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[发明专利]一种等离子体活性增强法及发生装置-CN201811530415.4有效
发明人：熊紫兰;罗康;韩睿;朱宇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体光子聚焦法及发生装置，核心为在等离子体发生装置的等离子体发生端增加或者设计有聚焦等离子对应光波的聚焦单元，该聚焦单元设置为凹面反射镜，在反射镜的内侧可涂覆有金属膜或介质膜，使产生的等离子体在反射镜的作用下聚焦在反射镜焦点附近的区域，减小等离子体产生后向四周辐射造成的能量损耗，同时聚焦在焦点区域的等离子体密度较大，等离子体包含的光子、原子及分子等相互碰撞的几率增大，促进了等离子体间物理化学的反应，进而增强等离子体的活性。
一种等离子体活性增强发生装置

[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法-CN201080051532.8无效
发明人：安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
控制植入工件装置方法

[实用新型]腔体清洗设备-CN201821979529.2有效
发明人：李国强;林宗贤;吴孝哲 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该实用新型涉及一种腔体清洗设备，包括：等离子体发生单元，安装至待清洗腔体，用于在待清洗腔体内产生等离子体；聚焦单元，安装至待清洗腔体，用于将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗区域；聚焦单元包括：直流线圈，连接有直流电源，安装至待清洗腔体，用于产生磁场以将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗腔体的内壁表面；驱动器，连接至直流线圈，用于驱动直流线圈旋转。本实用新型的腔体清洗设备具有等离子体发生单元，能够向待清洗腔体内通入等离子体，还具有聚焦单元，能够将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗区域，因此使用等离子体对待清洗腔体进行清洗时，可以对等离子体的主要清洗区域进行控制
清洗腔体清洗腔等离子体体内等离子体聚焦聚焦单元清洗区域直流线圈等离子体发生单元腔体清洗驱动器本实用新型内壁表面清洗设备清洗效果直流电源种腔磁场清洗驱动

[实用新型]等离子体刻蚀处理装置-CN201220747252.7有效
发明人：张冬平;杨佐东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体刻蚀处理装置，所述等离子体刻蚀处理装置包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统。其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统能够控制聚焦环的温度。本实用新型提供的等离子体刻蚀处理装置采用聚焦环冷却系统控制聚焦环的温度，聚焦环的温度不会影响半导体晶圆边缘的刻蚀速度，半导体晶圆边缘刻蚀的均匀性得到了提高。
等离子体刻蚀处理装置

[发明专利]一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法-CN201010118597.1有效
发明人：宁中喜;于达仁;丁永杰;颜世林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法，它涉及一种磁透镜下等离子体束聚焦的方法。它解决了现有霍尔推力器通道内磁透镜下等离子体束聚焦仅依赖于磁透镜位形调节，调节手段单一的问题，本发明的具体过程为：步骤一，获取磁透镜位形和等离子体束聚焦指标，并计算霍尔推力器通道内的满足等离子体束聚焦指标的离子射流聚焦区；步骤二：实测霍尔推力器通道内的工质电离分布区域，控制实测获得的工质电离分布区域在计算获得的离子射流聚焦区内，实现等离子体束聚焦。
一种透镜等离子体聚焦方法

[发明专利]用于电感耦合等离子体源的内部分离法拉第屏蔽-CN201210396411.8有效
发明人： T.米勒;S.张 -专利权人： FEI公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于聚焦射束系统的电感耦合等离子体离子源。一种用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室内的导电屏蔽以便减少到等离子体的电容耦合。内部导电屏蔽被偏置电极或被等离子体被保持在与等离子体源基本上相同的电位。内部屏蔽允许等离子体室的外部上的更多种冷却方法。
用于电感耦合等离子体内部分离法拉第屏蔽

[发明专利]等离子体处理装置的聚焦环及具有聚焦环的等离子体处理装置-CN201010266434.8无效
发明人：朴根佑;李诚宰;罗润柱 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置的聚焦环及具有聚焦环的等离子体处理装置。更具体而言，本发明涉及等离子体处理装置的聚焦环以及具有聚焦环的等离子体处理装置，该聚焦环能够通过在执行刻蚀工艺或沉积工艺而在等离子态中处理晶片的等离子体处理装置中有效地装载和卸载晶片或托盘来固定晶片或承载晶片的托盘本发明的等离子体处理装置包括：处理室；卡盘，其设置在处理室中并竖直地致动；聚焦环，其安装在卡盘的外周上；以及夹具，其用于将置于卡盘上的晶片或晶片托盘固定至卡盘，其中，聚焦环由固定至聚焦环底座的第一聚焦环与固定至或置于卡盘的外周上的第二聚焦环的结合而形成，当卡盘下移时第二聚焦环比第一聚焦环下移得更多。
等离子体处理装置聚焦具有

[发明专利]一种等离子体质谱离子聚焦偏转进样接口及工作模式-CN202110495527.6有效
发明人：雷永乾;郭鹏然;陈江韩;梁维新 -专利权人：广东省科学院测试分析研究所（中国广州分析测试中心）
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体质谱离子聚焦偏转进样接口及工作模式，涉及离子光学装置，其包括：等离子体源，所述等离子体源通过气体电离方式来形成等离子体；若干聚焦偏转板，每个所述聚焦偏转板均具有圆形中心通道，所述圆形中心通道的边缘分布有偏转电极对，若干所述聚焦偏转板相对等离子运动轨迹呈一定角度分布在等离子体源与质谱进样接口之间。本发明在离子传输过程中同时实现光子、中性粒子的有效分离和离子聚焦。
一种等离子体质离子聚焦偏转接口工作模式

