移现象发生的可能性，提高了产品的可靠性。
一种互连及其制备方法

[发明专利]一种以金属酞菁化合物作为电子传输层的平面钙钛矿光伏电池-CN201710067481.1在审
发明人：晋芳芳 -专利权人：晋芳芳
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属酞菁化合物作为电子传输层的平面钙钛矿光伏电池，属于光电子材料与器件领域。该电池由透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极组成。本发明的优点是该钙钛矿光伏电池采用一次真空沉积的方法生长的金属酞菁化合物作为电子传输层，取代了传统的基于富勒烯衍生物的电子传输层。本发明制备的金属酞菁化合物化学性质稳定，具有良好的耐热、耐晒、耐酸、耐碱性，可以对钙钛矿吸光层起到良好的保护作用。将其应用于钙钛矿光伏电池，降低电池的成本，提高了电池的寿命。这种以金属酞菁化合物为电子传输层的钙钛矿光伏电池光电转换效率高、结构简单、成本低廉、性能稳定。
一种金属化合物作为电子传输平面钙钛矿光伏电池

[发明专利]MIM电容、MIM电容极板及其制备方法-CN202211260433.1在审
发明人：邢中豪;梁金娥;林建树;李宗旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MIM电容、MIM电容极板及其制备方法，所述电容极板包括：第一氮化钛层、金属层及第二氮化钛层，所述第一氮化钛层形成于半导体结构的表面，且所述半导体结构至少包括半导体衬底，所述金属层形成于所述第一氮化钛层与所述第二氮化钛层之间
mim 电容极板及其制备方法

[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法-CN200910089793.8无效
发明人：赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极该第一、第二和第三金属电极均为贵金属。
一种晶体管器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510176680.7有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅结构；形成覆盖所述半导体衬底和伪栅结构侧壁的介质层，所述介质层的表面与伪栅结构顶部表面齐平；去除所述伪栅结构，形成凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部以及介质层的表面形成高K栅介质材料层；在所述高K栅介质层上形成铝钛成核层，所述铝钛成核层中钛原子的含量大于铝原子的含量；在所述铝钛成核层上形成铝钛体层，所述铝钛体层中钛原子的含量小于铝原子的含量，所述铝钛成核层和铝钛体层构成功函数材料层；在所述铝钛体层上形成金属层，所述金属层填充满凹槽。本发明形成的功函数材料层的表面平坦度提高。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法-CN202011340311.4有效
发明人：杨强;刘洋;王富;王迎鑫 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，包括如下过程：在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜，使陶瓷构件表面镀上金属镀膜；利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层，氢化钛烧结时，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实；氢化钛烧结结束后，陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性完成。使用该方法可在陶瓷与金属的结合区形成一层合金化过渡层，可以显著提高陶瓷结合区的表面能，改善陶瓷表面对金属材料的润性，从而提高陶瓷/金属一体化构件的接头性能和稳定性。
一种适用于陶瓷金属连接结合表面改性方法

[发明专利]平滑化动态随机存取存储器位线金属的方法与设备-CN202080080696.7在审
发明人：普里亚达希·潘达;雷建新;桑杰·纳塔拉扬;黄锡硕;佐佐木信之 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种平滑化存储器结构的位线金属的顶表面的工艺减少位线堆叠的电阻。此工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积大约30埃至50埃的钛层、在钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第一氮化钛层、在大约摄氏700度至摄氏850度的温度退火基板、在退火之后的第一氮化钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第二氮化钛层、及在第二氮化钛层上沉积钌的位线金属层。
平滑动态随机存取存储器金属方法设备

[实用新型]一种内衬钛复合金属管-CN201220225311.4有效
发明人：陈伟;沈达香 -专利权人：江苏三汇联发管业有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： F16L9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内衬钛复合金属管，包括碳钢基体钢管层（1），其特征在于：所述碳钢基体钢管层（1）内衬钛耐腐蚀层（2），碳钢基体钢管层（1）通过静水压扩径复合工艺与钛耐腐蚀层（2）复合连接。本实用新型解决了现有技术中为了使金属管在较多介质的应用中有具备耐蚀性，尤其是在中性及氧化性介质中的耐蚀性，而采用成本较高的由纯钛或者钛合金材料制成的钛金属管，导致成本高的问题。
一种内衬复合金属管

