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[发明专利]栅约束硅控整流器ESD器件及其制作方法-CN201910808916.2有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法，通过将现有的新型栅约束硅控整流器ESD器件的肖特基结去掉，并替换为低浓度P型轻掺杂(22)，将该低浓度P型轻掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)相邻接，并且该低浓度P型轻掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)上表面一起形成金属硅化物，并连接至该新型栅约束硅控整流器ESD器件的阴极，可在提升维持电压的同时，简化制造工艺，降低因引入肖特基结的界面缺陷
约束整流器 esd 器件及其制作方法

[发明专利]一种混合结沟槽型的肖特基势垒二极管-CN201710289000.1在审
发明人：张小辛;郭涵;郑晨焱;粟笛 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种混合结沟槽型的肖特基势垒二极管，包括衬底；外延层，生长于衬底的上表面，外延层的上表面形成有多个沟槽，沟槽的顶部形成有横向扩散的掺杂区；隔离介质层，覆盖沟槽的侧部和底部以及掺杂区的侧部表面；多晶硅层，填充每个沟槽；多晶硅层的上表面与外延层的上表面齐平形成一平坦表面；第一金属层，覆盖于平坦表面上方；第二金属层，覆盖于第一金属层的上表面，能够在肖特基势垒二极管中形成PN结结构，同时具有沟槽型器件具有的高耐压低漏电性能以及肖特基整流器结构的低压降和浪涌能力，可满足大功率低功耗的应用需求；以及上述的混合结沟槽型的肖特基势垒二极管的制备方法。
一种混合沟槽肖特基势垒二极管

[发明专利]一种基于纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202011253021.6在审
发明人：尹以安;李佳霖;毛明华 -专利权人：迪优未来科技(清远)有限公司;华南师大(清远)科技创新研究院有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，其包含依次设置于衬底上的n+型β‑氧化镓纳米柱、β‑氧化镓本征层、p型氮化镓纳米线阵列、阳极金属填充层以及阳极保护层，阳极金属填充层填充p型氮化镓纳米线阵列的间隙，与本征层形成肖特基接触，β‑氧化镓纳米柱水平设置于衬底上，其一端面设置与其形成欧姆接触的阴极，实现了pin结与肖特基二极管相结合，使得该微型化的肖特基二极管在保持低导通电压的同时具有低反向漏电流和耐压高的特性
一种基于纳米结构结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法-CN201810201506.7有效
发明人：张睿;曾思雨;赵毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻
一种基于合金锗肖特基结压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种多模的肖特基倍频结构-CN202010265463.6有效
发明人：田遥岭;何月;蒋均;黄昆;陈鹏;李理;岑冀娜 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多模的肖特基倍频结构，包括输入波导匹配结构、两个肖特基二极管、T形悬置微带电路以及输出探针结构；波导匹配结构用于对电路输入阻抗进行匹配，所述两个肖特基二极管分别相对粘接至T型悬置微带电路分叉处的微带线上；悬置微带电路包含阻抗匹配电路和悬置微带T型结，通过悬置微带T型结将肖特基二极管的二次谐波和三次谐波分流，分成两路输出。
一种肖特基倍频结构

[发明专利]高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法-CN201910430622.0有效
发明人：冯倩;张涛;张进成;周弘;张春福;胡壮壮;封兆青;蔡云匆 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿电压的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3薄膜，低掺杂n型Ga2O3薄膜上开有的斜坡凹槽台，斜坡凹槽台侧壁上设有的金属环，斜坡凹槽台台面上设有的肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层的两侧设有绝缘介质，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层与绝缘介质之上设有肖特基场板。本发明避免了在反向关断时随着电压的增加肖特基结的边缘处承受的电场强度尖锐集中分布，提高了击穿电压，可用作功率器件和高压开关器件。
击穿电压肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]硅纳米线肖特基结型太阳能电池及其制备方法-CN201210037106.X无效
发明人：揭建胜;谢超;吴春燕;王莉;彭强;于永强;郭惠尔;朱志峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：在带有SiO2层的Si基底的SiO2层的表面分散有平铺的硅纳米线，设置在SiO2层上的源漏电极与硅纳米线形成欧姆接触，作为硅纳米线端输出电极，设置在SiO2层上的栅极电极与硅纳米线形成肖特基结，作为太阳能电池肖特基结另一端输出电极。
纳米线肖特基结型太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于肖特基结的真随机数发生器-CN202211671407.8在审
发明人：张睿;蔡港军;高大为 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肖特基结的真随机数发生器。所述真随机数发生器包括采样电路，所述采样电路中包括四个肖特基结，四个肖特基结以交流整流电桥的方式连接，其中一对桥臂的连接点用于接电源，另一对桥臂的连接点接输出检测电路，所述输出检测电路包括运算放大器，四个肖特基结产生的双通路噪声信号接入运算放大器本发明基于肖特基结的真随机数发生器，只需四个肖特基结及一个简单的桥式电路和运放，设计简洁，制作成本低，而且能生成随机性指标较好的随机数序列，与CMOS工艺兼容且易于制造流片。
一种基于肖特基结随机数发生器

