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[发明专利]基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法-CN202010400726.X有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法。本发明公开的半浮栅存储器，是在浮栅晶体管内部同时嵌入pn结和肖特基二极管，分别作为电荷擦写的通道；pn结具有整流特性，即正向导通、反向截止，而且开启电压非常小；利用pn结作为电荷擦除的通道，可以极大提高擦除速度；肖特基二极管同样具有整流特性，而且开启电压也非常小；利用肖特基二极管作为电荷写入的通道，可以极大提高电荷写入速度。
基于 pn 肖特基二极管半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]一种高密度纳米级位错肖特基结二极管器件及其制备方法-CN202110679112.4在审
发明人：陈春林;陶昂;马秀良 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：，适于多尺寸、高质量、高密度的一维导电肖特基结器件的制备。将Nb掺杂的SrTiO3(简称为Nb:SrTiO3)作为肖特基结的N极，α‑Fe2O3薄膜中的贯穿位错作为肖特基结的M极。薄膜内生长出高密度的贯穿位错，从而实现α‑Fe2O3位错/Nb:SrTiO3肖特基结的设计本发明为肖特基结二极管的设计方式提供了一种新的思路，为新型高密度纳米级位错肖特基结二极管器件在光电领域、非易失性存储以及晶体管相关领域的发展奠定基础。
一种高密度纳米级位错肖特基结二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种高压肖特基二极管及其制造方法-CN202211039573.6在审
发明人：贾淑方;王芮;余健;洪学天;王尧林;赵大国;林和 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压肖特基二极管，属于半导体技术领域。该高压肖特基二极管包括阴极金属、N+型基板、N‑型外延层和阳极金属，所述N‑型外延层的上表面侧面设有P+JBS区域，所述P+JBS区域的掺杂浓度比所述N‑外延层的掺杂浓度高，其中，所述N‑型外延层的上表面还设有本发明的高压肖特基二极管在N型半导体层的表面加入了相对较薄的P‑层可提高JBS二极管的导通状态(正向偏置)性能，减小器件的反向漏电流。本发明的高压肖特基二极管在P+区两侧引入沟槽SiO2介质区，屏蔽肖特结的表面电场，降低肖特基接触区的表面电场强度，使器件在体内发生击穿，进一步减小器件的反向漏电流。
一种高压肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种用于光电器件封装的半导体载体-CN03139121.4无效
发明人：何晓光 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2003-08-14 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在一个方向，两个电极间的电隔离由反向偏置半导体结或肖特基结形成；另一方向正向半导体结或肖特基结对光电器件反向偏置短路，保护光电器件免受反向击穿，使用半导体结或肖特基结电隔离，较介质膜隔离有较好的导热系数
一种用于光电器件封装半导体载体

[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构-CN201610915787.3在审
发明人：黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下氮化鎵外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，肖特基金属极(即阳极)内有一部分金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片-CN202310327900.6在审
发明人：刘杰 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片，通过在N型沟道层内增加多个两端分别与N型漂移层和N型再生层接触的P型深区结构，在N型再生层的正面形成多个P型注入区，阳极金属层与P型注入区之间形成欧姆接触，并与N型再生层之间形成肖特基接触，当器件在高温条件下处于反向偏置时，P型深区结构和P型注入区共同承担电场尖峰，在均匀化电场的同时，电场尖峰位置下移，P型深区结构和P型注入区具有双重屏蔽作用，将热量远离肖特基结，从而对肖特基结起到加强保护的作用，大大降低了器件的漏电流，解决了二极管在高温环境下由于漏电较大导致器件稳定性降低，限制了二极管器件的应用场景的问题。
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法芯片

[发明专利]新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201911050585.7在审
发明人：黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法利用新颖的设计及相对简单易达成的工艺为提高肖特基二极管的性能提供了新途径。新型GaN结势垒肖特基二极管，二极管由下到上依次包括：阴极、衬底、n
结势垒肖特基二极管高阻区梳状阴极等离子体形成反向击穿电压肖特基二极管正向导通电阻二极管阳极电极边缘工艺难度击穿性能欧姆接触有效抑制新途径再生长击穿衬底外沿制备激活

[发明专利]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法-CN201610199796.7在审
发明人：王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO₂隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO₂隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本发明的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题
一种 sic 环状浮点结构结势垒肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于范德华接触垂直p-n结二极管及制备方法、半导体器件-CN202211509516.X在审
发明人：周兴;王浩云;宋星宇;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华接触垂直p‑n结二极管及制备方法、半导体器件。所述二维材料垂直p‑n结二极管，包括自上而下垂直堆叠的金属顶电极、p型二维材料、n型二维材料和底电极，其中，相邻两层的材料之间通过范德华力形成范德华接触，使得相邻两层的材料相互贴合不脱落。基于范德华接触的垂直p‑n结二极管界面平整而无缺陷和晶格破坏，避免了传统蒸镀方法对二维材料晶格产生的破坏，使得器件中费米钉扎导致的肖特基势垒和隧穿电流显著降低，从而大大提升该器件的整流性能。本发明解决了现有二维材料垂直p‑n结器件具有肖特基势垒和较大隧穿电流的技术问题。
基于范德华接触垂直二极管制备方法半导体器件

[发明专利]一种具有沟槽肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210144456.6有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-04-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽肖特基半导体装置，包括了MOS结构、PN结和肖特基势垒结；通过MOS结构改变反向偏压的电场分布，从而改善器件的正向导通特性；通过PN结改善器件的瞬态高压的承受能力，同时当半导体装置在正向小电流密度下，PN结不发生开启，从而减少了器件的少子注入，提高了器件的反向恢复特性；本发明提供了一种具有沟槽肖特基半导体装置的制备方法。
一种具有沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]横向高电子迁移率晶体管-CN201210117346.0有效
发明人： F.希尔勒;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：横向HEMT还包括栅电极、源电极、漏电极和整流肖特基结。整流肖特基结的第一端子电耦合至所述源电极，并且整流肖特基结的第二端子电耦合至所述第二半导体层。
横向电子迁移率晶体管

[发明专利]一种超级结肖特基二极管-CN201610596069.4有效
发明人：任敏;林育赐;包惠萍;罗蕾;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种超级结肖特基二极管。本发明的特征在于：通过在器件体内沟槽处形成肖特基结，增大了肖特基结的有效面积，从而提高器件的电流能力。
一种超级结肖特基二极管

[发明专利]一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET-CN202010995869.X在审
发明人：郑崇芝;夏云;吴毅;孙瑞泽;刘超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET。本发明在P型基区表面引入肖特基接触，因此形成一个与体PN结二极管反串联的肖特基二极管。在反向导通时，由于肖特基二极管处于反偏状态，因此体PN结二极管的导通被极大地抑制了。
一种有源端肖特基接触 mosfet

[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201810998572.1有效
发明人：张金平;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明在器件靠近发射区外侧的基区上表面引入了禁带宽度相对较小的半导体层或肖特基接触金属，通过异质结或肖特基接触作为少数载流子势垒来增强电导调制效应，减小了器件导通压降、优化了器件正向压降和关断损耗的折中特性；并且由于本发明引入的异质结或肖特基接触在功能上可替代CS层，故有利于减小基区和漂移区形成PN结的电场强度以提高器件击穿电压；并使栅氧化层电场强度在安全值(3MV/cm)以下，从而保证了栅氧化层的可靠性
一种沟槽绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法-CN201410270490.7无效
发明人：李迪;贾利芳;何志;樊中朝;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法