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[发明专利]一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法-CN202111471642.6在审
发明人：王鑫华;刘新宇;黄健;黄森;颜呈祥;魏珂;殷海波;徐正源 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本公开提供了一种类结型的横向鳍式二极管，包括：依次位于衬底上的成核层、缓冲层、至少两个异质结单元层及钝化层；其中，从钝化层表面依次刻蚀钝化层及至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽内分别设置阳极欧姆层和阴极欧姆层；从衬底背面在阳极欧姆层的正下方位置依次刻蚀衬底、成核层、缓冲层及第一异质结单元层形成的第三凹槽，第三凹槽内设置背孔肖特基电极层；其中，背孔肖特基电极层与阳极欧姆层对称排列构成钳形横向鳍式结构。本公开还提供了一种类结型的横向鳍式二极管的制备方法。
种类横向二极管制备方法

[实用新型]一种内置过温保护的塑封可控硅-CN202221415990.1有效
发明人：张正荣;周榕榕;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种内置过温保护的塑封可控硅，包括引线框架、可控硅芯片和正温度系数热敏电阻芯片。可控硅芯片通过焊料设置于引线框架的底板的居中位置上，正温度系数热敏电阻芯片通过焊料设置于引线框架的门极引出端的居中位置上，正温度系数热敏电阻芯片通过内引线连接到可控硅芯片的门极。本实用新型通过产品自身内部热传导实现过温检测，采用正温度系数热敏电阻，在现有可控硅的基础上，实现了对可控硅本身及使用电路的过温保护。
一种内置保护塑封可控硅

[发明专利]GaN基欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件和电子设备-CN202210882155.7在审
发明人：刘新宇;黄森;黄健;王鑫华;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本公开提供一种GaN基欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件和电子设备。其中，该GaN基欧姆接触结构包括衬底、异质结构层、金属堆栈层以及插入层。异质结构层位于衬底上，用于形成异质结界面的2DEG；金属堆栈层嵌入在异质结构层的中部，用于形成欧姆金属结构；插入层位于金属堆栈层下方，嵌入在异质结构层中，用于与异质结构层形成欧姆接触，并降低异质结构层的欧姆接触势垒高度。因此，提供了一种具有插入层结构的低温无金欧姆接触结构，通过薄势垒的外延结构实现增强型器件，通过利用插入层和势垒层减薄降低欧姆接触势垒高度，可实现GaN基高电子迁移率晶体管(即HEMT)与Si‑CMOS工艺的有效兼容，为增强型射频器件功率器件的产业化提供了可行性方案。
gan 欧姆接触结构及其制备方法 hemt 器件电子设备

[实用新型]一种快速检测可控硅带载与散热能力的装置-CN202120166387.3有效
发明人：张正荣;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速检测可控硅带载与散热能力的装置，包括交流电源、大功率负载、被测可控硅、主控电路、开关电路、电流检测电路、过零检测电路、显示电路和外部温度检测电路；交流电源用于提供电源信号；主控电路用于控制被测可控硅导通角度、调节有效电流值；开关电路用于回路的导通、关断；电流检测电路用于检测有效电流。采用本实用新型的装置的试验方法的测试时间较快，一般从准备工作到测试完成基本控制在半小时内，效率较高。可以有效对比同样电流下，同样工作时长下的可控硅的发热状态，来选择性价比最高的可控硅。本实用新型大大的缩短了测试周期，降低了测试成本，提高设计效率。
一种快速检测可控硅散热能力装置

[外观设计]压敏电阻器（白色）-CN201730381355.4有效
发明人： 颜呈祥;王成森;李成军;胡元希;薛治祥 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：压敏电阻器（白色）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于LED驱动电路中。3．本外观设计产品的设计要点：形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计压敏电阻器图片

[发明专利]一种氧化锌压敏电阻器的制作方法-CN201710880831.6在审
发明人：王成森;胡元希;李成军;颜呈祥;薛治祥;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01C7/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌压敏电阻器的制作方法，采用压制陶瓷烧结工艺制成陶瓷基板；在陶瓷基板的表面覆盖一层掩膜版，对陶瓷基板进行金属化处理，在陶瓷基板两面的电极区形成金属电极；将溅射好金属电极的陶瓷基板粘附在蓝膜上，采用砂轮划片技术在陶瓷基板上的切割区进行切割，将陶瓷基板切割成一颗颗独立的压敏电阻陶瓷芯片，压敏电阻陶瓷芯片整齐排列的粘附在蓝膜上，将带有压敏电阻陶瓷芯片的蓝膜装配在自动粘片机上进行自动点胶、上芯、烧结；对装配好的压敏电阻陶瓷芯片进行塑封、固化、切筋，最终形成一颗颗压敏电阻器。采用大陶瓷基板一体成型、金属化、蓝膜黏贴、切割工艺，克服了小尺寸压敏电阻陶瓷芯片生产难度大、效率低的问题；采用自动粘片工艺，封装生产效率提高。
一种氧化锌压敏电阻制作方法

