“石芝铭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种同质集成器件及制备方法-CN202211725754.4在审
发明人：吕顺鹏;黎大兵;孙晓娟;蒋科;贲建伟;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供的同质集成器件，包括衬底(1)、非特异掺杂层(2)、n型掺杂层(3)、多量子阱层(5)、p型掺杂层(6)、n型接触电极(4)、p型接触电极(7)及光波导结构(30)，本申请提供的同质集成器件，得益于激光蚀刻蓝宝石结合金属掩膜保护工艺，可以高效制备空气/氮化物/空气光波导结构，其介电常数差异大，光耦合效率更高；得益于p型接触电极中的Ag/Al材料，可有效反射p面出射的可见光/紫外光，可提高探测器接收到的光强；得益于n型接触电极中的Ag/Al材料，可有效从侧面反射可见光/紫外光，并将光集中到光波导结构中，提高光耦合效率。另外，本申请还提供了同质集成器件制备方法。
一种同质集成器件制备方法

[发明专利]一种异质结高能粒子探测器及其制备方法-CN202111508220.1在审
发明人：贾玉萍;黎大兵;孙晓娟;刘明睿;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结高能粒子探测器及其制备方法，该异质结高能粒子探测器，包括底电极、衬底、半导体材料层、高原子序数二维材料层和顶电极，选择具有高原子序数的二维材料层可以实现高能粒子的有效碰撞，提高粒子响应效率，结合高能粒子在半导体材料中产生高能粒子碰撞，产生载流子，两个区域的载流子同时形成探测电荷信号，大幅增强了探测器的探测能力，同时，二维材料层和半导体材料层可以形成异质结甚至PN结，通过异质结内建电场实现载流子进行分离和传输，再次提高探测器的探测性能。
一种异质结高能粒子探测器及其制备方法

[发明专利]一种多色探测器及制备方法-CN202310064034.6在审
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;蒋科;刘明睿;吕顺鹏;石芝铭;臧行;陈洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供的多色探测器及制备方法，包括：导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层，本申请提供的多色探测器，将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合，利用二维材料作为吸收层，再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中，实现倍增，获得高响应度可见‑红外探测；且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测，利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测，得到高性能多色探测器。
一种多色探测器制备方法

[发明专利]一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用-CN202310064004.5在审
发明人：孙晓娟;臧行;黎大兵;石芝铭;蒋科;贲建伟;吕顺鹏;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在衬底形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层，方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。本发明通过控制温度呈周期性方波脉冲变化，在GaN中形成具有长程铁磁序的堆垛失配晶界，不引入其它磁性杂质，对反应腔室不存在污染；对堆垛失配闪锌矿GaN结构的能带进行模拟，确认自旋极化性质存在，在此基础上，根据平均场近似，预测居里温度，确认在温度高于室温条件下，长程磁序仍能保持。
一种长程铁磁性 gan 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种MOCVD反应腔及材料生长的方法-CN202310064077.4在审
发明人：张山丽;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟;蒋科;石芝铭;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请提供的MOCVD反应腔及材料生长的方法，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小，上述MOCVD反应腔及材料生长的方法，通过探测衬底表面温度，同时，将该温度信号反馈给激光控制单元，激光控制单元根据分析结果，改变激光光斑的大小和激光功率的大小，进而实现提高反应室的生长温度和温场的均匀性的目的，最终提高外延材料的晶体质量，不但可以实现高效的p型掺杂，同时还可以实现精准控温，提高设备的温场均匀性和材料的生长温度。
一种 mocvd 反应材料生长方法

[发明专利]一种基于AlScN的光-铁电突触器件及制备方法-CN202310132376.7在审
发明人：孙晓娟;刘明睿;黎大兵;蒋科;吕顺鹏;石芝铭;贾玉萍;臧行 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本申请提供的基于AlScN的光‑铁电突触器件及制备方法，包括自下至上依次设置的衬底、底电极、AlScN铁电层及顶电极，利用AlScN材料的极化方向可随外电场方向翻转的特性，通过电脉冲实现写入信息；利用AlScN材料在外加偏压为零时的强剩余极化特性，实现信息的准确记忆；利用其宽带隙的优势，在零偏压下实现日盲紫外波段的信息无损读取，并且两端器件结构制备方法简单。
一种基于 alscn 突触器件制备方法