[发明专利]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201811202489.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[实用新型]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201821674556.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光本实用新型负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[发明专利]一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201710463915.X有效
发明人：董升旭;汤益丹;白云;申华军;杨成樾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽结势垒肖特基二极管的制作方法，其中包括：步骤一、提供用于制作器件的衬底，并且在衬底正面生长外延层；步骤二、在外延层上制作场限环区和预备主结区，预备主结区用于提供第一离子注入；步骤三、在除场限环区以外的外延层上刻蚀结势垒凹槽，其中在预备主结区刻蚀主结凹槽，并对结势垒凹槽和主结凹槽进行第二离子注入；步骤四、在衬底背面制作欧姆接触；步骤五、在器件正面制作钝化层和肖特基接触；步骤六、在器件正面制作金属电极并进行钝化。本发明还提供一种沟槽结势垒肖特基二极管。本发明能够在有效屏蔽肖特基表面电场的同时降低主结电场聚集效应，纵向增加主结面积，提升耐压特性。
一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN202110037588.8在审
发明人：叶惠东;叶桢琪 -专利权人：苏州高新区华成电子有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种肖特基二极管，包括壳体和本体，本体包括：重掺杂N型SiC衬底；轻掺杂N型SiC层，其生长在重掺杂N型SiC衬底上；重掺杂P型环区，其形成于轻掺杂N型SiC层上；轻掺杂P型环区，其形成于重掺杂P型环区内；介质保护层，其沉积在轻掺杂N型SiC层上；金属层，结合于轻掺杂N型SiC层上表面且与重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区抵接，并进行退火处理形成肖特基结；阳极电极，其连接在金属层上；阴极电极，其连接在重掺杂N型SiC衬底背面形成欧姆接触。本申请通过重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区的设置，形成PN结，有效提高了二极管的反向击穿电压，并且通过退火处理，有效地提高了肖特基势垒的均匀性，提高了势垒高度，提高了反向耐压值。
一种肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备-CN201810011780.8有效
发明人：张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;张先坤;王可汗;于慧慧;高丽 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间
二硒化钨肖特基结自驱动光电探测器垂直型隧穿层制备材料应用技术金属垂直结构反向电流光伏效应金属电极金属形成探测波长灵敏度纳米片探测器衬底结区可调受光绝缘光照探测响应

[发明专利]一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法-CN201710202863.0有效
发明人：郭栋;刘晓宇;周静涛;杨成樾;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法，包括以下步骤：S1：在外延片上表面制备肖特基结的位置处形成金属阻挡层；S2：在外延片的上表面和金属阻挡层的上表面生长绝缘介质层；S3：采用干法刻蚀方法对金属阻挡层上表面的绝缘介质进行过刻蚀，形成肖特基孔；S4：在绝缘介质层上表面和肖特基孔处形成第二金属层，得到肖特基结和阳极。本发明解决了现有技术中干法刻蚀过刻损伤外延材料的问题，以及湿法刻蚀过程中导致工艺精度无法控制的难题，本发明可以在不增加成本的基础上制作出高质量的肖特基结。
一种肖特基结损伤刻蚀制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管芯片及其制备方法-CN201910859535.7在审
发明人：马晓洁;刘宁;李学良;王利益;唐毅;蒋红全;敬毅;罗艳;刘杭 -专利权人：四川洪芯微科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括背面金属层、衬底层、外延层、肖特基势垒层、P型保护环、氧化层和正面金属层，背面金属层一端面向外依次设有衬底层和外延层，肖特基势垒层、P型保护环和氧化层均设于外延层远离衬底层的端面，其中肖特基势垒层设于外延层表面的中央，P型保护环设于肖特基势垒层的外围，正面金属层设于肖特基势垒层远离外延层的端面，氧化层设于正面金属层的外围且承接于P型保护环；还包括沟槽钝化保护层，沟槽钝化保护层包覆于衬底层、外延层、P型保护环和氧化层外侧；本发明设计合理，通过芯片外围包覆沟槽钝化保护层，有效缓解器件的结终端峰值电场，具有较高的击穿电压。
肖特基势垒层外延层衬底层氧化层钝化保护层正面金属层背面金属层外围包覆肖特基二极管芯片半导体器件技术外延层表面峰值电场击穿电压有效缓解结终端制备承接芯片