专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于双层金属电极的锡铅混合钙矿太阳能电池及其制备方法-CN202310131719.8在审
  • 台启东;周远;张辉 - 武汉大学
  • 2023-02-16 - 2023-06-06 - H10K30/50
  • 本发明公开了一种替代金/银的双层金属作为电极并应用到低带隙锡铅混合钙矿太阳能电池的制备方法。该钙矿太阳能电池器件主要由透明导电玻璃、空穴传输、钙矿吸光、电子传输、第一金属电极和第二金属电极组成。该钙矿组分主要为甲脒基有机分子和半锡半铅比例的无机分子以及碘离子组成,第一金属电极为具有还原性的金属锡,第二金属电极为非贵金属。制备方法包括:在干净ITO玻璃衬底上旋涂空穴传输;然后旋涂锡铅混合钙矿薄膜;接着旋涂电子传输;最后蒸镀第一、二金属电极。本发明制备的电池器件具有更高的光电转化效率和更为优异的稳定性尤其空气保存的稳定性,为钙矿太阳能电池的实际应用奠定了良好基础。
  • 一种基于双层金属电极混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种金属布线上层间膜的二步淀积法-CN200310109531.6有效
  • 施向东;姚亮 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2003-12-18 - 2005-06-22 - H01L21/768
  • 本发明有关一种金属布线上层间膜的淀积方法,其采用二步淀积间膜,解决间膜埋入性差的问题,其具体步骤为:首先在芯片表面上进行间膜淀积;第二步,选择性刻蚀间膜;接着进行金属膜淀积及氮化/薄膜淀积,在芯片的表面及上述间膜上形成金属淀积及氮化/薄膜;然后进行金属线刻蚀,选择性刻蚀淀积的氮化/薄膜金属;最后采用一般等离子成膜方式进行第二次的间膜淀积。由于采用上述方式,本发明的间膜埋入性好,能解决金属空洞的问题,同时由于在第二步成膜时采用一般等离子成膜方式,减小等离子的损伤及热履历过程。
  • 一种金属布线上层二步淀积法
  • [发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110423997.8有效
  • 郭志明;邱奕钏;何荣华 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2013-06-19 - H01L21/60
  • 其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板,该硅基板具有多个焊垫;形成一含金属于该硅基板,该含金属具有多个第一区及第二区;形成一光阻于该含金属;图案化该光阻以形成多个开槽;形成多个凸块底部包覆层于该含金属上;形成多个铜凸块于上述开槽内;进行一加热步骤;形成多个凸块外部包覆层,以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层,并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹;形成多个接合于各该凸块外部包覆层;移除该光阻;以及移除该含金属的上述第二区,并使该含金属的各该第一区形成为一凸块下金属
  • 制造工艺及其结构
  • [实用新型]一种抗氧化复合钢板-CN202220519245.5有效
  • 王伟 - 扬州市顺腾不锈钢照明器材有限公司
  • 2022-03-09 - 2022-10-11 - B32B15/01
  • 包括板、第一钢板、金属缓冲和第二钢板,板的下表面设有若干锯齿单元,板与第一钢板之间设有第一粘合,第一钢板的下方设有金属缓冲,第一钢板与金属缓冲之间设有第二粘合金属缓冲的下方设有第二钢板,金属缓冲与第二钢板之间设有第三粘合板的上表面设有上抗氧化防护,第二钢板的下表面设有下抗氧化防护。本实用新型的钢板由板、钢板和金属缓冲复合而成,在具有高强度的同时,具备良好的缓冲性能,耐冲击,性能优异;复合钢板的上下表面均涂覆抗氧化防护,钢板的抗氧化性能优异,耐腐蚀性好,经久耐用,性能稳定。
  • 一种氧化复合钢板
  • [发明专利]一种基或锆基金属表面等离子氧碳共渗的方法-CN201611091389.0有效
  • 王浩楠;李争显;赵文;姬寿长;王彦峰;吕海兵;张勇 - 西北有色金属研究院
  • 2016-12-01 - 2018-09-21 - C23C8/36
  • 本发明公开了一种基或锆基金属表面等离子氧碳共渗的方法,该方法为:一、对基或锆基金属工件的表面进行预处理;二、将金属工件置于离子化学热处理炉中,预抽真空,通入Ar和CO2气体;三、对金属工件加载负偏压,产生辉光放电,用辉光等离子体对金属工件进行清洗,然后对基或锆基金属工件进行加热进行离子氧碳共渗处理;四、关闭偏压电源,停止通气,使金属工件随炉冷却至100℃以下出炉,得到经离子氧碳共渗处理的基或锆基金属工件,所述基或锆基金属工件的表面形成5μm~3000μm厚的硬化,硬度达到700HV~2100HV。本发明渗速快、渗深,制备的硬化为复合渗,渗硬度高,复合渗具有优良的韧性。
  • 一种基金表面等离子氧碳共渗方法
  • [发明专利]半导体金属内连线的制造方法-CN01116180.9无效
  • 欧阳允亮;黄昭元 - 矽统科技股份有限公司
  • 2001-05-25 - 2003-01-01 - H01L21/768
  • 一种半导体金属内连线的制造方法,它包括下列步骤提供一包含导电区域的半导体基底,该导电区域具有金属线及孔洞;于该半导体基底的表面上顺应性地形成一金属;以化学气相沉积法于该金属表面上顺应性地形成第一氮化;以物理气相沉积法于该第一氮化表面上顺应性地形成第二氮化。具有确保先前所形成的第一氮化不会因为其化学性质不稳定而发生氧化作用。提高元件的可靠度的功效。
  • 半导体金属连线制造方法

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