[发明专利]一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法-CN202211646475.9在审
发明人：孙晓娟;祁建海;陈洋;石芝铭;黎大兵;蒋科;贾玉萍 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化h‑BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法。本发明的h‑BN薄膜的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备图形化GaN；在图形化GaN上制备Cu以形成图形化Cu；利用氮化硼前驱体，在图形化Cu上生长得到h‑BN薄膜，即得图形化h‑BN薄膜；本发明的h‑BN薄膜的制备方法，利用Cu、GaN两种衬底的催化特性的区别，实现h‑BN在Cu衬底上生长而无法在GaN上生长，达到原位生长微图案化h‑BN的目的，从而避免传统二维材料图形刻蚀工艺带来的边缘缺陷，导致载流子复合和漏电等问题；将本发明制备的h‑BN薄膜作为电介质层制备MIS半导体器件，可以提高半导体器件的性能和工作稳定性。
一种图形 bn 薄膜 mis 半导体器件制备方法

[发明专利]一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源及其制备方法-CN202211258762.2在审
发明人：黎大兵;臧行;石芝铭;孙晓娟;蒋科;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源的制备方法，属于半导体技术及量子信息技术领域，通过群论分析结合第一性原理计算，确认AlGaN中性阳离子空位适合单光子发射，具体实现包括以下关键步骤：p型AlGaN生长，通过表面电子辐照、脉冲激光辐照等方法结合氮化处理、热退火处理制备阳离子空位。本发明还提供了采用如上方法制备得到的AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源。本发明为量子通信领域提供可选的单光子源方案，同时对基于半导体材料缺陷单光子源的设计具有指导意义，工艺简单，所基于的半导体材料AlGaN工业制备方法成熟，光子能量适合于在光纤中低损耗传播，具有广阔的应用前景。
一种 algan 阳离子空位缺陷光子发射及其制备方法

[发明专利]一种基于AlScN铁电材料的紫外探测器及其制备方法-CN202211154595.7在审
发明人：孙晓娟;刘明睿;黎大兵;蒋科;贾玉萍;吕顺鹏;臧行;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AlScN铁电材料的紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的基于AlScN铁电材料的紫外探测器，从下至上包括衬底，依次生长的n型氮化物层、AlScN光吸收层、顶电极，还包括在所述n型氮化物层的暴露区域上生长的底电极；所述AlScN光吸收层与顶电极形成肖特基接触，所述AlScN光吸收层与n型氮化物层形成异质结，所述n型氮化物层与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlScN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性优势，通过耦合AlScN的强铁电极化场与两侧电极界面内建电场，可以有效促进紫外光照下光生电子和空穴的分离和传输，具有广阔的应用前景。
一种基于 alscn 材料紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法-CN202011579584.4有效
发明人：黎大兵;王星辰;孙晓娟;蒋科;贾玉萍;石芝铭;陈洋;臧行 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置，属于半导体技术领域，包括紫外光学透镜、DMD、DMD控制模块、AlGaN基多元紫外探测器、信号处理模块、数据采集模块、图像重建模块；所述DMD控制模块与所述DMD、所述信号处理模块、所述数据采集模块电性连接，所述数据采集模块还与所述图像重建模块电性连接。本发明还提供一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像方法。本发明的基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法，利用DMD与多元AlGaN基紫外探测器结合使用实现高分辨率紫外成像，利用DMD成像机理，解决了传统AlGaN面阵高分辨率成像盲元率高的问题，并且利用多元AlGaN探测器，解决了单管高分辨率成像中成像时间长的问题。
一种基于 dmd algan 基多紫外探测器成像装置方法