[发明专利]一种大气压冷等离子体射流气流辅助聚焦装置-CN202010713912.9有效
发明人：王涛;时礼平;吕栎;张兴权;童宝宏;张国涛 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种大气压冷等离子体射流气流辅助聚焦装置，包括上盖、聚焦装置主体、下盖、球铰喷头、等离子体射流发生器，所述上盖和所述下盖分别固定设置在所述聚焦装置主体的上下两端，所述等离子体射流发生器设置在所述聚焦装置主体内，所述球铰喷头设置在所述聚焦装置主体下端并对应所述离子体射流发生器的出射口设置；本发明利用流体聚焦原理设计出气流辅助聚焦装置实现对大气压冷等离子体射流的聚焦，具有结构简单、操作方便、聚焦效果好且可同时屏蔽空气对等离子体射流影响等优点，可大大提高大气压冷等离子体射流的加工精度并提高对其特性的可控性。
一种大气压等离子体射流气流辅助聚焦装置

[发明专利]一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备-CN201410797353.9在审
发明人：张庆钊 -专利权人：中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分。
一种应用于等离子体设备结构

[发明专利]基于等离子体开关的横向激励CO₂激光窄脉冲产生装置-CN201711498686.1在审
发明人：柯常军;吴天昊;孔心怡 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于等离子体开关的横向激励CO₂激光窄脉冲产生装置，包括：聚焦透镜；等离子体开关，由固体材质构成，位于所述聚焦透镜的焦点处，其上具有一孔，TE CO₂激光经所述聚焦透镜聚焦在所述等离子体开关的所述孔处形成等离子体，TE CO₂激光的拖尾部分被所述等离子体吸收，从而产生激光窄脉冲；以及准直透镜，与所述聚焦透镜同轴设置，用于将所述激光窄脉冲准直后输出本公开基于等离子体开关的TE CO₂激光窄脉冲产生装置，有效切断了TE CO₂激光脉冲低功率长拖尾部分，达到压缩激光脉冲宽度的目的，结构简单、操作方便。
等离子体开关聚焦透镜窄脉冲产生装置横向激励窄脉冲拖尾激光等离子体等离子体吸收固体材质激光脉冲同轴设置准直透镜低功率焦点处聚焦输出压缩

[发明专利]一种基于非均匀等离子体结构实现电磁波聚焦的方法-CN202210342720.0在审
发明人：姚静锋;费汉露;李健飞;袁承勋;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于非均匀等离子体结构实现电磁波聚焦的方法，涉及等离子体技术领域。本发明所述的基于非均匀等离子体结构实现电磁波聚焦的方法，包括：在真空腔室中充入电离气体，其中，所述真空腔室内设置同轴网格电极组和中心调控电极；将第一驱动电源接入所述同轴网格电极组，通过所述同轴网格电极组电离所述电离气体产生等离子体；将第二驱动电源接入所述中心调控电极，通过所述中心调控电极吸引所述等离子体，以产生密度由内到外逐渐增加的非均匀等离子体圆柱；通过所述非均匀等离子体圆柱对电磁波进行聚焦。本发明所述的技术方案，实现对电磁波的聚焦，减小传输损耗；拓展了非均匀等离子体圆柱的应用范围。
一种基于均匀等离子体结构实现电磁波聚焦方法

[发明专利]用于控制等离子体密度的系统和方法-CN201480073933.1有效
发明人：陈立;彼得·L·G·文泽克;巴顿·G·莱恩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于控制靠近被加工基底的边缘或边界的等离子体密度的等离子体加工系统。该等离子体加工系统可以包括能够接纳并处理基底的等离子体室，所述处理室利用等离子体对基底进行蚀刻、对基底进行掺杂或者在基底上沉积膜。本公开内容涉及可以包括可以与偏置电极相对的供电电极和围绕基底的聚焦环电极的等离子体加工系统。在一个实施方案中，供电电极可以耦合至直流(DC)源。施加至偏置电极的电力可以用于将离子吸引至基底。可以通过向设置在基底和/或偏置电极周围的聚焦环施加聚焦环电压而使等离子体密度变得更均匀。
用于控制等离子体密度系统方法

[发明专利]具有聚焦环调整组件的等离子处理设备-CN202080004153.7有效
发明人：马丁·L·朱克;P·J·伦贝西斯;T·特维斯;瑞安·帕库尔斯基;马绍铭;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括限定竖直方向和横向方向的处理室。该等离子体处理设备包括设置在处理室内的基座。该基座被配置为支撑衬底。该等离子体处理设备包括设置在处理室内的射频(RF)。RF偏置电极限定了沿着横向方向在RF偏置电极的第一端与RF偏置电极的第二端之间延伸的RF区。该等离子体处理设备包括设置在处理室内的聚焦环。该等离子体处理设备还包括聚焦环调整组件。该聚焦环调整组件包括提升销，该提升销位于RF区的外部。该提升销可沿着竖直方向移动，以沿着竖直方向调整底座和聚焦环之间的距离。
具有聚焦调整组件等离子处理设备

[发明专利]等离子体蚀刻机的移动聚焦环方法及其装置-CN201710557004.3在审
发明人：林育奇;林进兴;张宏睿;邱意为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该半导体制造装置包括：等离子体反应室，安置平台设置于该等离子体反应室内；聚焦环，设置于该等离子体反应室内；以及至少一致动器，机械地连接聚焦环并设置成可垂直移动聚焦环。此致动器设置成当等离子体出现于等离子体反应室时可垂直移动聚焦环。本公开提供的半导体制造方法可于蚀刻制程动态控制蚀刻制程的蚀刻速率。
聚焦环半导体制造装置等离子体反应室等离子体反应半导体制造蚀刻制程等离子体等离子体蚀刻机蚀刻室内动态控制平台设置移动聚焦地连接安置

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