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- [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202210681604.1在审
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佐佐木和男;町山弥;齐藤均;佐佐木芳彦
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东京毅力科创株式会社
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2022-06-15
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2022-12-27
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C23C16/455
- 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
- 装置方法
- [发明专利]喷淋头和等离子体处理装置-CN201910525927.X有效
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南雅人;佐佐木芳彦
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东京毅力科创株式会社
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2019-06-18
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2022-10-11
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H01J37/32
- 本发明提供对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头和等离子体处理装置。在对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置中，喷淋头对腔室内供给处理气体，包括：主体部，其具有排出处理气体的多个气体排出孔；和气体扩散空间，其设置于主体部内并与多个气体排出孔连通，被导入处理气体，主体部包括：由金属形成的基材；嵌入在基材中且用于形成多个气体排出孔的多个衬套管；含浸有含浸材料的第一喷镀覆膜，其通过在基材的与气体扩散空间接触的面喷镀对处理气体具有耐腐蚀性的材料而形成；和含浸有含浸材料的第二喷镀覆膜，其通过在基材的与腔室的等离子体生成空间接触的面喷镀对处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料而形成。
- 喷淋等离子体处理装置
- [发明专利]等离子体处理装置-CN201811365489.7有效
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佐佐木芳彦;南雅人
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东京毅力科创株式会社
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2018-11-16
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2021-06-15
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置具有构成基片载置台(130)的载置面的静电吸盘(132)的绝缘层(145)，其中，该基片载置台(130)用于载置作为等离子体处理的对象的基片。绝缘层(145)包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。另外，等离子体蚀刻装置(30)具有吸附电极(146)，该吸附电极(146)设置在绝缘层(145)内，通过对其施加规定的电压来吸附基片。吸附电极(146)由含镍金属或者含铬金属形成。本发明即使在进行干式清洁的情况下，也能够提高载置台对等离子体的耐受性。
- 等离子体处理装置
- [发明专利]等离子体处理装置-CN201810735553.X有效
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南雅人;佐佐木芳彦;齐藤均;町山弥
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东京毅力科创株式会社
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2018-07-06
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2021-01-19
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H01J37/32
- 本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时，能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化，被施加高频电力的第一电极部，构成用于载置一个被处理基板的第一基板载置面。另外，被施加高频电力的金属制的第二电极部，设置在与上述第一电极部离开且相邻的位置，构成用于载置另一被处理基板的第二基板载置面。在包围第一基板载置面、第二基板载置面这两者的周围的位置，设置有陶瓷制的环部，在该位置的环部的下表面侧，设置有由介电常数比上述陶瓷低的电介质构成的电介质部件。
- 等离子体处理装置
- [发明专利]等离子体处理装置-CN202010377365.1在审
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佐佐木芳彦;佐藤亮;山科井作
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东京毅力科创株式会社
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2020-05-07
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2020-11-17
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H01J37/32
- 本发明提供等离子体处理装置，能抑制排气口附近的异常放电。包括：处理容器、载置台、气体供给机构、排气机构、等离子体生成机构以及偏压电力供给机构。处理容器收纳基板。载置台设于处理容器内，载置基板。气体供给机构向处理容器内供给处理气体。排气机构经由排气管将处理容器内的气体排出。等离子体生成机构使供给到处理容器内的处理气体等离子体化从而在处理容器内生成等离子体。偏压电力供给机构向载置台供给偏压用的高频电力。在与处理容器的壁部连接的排气管的排气口设有网构件，该网构件由导电性的构件构成，并与接地电位连接。网构件形成有在网构件的厚度方向上贯通的多个贯通孔。网构件的厚度与各贯通孔的开口的宽度之比为0.67以上。
- 等离子体处理装置
- [发明专利]等离子体处理装置和气体喷淋头-CN201810567600.4有效
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佐佐木芳彦;町山弥;南雅人
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东京毅力科创株式会社
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2018-06-05
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2020-07-14
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H01J37/32
- 本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置，对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理，包括：金属窗，其与上述载置台相对地形成于上述处理容器，具有多个导电性的部分窗部；绝缘物的隔开部件，其设置在上述部分窗部之间以及上述部分窗部与上述处理容器之间；天线，其设置在上述金属窗的上方侧，通过电感耦合使处理气体等离子体化；绝缘体的盖部件，其覆盖上述隔开部件的上述处理容器侧的面，并横跨相邻的上述部分窗部的边缘，多个上述部分窗部各自具有多个第一气孔，上述盖部件具有多个第二气孔，在该盖部件的内部以多个上述第一气孔中的至少任一者和多个上述第二气孔连通的方式向上述处理容器侧的面延伸。
- 等离子体处理装置气体喷淋
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