[实用新型]一种内置触发放电管的塑封可控硅-CN201720772464.3有效
发明人：黎重林;颜呈祥;王成森;王琳 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内置触发放电管的塑封可控硅，包括引线框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的门极、引线框架的门极引出端、放电管芯片、铝内引线，可控硅芯片通过焊料置于引线框架的底板居中位置上，放电管芯片通过焊料置于引线框架的门极引出端居中位置，放电管芯片通过铝内引线与可控硅芯片的门极相连接，可控硅芯片的门极位于可控硅芯片右下角。本实用新型可以使可控硅的触发角很小，从而提高可控硅的输出效率，可以形成可控硅的强触发，加快可控硅的开通时间，减少可控硅在开通时段的发热，对应用电路中的触发电容取值越小，触发角越小，器件在到达转折电压时。
一种内置触发放电塑封可控硅

[实用新型]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管-CN201620264475.6有效
发明人：王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体芯片技术领域，公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO₂隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO₂隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本实用新型的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题。
一种 sic 环状浮点结构结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法-CN201610199796.7在审
发明人：王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO₂隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO₂隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本发明的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题。
一种 sic 环状浮点结构结势垒肖特基二极管制备方法

[实用新型]一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置-CN201120232561.6有效
发明人：钱清友;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： B05C11/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置，包括匀胶腔体底座，所述匀胶腔体底座顶部设有匀胶腔体盖，所述匀胶腔体底座和匀胶腔体盖之间设有匀胶腔体心体，其特征在于：所述匀胶腔体心体的正上方设有匀胶遮挡环，所述匀胶腔体心体侧面与匀胶腔体盖内侧内弧面平行，其间距为3.0-3.5cm，所述匀胶腔体心体顶部中心与匀胶腔体盖中心间距为1.4-1.6cm，所述匀胶遮挡环与匀胶时硅片的间距为0.15-0.25cm。本实用新型的优点是：可以减少排风的损失及加大排风在匀胶腔体中上部的抽速，在不增加总排风量的基础上有效的将匀胶过程生产的大部分胶丝抽走；光刻胶匀胶过程中生产的胶丝也就无法粘附在硅片边缘，提高了操作的简易性和光刻工艺质量。
一种粘度光刻胶无胶丝匀胶装置

[发明专利]半导体高压器件芯片及其制造方法-CN200910301947.5无效
发明人：王成森;黎重林;王琳;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：启东市捷捷微电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及半导体高压器件芯片，该芯片的内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。本发明还涉及半导体高压器件芯片制造方法：在湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤中将内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带；并且湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤与正面蒸镀铝膜步骤之间还增加了沉积SIPOS膜和玻璃钝化膜沉积步骤。本发明优点是可直接提高击穿电压，使在制造中的硅片破碎率降低、提高散热能力、降低了划切难度、提高了划切速度、划切后没有崩裂现象，提高了器件的可靠性。
半导体高压器件芯片及其制造方法

[发明专利]低结电容过压保护晶闸管器件芯片及其生产方法-CN200910301945.6有效
发明人：黎重林;王成森;薛治祥;颜呈祥;吴家健 -专利权人：启东市捷捷微电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片和其生产方法，该芯片包括金属电极T1和T2、N⁺发射区、N^-型长基区、P型短基区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，所述芯片内部设立一段N型离子注入区，在蚀刻沟槽外的P型短基区下形成一个N型区域埋层，其生产方法是：在硅片氧化后，在P型短基区扩散步骤前，增加了三步工艺步骤，双面光刻N型离子注入区、双面N型离子注入、N型离子注入氧化和扩散，经过P型短基区扩散后，在P型短基区下形成一个N型区域埋层。该方法工艺简单，加工方便，且改善了产品的性能，提高了产品电压的一致性和可控性。
电容保护晶闸管器件芯片及其生产方法

[发明专利]门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法-CN200910301954.5有效
发明人： 颜呈祥;王成森;黎重林;薛治祥;黄健 -专利权人：启东市捷捷微电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法，门极灵敏触发单向晶闸管芯片，在P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条。门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，在N⁺发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，本发明的优点：在晶闸管的门极电极G和阴极电极K之间增加了一个电阻，使用时可以省掉一个电阻，减小了产品电参数受温度的影响，可以在-40～110℃范围内使用，触发电流可控性和一致性好，批与批之间可以将I_GT的范围控制在20uA之内，抗干扰能力强，门极灵敏度高。
灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法

[发明专利]门极灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法-CN200810122602.9有效
发明人：王成森;黄善兵;沈卫群;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：启东市捷捷微电子有限公司
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种门极灵敏触发单向可控硅芯片，它提高了产品的温度特性，改善了触发电流I_GT的批一致性。本发明还提供生产门极灵敏触发单向可控硅芯片的方法，该方法工艺简单，加工方便，并改善了产品的性能。门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括门极电极G、阴极电极K、阳极电极A、N⁺发射区、N型长基区、P型短基区和P型阳极区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，其特征是在芯片内部设有一段内沟槽，所述内沟槽与外沟槽之间构成一个长条形的电阻臂，所述电阻臂利用N⁺发射区下的P型短基区形成一个阻值较大的扩散电阻R_GK，所述扩散电阻R_GK的一端通过芯片的内引线与门极电极G连接，另一端通过芯片的内引线与阴极电极K连接。
灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法

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