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[发明专利]图案化离子植入用的集成遮蔽光罩/载体-CN201180056752.4无效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;凯文·M·丹尼尔斯;阿塔尔·古普塔;罗素·J·洛;班杰明·D·里欧登;罗伯特·J·米歇尔;史蒂芬·M·恩尔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明揭示了改良的、低成本的制作基板的方法以创造太阳能电池。此外，还揭示了改良的基板载具。一般用以运载基板的载具被改良，以便来当作图案化植入的遮蔽罩幕。在一些实施例中，各种图案能够利用载具产生而出，使得可藉由改变载具或载具的位置来执行在基板上不同的制程步骤。另外，因为基板对载具的对准是重要的，所以载具可包括对准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中，重力会被用来支撑在载具上的基板，且因此离子被引导离子以便使离子束向上朝向载具的底侧行进。
图案离子植入集成遮蔽载体

[发明专利]在工件的离子植入期间处理束流异常-CN201180032055.5无效
发明人：拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;威廉·T·维弗 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。
工件离子植入期间处理异常

[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法-CN201080051532.8无效
发明人：安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
控制植入工件装置方法

[发明专利]指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入-CN201180015641.9有效
发明人： 阿塔尔·古普塔;尼可拉斯·P·T·贝特曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。
指叉型背面接触太阳能电池自我对准离子植入

[发明专利]具快-慢扫描的遮罩的离子植入-CN201080037578.4无效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;史蒂芬·M·恩尔拉;班杰明·B·里欧登;阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种产生太阳能电池的改良方法，其利用在离子植入器中相对于离子束而固定的遮罩。朝向基板将所述离子束引导穿过所述遮罩中的多个孔。所述基板以不同速度移动，使得当所述基板以第一扫描速率移动时，所述基板暴露于一离子剂量率，且当所述基板以第二扫描速率移动时，所述基板暴露于第二离子剂量率。藉由修改所述扫描速率，可在对应的基板位置处将各种剂量率植入于所述基板上。此做法使离子植入能用于提供对于太阳能电池制造而言有利的精确的掺杂轮廓。
扫描离子植入

[发明专利]太阳能电池中合并植入的使用-CN200980115537.X有效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;保罗·J·墨菲;保罗·沙利文;阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
太阳能电池合并植入使用

[发明专利]太阳能电池用的逆掺杂-CN200980113415.7无效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;保罗·沙利文;阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了逆掺杂太阳能电池(特别是叉背接触(IBC)太阳能电池)的方法。在太阳能电池的一表面上，一些部分需要被N掺杂，而其他部分则是被P掺杂。传统上，会需要多道微影和掺杂的步骤以达成所希望的结构。另一方面，可经由进行一个导电率的一整体掺杂和相对的导电率的一罩幕图案化逆掺杂制程而省略一道微影步骤。在罩幕图案化布植中，被掺杂的区域会接收充分的掺杂量以完全逆转整体掺杂的影响，并达成相对于整体掺杂的一导电率。在另一实施例中，逆掺杂是以直接图案化的技术所进行，可省去多余的微影步骤。在本发明中提供多种直接逆掺杂的制程方法。
太阳能电池掺杂

[发明专利]测量粒子束特性的装置及其方法-CN200980105055.6有效
发明人：约瑟·C·欧尔森;阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。
测量粒子束特性装置及其方法

[发明专利]具有气体混合的离子源的效能改良与生命期延长的技术-CN200880015524.0有效
发明人： 阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(202)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
具有气体混合离子源效能改良生命延长技术

[发明专利]在等离子处理应用中提供电性接触的方法与装置-CN200780051063.8无效
发明人：具本雄;史帝文·R·沃特;克里斯多夫·J·里维特;贾斯汀·托可;玄盛焕;提摩太·J·米勒;杰·T·舒尔;阿塔尔·古普塔;维克拉姆·辛;戴文·洛吉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。
等离子处理应用提供接触方法装置

[发明专利]二维束密度量测的方法及其装置-CN200780023921.8有效
发明人： 阿塔尔·古普塔;约瑟·C·欧尔森;葛桔·A·洛里斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
二维密度方法及其装置

[发明专利]具有原位监视和过程参数调谐的等离子体处理方法-CN200780015283.5无效
发明人：安东尼·雷诺;维克拉姆·辛;阿塔尔·古普塔;提摩太·米勒;爱德温·阿雷瓦洛;乔治·帕帕守尔艾迪斯;田容培 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种选择等离子体掺杂过程参数的方法，其包含确定一制法参数数据库以实现至少一个等离子体掺杂条件。根据所述制法参数数据库来确定初始制法参数。执行至少一个等离子体掺杂条件的原位测量。使所述至少一个等离子体掺杂条件的原位测量与至少一个等离子体掺杂结果相关。响应于所述相关而改变至少一个制法参数，以便改进至少一个等离子体掺杂过程性能量度。
具有原位监视过程参数调谐等离子体处理方法

[发明专利]改善带状离子束的均一性的技术-CN200780002657.X有效
发明人：肯尼士·H·波什;阿塔尔·古普塔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
改善带状离子束均一技术

[发明专利]离子束角度扩散控制的技术-CN200680019884.9有效
发明人： 阿塔尔·古普塔;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。
离子束角度扩散控制技术

[发明专利]离子束角度处理控制的技术-CN200680019506.0有效
发明人： 阿塔尔·古普塔;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将一个或多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的入射角的一平均扩散。此方法可更包括至少部分地基于入射角的平均扩散调整一个或多个离子束以产生离子束入射角的一所要扩散。
离子束角度处理控制技术

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