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211199827.0在审
发明人：刘曦光 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括半导体基底和设置于半导体基底上的介质层，介质层中开设有露出半导体基底的接触孔；通过化学气相沉积的方式在接触孔的侧壁上沉积钛金属层，第一沉积工艺和第二沉积工艺沉积的钛金属层完全覆盖接触孔的侧壁；沉积钛金属层的制程包括第一沉积工艺和第二沉积工艺。通过结合第一沉积工艺和第二沉积工艺，能够形成完全覆盖接触孔的侧壁的钛金属层，进而有效降低氮化钛的用量、或是避免氮化钛的使用，进而显著降低接触结构的电阻。
半导体结构制备方法

[发明专利]印刷电路板用基板、印刷电路板和制作印刷电路板用基板的方法-CN201580070789.0有效
发明人：宫田和弘;冈田一诚;春日隆;冈良雄;奥田泰弘;朴辰珠;上田宏;三浦宏介 -专利权人：住友电气工业株式会社;住友电工印刷电路株式会社
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面的印刷电路板用基板包括：基膜，其具有绝缘性；以及导电层，其形成在基膜的至少一个表面上，其中，至少导电层分散有钛。导电层的主要成分优选地为铜或铜合金。导电层中的钛的质量含量优选地为10‑1,000ppm(包括端点值)。优选地通过涂覆并加热包含金属颗粒的导电墨来形成导电层。导电墨优选地包含钛或钛离子。金属颗粒优选通过钛氧化还原法来获得，钛氧化还原法用于利用作为还原剂的三价钛离子的作用在水溶液中还原金属离子。
印刷电路板用基板制作方法

[发明专利]在半导体晶片上形成电导接结构的方法-CN98118290.9有效
发明人：陈昶辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-10-06 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法，包括以下步骤：在该半导体晶片上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一钛金属层，作为粘着层；在该钛金属层上形成一氮化钛层，作为阻挡层；进行一快速热回火步骤；在该氮化钛层之上形成一钨金属层
半导体晶片形成电导结构方法

[发明专利]铜衬底上的碳纳米管生长-CN201310511539.9在审
发明人：维克托·普施帕拉吉;吉恩·马拉马格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在铜衬底上形成碳纳米管的方法可包含：提供铜衬底；在铜衬底上沉积钛金属薄膜粘合层；在钛金属薄膜上沉积氮化钛薄膜，氮化钛薄膜厚度在100纳米至200纳米之间；在氮化钛薄膜上沉积催化剂金属，所述催化剂金属在氮化钛薄膜的表面上处于离散颗粒形式；和在催化剂金属的离散颗粒上生长碳纳米管，所述碳纳米管生长至至少3微米的平均长度；其中所述氮化钛薄膜是扩散阻挡层，所述扩散阻挡层防止铜与催化剂金属的合金化。
衬底纳米生长

[发明专利]氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法-CN201710253069.9有效
发明人：杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的中部设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的两侧设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤，去除中部上的第一保护层薄膜，对中部上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对中部区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
氧化方法制备热敏红外探测器及其

[实用新型]一种热沉块-CN201320803896.8有效
发明人：王红 -专利权人：苏州文迪光电科技有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型提供一种热沉块，包括陶瓷块，所述陶瓷块上设有形成导电电路的金属层花纹，所述金属层花纹包括位于所述陶瓷块表面的钛金层、位于所述钛金层表面的铂金层、及位于所述铂金层表面的黄金层。该热沉块先在陶瓷块表面溅射钛金层、然后再溅射铂金层和黄金层，钛金层可有效提高铂金层与热沉块之间的结合力，而且可增加金属层花纹的厚度，使导电电路散热性更好，同时可有效降低热沉块的生产成本。
一种热沉块

[发明专利]一种从废铅酸蓄电池回收铅用于制备太阳电池的方法-CN201810040228.1在审
发明人：谭占鳌;李聪;郭强;王福芝 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种从废铅酸蓄电池阳极和阴极得到醋酸铅，再以醋酸铅为铅源制备钙钛矿太阳电池的方法。明所述钙钛矿太阳电池，其结构为p‑i‑n型如透明导电金属氧化物层/空穴传输层/钙钛矿吸光层/电子收集层/金属电极层，或为n‑i‑p型如透明导电金属氧化物层/电子收集层/钙钛矿吸光层/空穴传输层/金属电极层，或透明导电金属氧化物层/致密电子收集层/多孔电子收集层/钙钛矿吸光层/空穴传输层/金属电极层。
醋酸铅钙钛矿透明导电金属氧化物层电子收集层金属电极层空穴传输层阳极吸光层阴极废铅酸蓄电池脱硫物制备双氧水致密制备钙钛矿醋酸蒸汽多孔电子高温烧结节约资源阴极材料回收收集层稀醋酸氧化铅重结晶铅源脱硫过滤