[发明专利]一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法-CN202111211399.4在审
发明人：孙晓娟;陈雨轩;黎大兵;蒋科;贲建伟;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法，该同质集成芯片，包括：衬底；缓冲层；LED器件，其为圆环状或圆弧状；探测器，位于LED器件内侧；本发明的集成芯片，采用圆环状或圆弧状的LED器件以及位于LED器件内侧的探测器，从方向上提高了LED出光的利用率，在有源区面积一定的情况下提高了LED和探测器侧壁的交互面积，便于探测器收集。本发明的集成芯片，在LED器件外周面设置金属反射层，同质集成芯片中LED器件的光提取效率和电光转换效率大幅提高，探测器接收的入射光通量增大，灵敏度提高，集成芯片的光耗散有效减少，从而达到提高紫外LED和探测器同质集成芯片信号转换效率和传输速度的目的。
一种紫外 led 探测器同质集成芯片及其制备方法

[发明专利]基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法-CN202010191521.5有效
发明人：黎大兵;郭龙;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器，为凸台结构，从下至上依次包括衬底，均通过外延技术生长的BN缓冲层、三维BN层、介电层、二维BN层，介电层和二维BN层形成台面；还包括第一电极、第二电极，第一电极设于三维BN层上，第二电极设于二维BN层上；探测器利用光电导型模式，实现红外和紫外探测信号的提取。本发明还提供了上述基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器的制备方法。本发明的基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器的结构简单，利用二维BN光学声子极化效应诱导自由载流子漂移实现红外探测，利用三维BN实现紫外探测，实现了同质集成，且制备工艺简单、可控性强、可批量生产、应用前景广泛。
基于 bn 电导同质集成紫外红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器-CN202110510226.6在审
发明人：孙晓娟;谢智伟;黎大兵;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，属于光电探测技术领域，包括衬底，在所述衬底的上表面依次形成的半导体吸收层、介电层和金属上电极，在所述衬底的下表面依次形成的石墨烯插入层和金属下电极。本发明中石墨烯插入层促进了碳复合物的形成，将欧姆电极的退火温度降低至400℃，减小了在传统欧姆接触形成需在880℃下退火的限制，减小了高温退火对碳化硅外延层中杂质的激活作用，从而优化了探测器欧姆接触特性和漏电特性；同时基于石墨烯的费米能级可调性能，实现石墨烯/碳化硅高的界面内建电场，提高载流子分离输运，优化探测器的能量分辨率。
一种石墨优化宽禁带半导体辐射探测器

[发明专利]一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法-CN202110123393.5在审
发明人： 石芝铭;齐占斌;黎大兵;臧行;孙晓娟;蒋科;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法涉及半导体光电器件技术领域，解决了未实现二维第三主族金属氮化物单光子发射的问题，方法为：利用分子束外延技术生长二维第三主族金属氮化物，通过调节生长条件和/或通过等离子轰击或电子轰击二维第三主族金属氮化物，以获得具有目标点缺陷的二维第三主族金属氮化物；利用具有目标点缺陷的二维第三主族金属氮化物制备单光子发射器件。目标点缺陷至少包括第三主族金属空位缺陷、带负电的第三主族金属空位缺陷、带正电第三主族金属反位缺陷中的一种。一种单光子发射器，采用上述方法制备。本发明能够制备具有高光提取效率、能够调节发射单光子的能量的单光子发射器。
一种二维第三金属氮化物实现光子发射方法

[发明专利]基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法-CN201910917822.9有效
发明人：黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法，涉及半导体材料技术领域，解决现有探测器存在无法进行分波段探测，且不能实现柔性化设计的问题，依次在衬底上打印的MoS2层、石墨烯层、BN层以及Ag层；在所述衬底背面打印PtSe2层和Ag层；MoS2层、石墨烯层、BN层、Ag层以及PtSe2层的厚度均为1μm‑10μm。还包括分别在石墨烯层、BN层、Ag层生长Al2O3保护层，Al2O3保护层的厚度为2nm‑3nm。本发明采用喷墨打印技术制备半导体二维材料以及电极。提出的分波段柔性光探测器，增加栅极的结构，并在栅极下方生长氮化硼二维材料，使得二硫化钼产生光生载流子时表现为栅极电流增加，实现分波段的探测由于选用透明的衬底，还在器件背部生长二硒化铂二维材料以实现对中红外波段的响应。
基于喷墨打印技术波段柔性探测器方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条